Режим переключения.
В режиме переключения транзистор работает как электронный ключ: он либо заперт и обладает высоким сопротивлением, либо включен и его сопротивление мало. В ключевом режиме транзистор включается последовательно с нагрузкой и, когда он выключен, ток через нагрузку близок к нулю, и все напряжение от внешнего источника прикладывается к транзистору (т. А на рис. 67). Когда транзистор включен (т. В на рис. 67), то ток через транзистор большой и приближается к предельно возможному в данной схеме Eк/Rк , где Rк - нагрузочное сопротивление в коллекторной цепи. Когда транзистор выключен, на его эмиттер либо подается отрицательное смещение, либо не подается совсем, и транзистор находится в режиме отсечки. Когда транзистор включен, то на его эмиттерный переход подано прямое смещение, а коллекторный переход находится либо под небольшим положительным смещением, либо под нулевым смещением, т.е. в режиме насыщения. К достоинствам режима переключения относится то, что во включенном и выключенном состоянии мощность, рассеиваемая на транзисторе, может быть существенно меньше, чем мощность, рассеиваемая в нагрузке, и, таким образом, он может коммутировать мощность, превосходящую предельно допустимую мощность рассеивания самого транзистора (см. рис. 67). Помимо статической в транзисторе может рассеиваться значительная динамическая мощность во время включения и выключения транзистора, причем при большой частоте коммутаций эта мощность может превосходить мощность, рассеиваемую в статическом режиме, поэтому желательно, чтобы время включения и выключения (в течение которого рассеивается динамическая мощность) было как можно меньше. На рис. 68 показаны соответствующие экспериментальным результатам диаграммы токов транзистора при различных значениях амплитуды входных импульсов. В представленных на рис. 67 диаграммах кривые 1 соответствуют усилительному режиму, для которого выполняется условие Iк = βIб, кривые 2, 3, 4 соответствуют случаям, когда во включенном состоянии транзистор находится в режим насыщения, в котором для тока коллектора справедливо Iк ≤ βIб. Для характеристики глубины насыщения вводят коэффициент насыщения S = Iк/ Iкн, где Iкн = βIбн соответствует границе насыщения. Как видно из графиков, чем глубже заходит транзистор в область насыщения (чем больше S), тем меньше время включения и больше время рассасывания заряда (полочка, предшествующая спаду тока) и, соответственно, время выключения. ©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.
|