Здавалка
Главная | Обратная связь

Характеристики микросхем памяти



Основными характеристиками микросхем памяти различных типов являются: • объем;

• разрядность;

• быстродействие;

• временная диаграмма (циклограмма).

Разрядность шины ввода/вывода микросхемы определяется чис­лом ее линий ввода/вывода.

Общий объем микросхемы памяти определяется произведением глубины адресного пространства на количество линий ввода/вы­вода (разрядов). Глубиной адресного пространства микросхемы памяти называется количество бит информации, которое хранит­ся в ячейках памяти. В частности, емкость микросхемы памяти, имеющей глубину адресного пространства 1 Мбайт и четыре ли­нии ввода/вывода (четырехразрядную шину ввода/вывода), со­ставляет 1 Мбит><4 = 4 Мбит. Такая микросхема обозначается 1x4, 1Мх4, хх4400 либо хх4401.

Быстродействие микросхемы динамической памяти определяет­ся суммой времени последовательного выполнения элементарных действий между двумя операциями чтения либо записи данных — рабочим циклом (или циклом обращения). Он включает четыре последовательных операции считывания данных: выбор строки (RAS); выбор столбца (CAS), чтение или запись. Время, необхо­димое для чтения или записи данных, хранящихся по случайному адресу, называется временем доступа {Access time). Для современ­ных микросхем оно составляет 40 — 60 не, что соответствует часто­те появления данных 16,7 — 25 МГц на входе/выходе микросхемы.

При установке на материнскую плату не следует использовать элементы памяти различных фирм. Но, если не удается избежать смешения неоднородных элементов, необходимо следить, чтобы время доступа не различалось более чем на 10 не, поскольку мо­гут возникнуть серьезные проблемы.

Временная диаграмма характеризует число тактов, которые не­обходимы CPU для выполнения четырех последовательных опе­раций считывания данных. Между CPU и элементами памяти не­допустимо временное рассогласование, обусловленное различным быстродействием этих компонентов. Однако даже самые современ­ные микросхемы не могут работать с частотой более 50 МГц, по­этому CPU периодически простаивает.

Для того чтобы 4-разрядная микросхема памяти работала с 32-разрядной системной шиной CPU 80486 или 64-разрядной шиной CPU Pentium, их взаимодействие организуется через контроллер памяти, причем не с одной, а с несколькими микросхемами памя­ти, сформированными в банки памяти. Количество микро­схем памяти в одном банке определяется соотношением разрядно­сти системной шины и разрядности микросхемы памяти.

Как правило, на материнскую плату устанавливаются не от­дельные микросхемы памяти, а модули памяти: 5/ММ-модули и DIMM-модули. Модули представляют собой микросхемы, объеди­ненные на специальных печатных платах вместе с некоторыми дополнительными элементами. Разрядность модулей памяти опре­деляется разрядностью микросхем памяти, установленных на плате: 30-контактные SIMM-модули — 8-разрядные; 72-контактные SIMM-модули — 32-разрядные, а DIMM-модули — 64-разряд­ные.

72-контактные SIMM-модули необходимо устанавливать толь­ко парами, поскольку каждый представляет собой половину стан­дартного банка памяти. 168-контактные DIMM-модули можно устанавливать по одному, причем каждый из них может вмещать до 512 Мбайт оперативной памяти. 64 Мбайт — минимальный объем оперативной памяти для ПК, работающих под Windows 98. При этом практика показывает, что через каждые два года требования к объему оперативной памяти удваиваются.

RIMM-модулъ — высокоскоростной модуль оперативной памя­ти, разработанный компанией Rambus совместно с Intel. Отличает­ся от DIMM-модуля тем, что имеет 184 контакта и металлический экран, обеспечивающий защиту от наводок и взаимного влияния высокочастотных модулей.







©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.