Расчет эмиттерной коррекции
Схема эмиттерной коррекции представлена на рисунке 7.2.
Рисунок 7.2 - Схема эмиттерной коррекции промежуточного каскада
Эмиттерная коррекция вводится для коррекции искажений АЧХ вносимых транзистором, увеличивая амплитуду сигнала на переходе база-эмиттер с ростом частоты усиливаемого сигнала. Коэффициент усиления каскада описывается выражением: , где - глубина обратной связи; , , в и параметры рассчитанные по формулам 5.7, 5.8, 5.9. При заданном значении F, значение определяется выражением:
fв каскада равна: , , Примем , тогда: , Ом , =1,94 , = =1,062 , , , =0,181 fв каскада равна: = =18,4 Мгц , , =1.2 мСм , Ом Расчет схемы термостабилизации
Используем эмиттерную стабилизация поскольку был выбран маломощный транзистор, кроме того эмиттерная стабилизация уже применяется в рассчитываемом усилителе. Схема эмиттерной термостабилизации приведена на рисунке 4.1. Порядок расчета: 1. Выберем напряжение эмиттера , ток делителя и напряжение питания ; 2. Затем рассчитаем . Напряжение эмиттера выбирается равным порядка . Выберем . Ток делителя выбирается равным , где - базовый ток транзистора и вычисляется по формуле: мА, Тогда: мА Напряжение питания рассчитывается по формуле: В Расчёт величин резисторов производится по следующим формулам: Ом , , Ом , Ом В диапазоне температур от 0 до 50 градусов для рассчитанной подобным образом схемы, результирующий уход тока покоя транзистора, как правило, не превышает (10-15)%, то есть схема имеет вполне приемлемую стабилизацию.
Транзистор VT1
В качестве транзистора VT1 используем транзистор 2Т3129А9 с той же рабочей точкой что и для транзистора VT2: Iко= 15мА , Uкэо=10В , Возьмем Rк = 80 Ом. Рассчитаем параметры эквивалентной схемы для данного транзистора используя формулы 5.1 - 5.13 и 7.1 - 7.3. Ск(треб)=Ск(пасп)* =12× =12 пФ, где Ск(треб)-ёмкость коллекторного перехода при заданном Uкэ0, Ск(пасп)-справочное значение ёмкости коллектора при Uкэ(пасп). rб= =10 Ом; gб= =0,1 Cм, где rб-сопротивление базы, -справочное значение постоянной цепи обратной связи. rэ= = =2,5 Ом, где Iк0 в мА, rэ-сопротивление эмитера. gбэ= = =3,96 мСм, где gбэ-проводимость база-эмитер, -справочное значение статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером. Cэ= = =2,86 пФ, где Cэ-ёмкость эмиттера, fт-справочное значение граничной частоты транзистора при которой =1 Ri= =400 Ом, Ri-выходное сопротивление транзистора, Uкэ0(доп), Iк0(доп)-соответственно паспортные значения допустимого напряжения на коллекторе и постоянной составляющей тока коллектора. gi=2,5(мСм). , Ом , , с – входное сопротивление и входная емкость нагружающего каскада. , , См ,
- верхняя граничная частота при условии что на каждый каскад приходится по 0,75 дБ искажений. Желательно ввести коррекцию.
©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.
|