 |
|
Комбинированный метод.
При совмещении масочного и фото-литографического методов для микросхем, содержащих резисторы, проводники и конденсаторы, используют два варианта:
1 вариант:
• напыление резисторов через маску;
• напыление проводящей пленки на резистивную;
• фотолитография проводящего слоя;
• поочередное напыление через маску нижних обкладок, диэлек-трика и верхних обкладок конденсатора;
• нанесение защитного слоя;
2 вариант:
• напыление резистивной пленки и проводящей пленки на рези-стивную;
• фотолитография проводящего и резистивного слоев;
• фотолитография проводящего слоя;
• напыление через маску нижних обкладок, диэлектрика и верх-них обкладок конденсатора;
• нанесение защитного слоя.
Для схем, не содержащих конденсаторов, применяют один из трех вариантов:
1 вариант:
• напыление через маску резисторов и проводящей пленки;
• фотолитография проводящего слоя;
• нанесение защитного слоя;
2 вариант:
• напыление резистивной пленки;
• фотолитография резистивного слоя;
• напыление через маску проводников и контактных площадок;
• нанесение защитного слоя;
3 вариант:
• напыление резистивной пленки, а также контактных площадок и проводников через маску;
• фотолитография резистивного слоя;
• нанесение защитного слоя
Тонкие пленки в электронно-вычислительной аппаратуре
Термин «тонкие пленки» обозначает покрытия толщиной не более 1 мкм. Пассивные компоненты интегральных схем формируются избирательным осаждением тонких пленок на подложках. Тонкие пленки широко используются в полупроводниковых, гибридных и совмещенных интегральных микросхемах для создания проводниковых соединений, резисторов, конденсаторов и изоляция между элементами и проводниками. Помимо необходимых электрофизических параметров от них требуется хорошая адгезия (прочность связи)к материалу, на который наносится пленка. Некоторые материалы имеют плохую адгезию с подложками, например, золото с кремнием. Тогда на подложку сначала наносят тонкий подслой с хорошей адгезией, а на него–основной материал, имеющий хорошую адгезию с подслоем. Для предотвращения повреждений пленок при колебаниях температуры желательно, чтобы тепловой коэффициент расширения(ТКР) пленок и подложек как можно меньше отличались друг от друга.
Заключение
В заключение необходимо отметить следующее. Пленочные элементы могут изготавливаться как по тонкопленочной, так и по толстопленочной технологиям. Конфигурации тонко и толстопленочных элементов одинаковы, но их конкретные геометрические размеры (при заданных электрических параметрах) могут существенно различаться в связи с использованием совершенно разных материалов. Свойства пленочных элементов определяются конфигурацией, способом нанесения пленок, и, следовательно, их физическими, химическими, механическими и электрическими свойствами. Процесс проектирования гибридных ИМС носит комплексный характер, где решающую роль играют свойства пленок, возможности технологии, характеристики элементов и их влияние на выходные параметры ИМС.
В последнее время для проектирования различных электронных приборов используются новые физические и технологические принципы. Например, стали активно развиваться и применяться новые технологические процессы, такие как нанотехнология, микро и наноробототехника, интегральная наноэлектроника. Однако это не означает, что изложенный в учебном пособии материал теряет свою актуальность. В сантиметровом диапазоне СВЧ требуются элементы малых размеров (много меньше длины волны), которые следует воспроизводить с высокой точностью. Для этого как раз и необходима тонкопленочная технология. Она также обеспечивает меньшее сопротивление проводящих слоев по сравнению с толстопленочной технологией и более высокую добротность элементов. Очевидно, что в ближайшие годы, несмотря на быстрое развитие новых технологий, тонкопленочная технология не утратит своей актуальности.