Главная | Обратная связь

Теоретические основы прогрессивных технологий

Тема 1. Теоретические основы организации и функционирования технологических систем
1. Определение технологии как науки. (в тесте: выберите классическое определение технологии)
/наука о способах переработки сырья и материалов, ср-ва производства и предметы потребления
2. Принцип саморегулирования.
/наз-ся принцип, при кот. технологическая система автоматически восстанавливает утраченные функции и реагирует на внешние и внутренние возмущения
3. Что понимается под устойчивой технологической системой?( в тесте наоборот вопрс-ответ)
/отклонение, которое от данного состояния со временем не возрастает
4. Что понимается под помехами в технологических системах?
/помехи- наз-ся нежелательные внешние случайные воздействия на технол. систему
5. На каком уровне научного познания выполняются постановка экспериментов и измерения?
/на эмпирическом уровне
6. Виды моделирования.
/мыслительный (идейный); физический; символический; математические модели
(символический- наз-ся вид моделирования, кот. связан с условно-знаковым представлением св-в объекта)
Тема 2. Методы описания и анализа технологических систем. Диаграммы состояния
7. Какие критерии определяет химическая термодинамика?
/определяет критерии самопроизвольного протекания процессов
8. Как называются в термодинамике статистически распределённые неоднородности?
/флуктуация
9. Какая система называется гомогенной?
/система имеющая одинаковые параметры во всех частях
10. Какие системы считаются равновесными?
/состояние системы, при кот. ее параметры не изменяются самостоятельно во времени
11. Что называется стандартной энтальпией реакции?
Ho298 и соответствует t 298D/это реакция обозначается Кельвинов
12. Что понимается под термодинамическим потенциалом в случае изохорно-изотермического процесса?
/ свободная энергия Гельмгольца явл. Функция состояния термодинамическим потенциалом в случае изохорно-изометрического процесса ( , F min P=0- внутр. энергия Гельмгольца)
13. Что понимается под термодинамическим потенциалом в случае изобарно-изотермического процесса?
/свободная энергия Гиббса G=H-TS
14. В каком законе термодинамики вводится понятие энтропии?
/при формулировке 2-го закона термодинамики (dS = dQ/T)
15. Чему равен тепловой эффект реакции при постоянном давлении?
/энтальпии системы дельта Н
16. Формулировка закона Г.И. Гесса, лежащая в основе термохимических расчётов.
/тепловой эффект реакции зависит от природы и состояния, но не зависит от путей реакции
17. Правило фаз Гиббса./ определяет соотношение между числом степеней свободы системы, количеством фаз и компонентов системы
18. Определение с помощью коноды концентраций соприкасающихся фаз в диаграммах состояний.
/ в диаграмме состояния системы производится для определения по правилу отрезков концентрации и количественного соотношения соприкасающихся фаз, при постоянной температуре
(конода— линия на диагр. сост. м-ду двумя йодами, соответств. пост. внеш. условиям (Т, Р) сосуществ. фаз, позвол. определить состав каждой и их кол-венное соотношение в сплаве.)
19. Какие сведения можно получить из диаграммы состояния однокомпонентной системы?
/дает информацию о равновесных переходах из одной модификации в другую и разделяет области равновесного существования твердого, жидкого и газообразного состояния
20. Диаграмма состояния первого рода для двухкомпонентной системы.
/полностью растворимой в жидком состоянии имеет место образование эвтектики (Е). (эвтектика –наз-ся механическая смесь кристаллов, одновременно кристаллизирующихся из жидкости)
21. Диаграмма состояния второго рода для двухкомпонентной системы.
/имеет место неограниченная растворимость
22. В чём состоит главная особенность диаграммы состояний четвёртого рода?
/возможность образования соединения
23. С какой целью проводятся кинетические исследования технологических процессов? (в тесте ответ↔вопрос)
/установление закономерности связывающих изменения параметров во времени с факторами технолог. процесса явл. целью – кинетических исследований
24. Символическая формула параллельной химической реакции.
/параллельная реакция
(обратимая реакция A+B↔AB; последовательная реакц. P→M→N)
25. Как зависит скорость химической реакции при постоянной температуре от энергии активации?
/с возрастанием энергии убывает. (энергия активации – наз. энергия кот. необходимо сообщить хим. системе для того чтобы началась реакция или процесс)
26. Смещение равновесия в химической реакции А + В ⇆ АВ с изменением концентрации компонентов.
/смещается вправо. (правило: смещается в право при увелич. концентрации одного из компонентов А или В)
27. Смещение равновесия в хим реакции образования соединения для обратимой экзотермической реакции А + В ↔ АВ при изменении температуры.
/равновесие смещается вправо для обратимой экзотермической реакции при ↓tº (экзотермич. реакц-я –выделение тепла) (пример: больше холод- ярче огонь)
28. Смещение равновесия в хим реакции образования соединения для обратимой эндотермической реакции А + В ↔ АВ при изменении температуры.
/ равновесии смещается вправо для обратимой эндотермич. реакции при ↑tº (эндотерм. реакц- поглащение тепла)
29. Для чего используется катализатор в химической реакции образования соединения А + В ↔ АВ?( тесте: найдите правильный ответ о роли катализатора в равновесной реакц-и А+В >АВ
/смещает равновесие вправо
30. Предмет изучения аналитической химии.
/явл. идентификация (обнаружение) и количественная оценка (измерения) содержание того или иного вещества
Тема 3. Методы формирования структурированных материалов.
Физико-химические основы прогрессивных технологий
31. Пример мысленных представлений в форме моделей:
/атом ( Нильса Бора)
32. Как называется энергия, которую необходимо сообщить химической системе для того, чтобы началась реакция?/ энергия активации
33. Формула для описания максимальной энергии фотоэлектрона, выбиваемого с поверхности фотоном.
/ энергия одного кванта равна hv где h- постоянная планка, а v-частота излучения
34. Пример структурированных коллоидных систем./
35. Что понимается под температурой испарения?
/та tº, при кот. давление пара составляет 10мм рт. столба (0,01)
36. При каком способе легирования примесями используются электромагнитные фокусирующие системы?
/?ионной имплантации
37. Что понимается под процессом термической диффузии?
/понимается перенос вещ-ва под воздействием градиента концентрации (термическая диффузия, обусловленная наличием в среде (растворе, смеси) градиента температуры.)
38. Чем отличается реактивная диффузия от термической?
/в реактивной диффузной реакции происходит хим. реакция, а в термической диффузии - под воздействием tº (диффузия- взаимное проникновение одного вещ-ва в другое)
39. Особенности легирования при ионной имплантации.
/?При ионной имплантации в процессе регимеров примесями, использ. электромагнитные фокусирующие системы (Ио́нная импланта́ция — способ введения посторонних атомов внутрь твердого тела путем бомбардировки его поверхности пучком ионов c высокой энергией (10—100 кэВ). Широко используется для создания легированных областей на поверхности полупроводника при создании полупроводниковых приборов)
40. Формула закона Ома в дифференциальной форме.
/J=E (напряженность элект. поля ) (из друг источ где:j- вектор плотности тока, удельная проводимость,- вектор напряженности эл. поля).
41. Суть состояния сверхпроводимости.
/сверхпроводимость- св-во некоторых материалов обладать строго нулевым элек. Сопротивлением при достижении ими tº ниже определенного значения
42. Понятие плазмы.
/ частично или полностью ионизованный газ, образованный из нейтральных атомов (или молекул) и заряженных частиц (ионов и электронов)
43. Материалы, используемые для изготовления световодов.
/стекло (или пластмасса)
44. Источниками света в волоконно-оптических линиях.
/
45. Возникновение низкотемпературной плазмы в газообразной среде в лазерном луче.
/? (Низкотемпературной наз. плазму, у кот. ср. энергия электронов меньше хар-го потенциала ионизации атома (< 10 эВ)) Плазма создаётся в результате протекания в газе электрич. тока между электродами, к к-рым приложена постоянно поддерживаемая разность потенциалов.
46. Разновидность плазмы, используемой в искусственных газоразрядных источниках света и в газовых лазерах?
/
47. Свойства лазера.
/
48. Наиболее мощные лазеры, применяемые в современной технологии.
/
49. Плотность мощности лазера, достигаемая в импульсно–периодическом режиме.
/10в десятой Вт см квадратный
50. Чем обусловлена электропроводность плазмы?
/электронами и ионами
51. Температура лазерной плазмы.
/плазма имеет tº от 15 до 20 тыс. Кельвинов
52. Применение лазеров наименьшей мощности.
/лазер наименьшей мощности применяется для испарения тонких пленок
Тема 4. Методы технологической обработки поверхности материалов
53. Физико-химические процессы при коррозии. ( в тесте: коррозия это-
/разрушение металла в результате его физико-химического воздействия с окружающей средой
54. Химические реакции, широко используемые во многих производственных процессах.
/химич. реакции деградации
55. Новый метод воздействия с целью упрочнения поверхности металла.
/лазерное облучение
Тема 5. Методы разработки эффективных технологических решений
56. Выход годных изделий./ наз-ся величина равная отношению числа годных изделий к общему числу изделий
57. Как вычисляется вероятность безотказного функционирования технологической системы?
/явл. Произведение вероятности по группам отказов
58. Точный прогноз надёжности технологической системы./ явл. Анализ конкретной техн. Системы в определенных условиях функционирования (надежность техич. процесса определяется финишными операциями)
59. Понятие о факторах технологического процесса.
/?доминирующими в технол. процессе наз-ся важнейшие факторы
60. Пропускная способность системы массового обслуживания./ наз-ся среднее число событий обрабатываемых системой массового обслуживания.
Тема 6. Методы анализа и проектирования технологических систем с применением ЭВМ
61. Уровни реализации моделей технологических систем.
/наиболее подробной явл. модель реализованная на микроуровне, в этом случае моделирование произв-ся более точным, но и более сложным
62. Принципы, применяемые при построении функциональной модели технологического процесса.
/ принцип декомпозиции
63. Назначение функциональных моделей при проектировании технологических процессов.
/ состоит при разработке и размещении проектного документа в информационном пространстве
64. Символы, используемые при построении информационной модели технологического процесса. /сущности изображаются в виде блоков

Теоретич основы прогрессив. Технологий старый тест

1.Что понимается под детермированной технологической процедурой?
/ Детерминированная технологическая процедура - строго определенная техн. процедура.
2.Важнейшие факторы технологического процесса?
/ В технологич. процессе важными факторами явл. доминирующие факторы.
3.На каком уровне уже не осуществляется управление технологической системой?
/ Управление технологич. процессом не осуществляется на уровне народного хозяйства.
4. Принцип саморегулирования технологической системы?
/– наз. принцип, при котором технологич. система автоматически восстанавливает утраченные функции и реагирует на внешние и внутренние возмущения.
5.Что понимается под устойчивой технол. системой?
/- система, отклонение которой от данного состояния со временем не возрастает за допустимые пределы.
6.Виде помех в технологич. системах?
/ Аддитивная помеха. (или мультипликативная)
7.Типы операций. Какими операциями в наибольшей степени определяется надежность технолог. процесса?
/ Надежность технологич. процесса в наибольшей степени опр-ся финишными операциями.
8. Понятие величины годных изделий?
/Выход годных изделий - величина, равная отношению числа годных изделий к общ. изделий.
9.Как вычисляется вероятность безотказного функционирования технолог. системы?
/Вероятность безотказного функционирования явл. произведением вероятностей по группам отказов.
10.Возможно ли восстановление работоспособности элемента системы независимо от других частей элементов системы?
/ Восстановление работоспособности элемента системы независимо от других частей системы возможно для любых систем.
11.Как называются нежелательные внешние случайные воздействия на технолог. систему?
/ Помехи.
12.При какаих условиях можно дать наиболее точный прогноз надежности технолог. системы?
/Явл-ся анализ. в опред. условиях функционирования.
13.Какие вопросы изучаются в химич. термодинамике?
/Химич. термодинамика изучает св-ва энргии, законы превращения энергии, процессы и состояния равновесия в сист. с теплов. эффектом.
14.Методы, применяемые в термодинамике для исследования процессов в технолог. системах?
/Стохастический метод.
15. Как наз-ся в термодинамике статистически распределенные неоднородности?
/флуктуация
16.Закономерности изменения параметров систем с факторами технологического процесса, устанавливаемые методами кинетических и динамических исследований?
/ со временем.
17.Какая система наз-ся гомогенной?
/ Гомогенная система - система, имеющая одинаковые параметры во всех частях.
18. Какие системы считаются равновесными?
/Сост. систем,при котором параметры сист. не измен. самопроизвольно во времени
19.Какие закономерности устанавливает правило фаз Гиббса?
/Колич. зависимость между числом степеней свободы системы, количеством фаз и компонентов системы.
20. Сформулируйте следствие второго термического закона?
/Тепловой эффект реакции равен разности суммы теплот образования продуктов реакции и суммы теплот образования исходных веществ.
21.Определение с помощью коноды концентраций соприкасающихся фаз в диаграммах состояний?
/ В диагр. сост. системы проводится для определения по правилу отрезков концентрации и количественного соотношения соприкасающихся фаз при фиксированной температуре.
22.При каких температурах не могут формироваться центры кристаллизации?
/Центры кристаллизации не образуются выше точки кипения.
23.Какие сведения можно получить из диаграммы состояния однокомпонентной системы?
/ дает информацию о равновесных переходах из одной модификации в другую и разделяет области равновесного существования твердого, жидкого и газообразного состояния
24. Диаграмма состояния первого рода для двухкомпонентной системы / имеет место образование эвтектики (Е).
25. Диаграмма состояния второго рода для двухкомпонентной системы /имеет место неограниченная растворимость
27. К какому роду диаграмм состояний относятся сплавы, для которых хар-но образование химич. соединения в двухкомпонентной системе?/Четвертого рода.
28.В чем состоит главная особенность диаграммы состояния четвертого рода?/ Возможность образ. соединения.
29.Является ли образование эвтектики основным отличием диаграммы состояния первого рода от диаграммы состояния второго рода/ да , Образование эвтектики.
30.Какие тепловые процессы происходят в двухкомпонентных системах при нагревании и охлаждении и какие процессы завершают переход из жидкого в твердое состояние?
/Классификация диаграмм состояний основана на понятиях о раствор. в жидкой фазе, возм-ти образ. химич. соед-ий или твердых растворов.
31. Чему равна энтропия термодинамической системы, состоящей из нескольких элементов?
/Энтропия термодинамич. системы равна сумме энтропий ее элементов.
32. Что характеризует энтропийный фактор
/ степень не изученности тех. процесса.
33. Смещение равновесия в химич. реакции образования соединения при увеличение концентрации одного из компонентов?
/Равновесие в химич. реакции A+B↔AB смещается вправо
34. Смещение равновесия в химич. реакции образования соединения для обратимой экзотермической реакции A+B↔AB при понижении tº
/равновесие смещается вправо, для обратимой экзотермической реакции при ↓tº(больше холод- ярче огонь)
35. Смещение равновесия в химич. реакции образования соединения для обратимой эндотермической реакции A+B↔AB при понижении ↑ tº / Смещается вправо в эндотермической реакции при повышении температуры.
36. Для чего используется катализатор в химич. реакции образования соединения A+B→AB?
/катализатор смещает равновесие вправо.
37. Как наз-ся энергия, кот. необходимо сообщить химической системе для того, чтобы началась реакция?
/Энергия активации.
38.2.Что понимается под коэффициентом распыления?
Коэффициент распыления - это кол-во положит. ионов, приходящееся на один первичный фактор.
39.Сто понимается под tº испарения?
/ Температура испарения - та температура, при кот. давление пара сост. 10 мм.рт.столба (0,01).
40.В чем состоит различие в составе и структуре гомоэпитаксиальных, хемоэпитаксиальных и гетероэпитаксиальных слоев?
/ Гетероэпитаксия - на вещество одного хим. состава осаждается в-во другого состава. (когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны) гомоэпитаксия, когда они одинаковы. (процесс ориентированного нарастания в-ва, не отличающегося по химическому составу от вещества подложки.)
41. Основные этапы эпитаксиального процесса?
/ Нач. этапом эпитаксии явл. перенос пара и поверхности подложки.
42. В состав любого травителя входят?
/Окислитель и растворитель. (например: мыло и жидкие моющие ср-ва)
43. Что понимается под процессом термической диффузии?
/Перенос в-ва под воздействием градиента концентрации.
44.2 В чем принципиальное отличие ревктивной диффузии от ионной имплантации?
/при ионной имплантации в процессе регимеров примесями, используется электромагнитные фокусирующие системы
45.Возникновение низкотемпературной плазмы в газообразной среде в лазерном луче?
/? (Низкотемпературной наз. плазму, у кот. ср. энергия электронов меньше хар-го потенциала ионизации атома (< 10 эВ)) Плазма создаётся в результате протекания в газе электрич. тока между электродами, к к-рым приложена постоянно поддерживаемая разность потенциалов.
46.Отражение лазерного излучения от поверхности и параметр, хар-щий интенсивность отражения?
/ коэффициентом отражения.
47.Основные элементы устройства газового ионного лазера?
/Не входит ваакумный насос.