Результаты расчетов
2.4.3. Выбор и расчет трансформатора.
Трансформатор является одним из основных элементов преобразователя, во многом определяющим его энергетические и массо-объемные показатели. Принципиально трансформаторы преобразователей могут быть выполнены на любом магнитопроводе. Следует иметь в виду, что магнитопровод трансфор-матора для преобразователя по схемам рисунков 4,5 должен иметь немагнитный зазор или выполняться из материала не насыщающегося при относительно больших значениях напряженности магнитного поля (магнитодиэлектрика). Однако промышленность выпускает магнитодиэлектрики в ограниченном количестве. Поэтому трансформаторы таких преобразователей целесообразно выполнять на разрезных магнитопроводах. Для трансформаторов же других преобразователей могут с успехом использоваться как разрезные, так и замкнутые магнитопроводы. На частоте преобразования fn= (25…50) кГц сердечники трансформаторов выполняются из феррита. Из разрезных магнитопроводов наибольшее применение находят броневые сердечники. Основные характеристики некоторых типов таких магнипроводов приведены в табл. П.1 приложения, а тороидальных - в таблице П2 приложения [1], [6]. Расчет трансформатора осуществляется по выражениям, приведенным в таблице 3. Порядок расчета трансформатора.
1. Определяем действующее значение токов первичной I1 и вторичной I2 обмоток трансформатора. Для преобразователя, выполненного по схеме рисунка 7, при двухполупериодной схеме выпрямления определяется действующее значение тока каждой из вторичных полуобмоток. 2. По выражению, приведенному в таблице 3, определяем произведение поперечного сечения стержня на поперечное сечение окна Sст × Sок. При этом задаемся: - коэффициентом заполнения медью окна магнитопровода Кок = 0,25…0,35; - приращением магнитной индукции D В на частоте преобразования. Значение D В для схем рисунков 3…6 приведены (для наиболее часто применяемых материалов М2000НМ-1, 2500НМС-1) в таблице 5; - h - коэффициент полезного действия преобразователя в пределах 0,6…0,8 (меньшее значение КПД соответствует более низкому U0=5 В выходному напряжению); - плотностью тока j в обмотках трансформатора по таблице 6. При выходе за пределы таблицы плотность тока принимается равной граничным значениям. Таблица 5
Таблица 6
Для преобразователей рисунков 2…6 габаритная мощность трансформатора равна: PГ = U2m × I2 ×gмакс (1+h)/(2h) .
Для схемы рисунка 7 с двухполупериодным выпрямителем: 3. По известному произведению Sст × Sок с помощью таблиц П.1, П.2 приложения или по справочнику [1], [6], выбираем тип магнитопровода и уточняем его параметры. 4. Определяем число витков первичной W1 и вторичной W2 обмоток трансформатора. 5. Определяем поперечное сечение провода первичной q1 и вторичной q2 обмоток трансформатора. По таблице П.3 приложения выбираем стандартный провод, имеющий ближайшее большее значение поперечного сечения. Производим пересчет поперечного сечения провода с учетом изоляции (q'1; q'2). При небольших токах (до 3…5 А) и напряжении обмоток до 500 В рекомендуется применять провод марки ПЭТВ, свыше 500 В – марки ПЭВ-2; при токах более 5 А следует выбирать провода с комбинированной или двойной хлопчатобумажной изоляцией типа ПЭЛШО или ПБД. Обмоточные провода обозначаются следующим образом: сначала буквами указываются марка провода, определяющая тип изоляции (материал, толщину, термостойкость, пробивное напряжение), а далее цифрами указывается диаметр провода без изоляции в миллиметрах (чистый диаметр проводника), например, ПЭВ-2 0.12 или ПЭЛШО 0.08.
ПЭВ-2 – провод эмалированный с двухслойной изоляцией на основе синтетических лаков; ПЭТВ – провод эмалированный термостойкий с лаковой изоляцией; ПНЭТ–имид – рекомендуется для работы при температуре до 240°С, имеет биметаллическую жилу медь-никель и изоляционную пленку на основе полиамидного лака; ПСК, ПСДК – провод со стекловолокнистой изоляцией и лаковой пропиткой; ПЭЛШО– провод медный, изолированный эмалью и одним слоем из натурального шелка. 6. По известным значениям q'1; q'2; W1; W2; Sок необходимо проверить условие размещения обмотки в окне магнитопровода (q'1 W1 + q'2 W2) / Sок £ Kок . Если данное условие не выполняется, то следует взять больший типоразмер магнитопровода трансформатора и произвести повторный расчет. 7. Для схем рисунков 4, 5 находим суммарную величину немагнитного зазора D l3 : D l3 = W12 × m0 × Sст / Lw1 , где m0 = 4p×10-7 Гн/м. – магнитная постоянная. Основные расчетные соотношения элементов силовой части преобразователей приведены в таблице 7.
2.4.4. Порядок расчета элементов силовой части преобразователя 1. Исходя из заданного значения амплитуды пульсации выходного напряжения Uвых.m , определяем требуемое значение выходной емкости Сн. Выбираем стандартный конденсатор по таблицам П.4., П.5. или П.6. [3] и рисункам П.1…П.4. При этом необходимо выбирать конденсатор так, чтобы Таблица 7
емкость была больше или равна расчетному значению, номинальное напряжение Uраб. больше или равно 1,5 U0, а допустимая величина пульсации на частоте преобразования (для схемы рисунка 7 на двойной частоте преобразования) больше Uвых. m . В противном случае следует выбирать Сн на большее рабочее напряжение, либо переходить к другому типу конденсатора. Пример записи: Конденсатор К50-29-16В-68мкф±20%. Для конденсаторов К50-29 и К50-35 (таблица П.4.) указана амплитуда переменной составляющей пульсирующего напряжения в вольтах или процентах от номинального напряжения для частоты 50 Гц. Для других частот она не должна превышать значений, вычисленных по формуле Uf = Uf50· К,
где Uf50 – амплитуда переменной составляющей пульсирующего напряжения на частоте 50 Гц при температуре 40°С; К – коэффициент снижения амплитуды переменной составляющей пульсирующего напряжения в зависимости от частоты (рисунок П.1). Для конденсатора К50-53 (таблица П.5.) указан допустимый пульсирующий ток частоты 100 Герц - I (100Гц), который можно пересчитать в напряжение пульсаций такой же частоты: U(100Гц) = I (100Гц)/(2p·100· Сн). Зависимость допустимого действующего значения тока от частоты представлена на рисунке П.2. Пульсации напряжения более высокой частоты f находим по формуле: Uf = K· U(100Гц) · 100/f, где K = If / I (100Гц). Очевидно, что для выбранного типа конденсатора Uf должно быть больше или равно Uвых. m. Для конденсаторов К53-14 и К53-22 (таблица П.6) указывается амплитуда переменной составляющей напряжения пульсаций, но её зависимость от частоты отличается от рассмотренных ранее и отображается на рисунках П.3. (К53-14) и П.4 (К53-22). Для схемы рисунка 6 при определении значения емкостей конденсаторов С1 и С2 следует задаться значениями DUc1 и DUc2(DUc1£0,1Uвх; DUc2£0,1U0). Затем по таблицам П.4…П.6. или по справочнику [1], [7] выбираем с учетом вышеизложенных рекомендаций стандартные конденсаторы, при этом следует иметь в виду, что Uc1 раб ³ 1,5 Uвх. макс.; Uc2 раб ³ 1,5 U0. 2. Определяем приращение тока дросселя (для схемы рисунка 6 DIL1, DIL2). 3. По ранее выбранному значению КПД преобразователя определяем значение максимального тока коллектора Iк1 макс транзистора VT1 (транзисторов VT1, VT2, для схемы рисунка 7). 4. По выражениям таблицы 7 определяем максимальное значение напряжения на закрытом транзисторе Uкэ1 макс. Для схемы рисунка 2 величина W1 / Wp находится из соотношения W1 / Wp = gмакс / (1-gмакс). 5. По вычисленным значениям Iк1 макс, Uкэ1 макс и заданной частоте преобразования fn из таблиц П.7, П.8 выбираем тип транзистора [1], [7]. При выборе биполярного транзистора необходимо, чтобы Uкэ макс ³ 1,2Uкэ1 макс; Iк ³ Iк1 макс; tсп £ (0,05…0,1) / fn. Для выбранного типа биполярного транзистора определяем значения напряжения коллектор-эмиттер в режиме насыщения Uкэ нас. Напряжение база-эмиттер насыщения принимаем равным U бэ нас » 0,8 В. Время выключения транзистора tвыкл = t рас + tсп, где t рас – время рассасывания неосновных носителей в полупроводниковой структуре, tсп – время спада. При отсутствии каких -либо данных, принимаем tсп = tвкл = t рас . При выборе полевого транзистора из таблицы П.8 необходимо, чтобы UСИ ³ 1,2 U кэ1 макс; Ic макс > Iк1 макс. Для выбранного типа полевого транзистора определяем сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R си откр). 6. В случае выбора биполярного транзистора, задавшись коэффициентом насыщения Кнас = 1,2…1,3, определяем по выражению таблицы 7 максимальное значение мощности Рк, рассеиваемой транзистором. Убеждаемся в возможности использования выбранного транзистора по мощности при заданной температуре окружающей среды из условия Рк макс > 1,2 Рк. Если последнее неравенство не выполняется, то необходимо предусмотреть параллельное соединение нескольких транзисторов либо выбрать другой тип транзистора. Для полевого транзистора максимально допустимая мощность определяется выражением Рст макс = I2с макс Rси отр . Используя данные таблицы П.8 (Рмакс) проверяем возможность использования по мощности выбранного типа транзистора из условия Рмакс > Р ст макс. 7. На основании выражений таблиц 7 и 8 определяем параметры диодов VD1, VD2: среднее и максимальное значения тока диодов IVD1 макс, IVD2 макс, максимальное обратное напряжение на диодах UVD1 макс, UVD2 макс. Из таблиц П.9, П.10 или справочника [5] выбираем тип диодов VD1, VD2. Находим мощность, рассеиваемую на диодах - PVD1, PVD2. 8.Исходя из заданного значения нестабильности выходного напряжения d, определяем требуемый коэффициент передачи в контуре регулирования:
2.4.5. Расчет сетевого выпрямителя
1. На основании своего варианта задания выбираем схему сетевого выпрямителя (см. рисунок 8). 2. Находим среднее значение тока, потребляемого от сетевого выпрямителя Iвх = n21×I0 макс×gмакс .
3. По формулам таблицы 9 определяем требуемые параметры вентилей Iв ср, Uобр и , fд. Таблица 9 ©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.
|