Порядок выполнения работы.

4.1. Для исследования прямых ветвей вольтамперных характеристик диодов необходимо:

1) Включить источник питания макета;

2) Переключатель П2 установить в положение 1, подключив диод Д1;

3) Переключатель П7 установить в положение ;

4) Переключатель П6 установить в положение 30 мА;

5) Переключатель П1 установить в положение 10 и с помощью переменного резистора (плавно) установить ток диода равным 20÷25 мА;

6) Вход осциллографа присоединить к диоду для измерения постоянного напряжения ;

8) Изменяя переключателем П1 резисторы и фиксируя с помощью стрелочного прибора величину тока, протекающего через диод Д1, снять зависимость . Результаты измерений занесите в таблицу 1 вида.

	Табл. 1
Положение переключателя		Примечание
, мА		Диод Д1
, В
, мА		Диод Д2
, В
, мА		Диод Д3
, В
, мА		Диод Д4
, В

9) Повторить пункт 8 для диодов Д2, Д3 и Д4.

10) Полученные зависимости в виде . представить на одном графике. Поясните причины отличий вольтамперных характеристик диодов.

11) Для одного из диодов по выбору построить зависимости и , где - сопротивление диода по постоянному току и - дифференциальное сопротивление диода. Сделать вывод об их соотношении.

4.2. Для исследования обратной ветви вольтамперной характеристики стабилитрона необходимо:

1) переключатель П2 установить в положение 5, подключив диод Д5;

2) изменяя переключателем П1 резисторы и фиксируя с помощью стрелочного прибора величину тока, протекающего через диод Д5, снять зависимость . Результаты измерений занесите в таблицу 2 вида:

Табл.2
Положение переключателя
, мА
, В

3) Построить вольтамперную характеристику стабилитрона .

4) Для стабилитрона построить зависимость , где - дифференциальное сопротивление диода. Сделать вывод о соотношении дифференциального сопротивления на начальном участке вольтамперной характеристики стабилитрона и в области пробоя.

4.3. Исследование вентильных свойств диодов

Для исследования вентильных свойств диодов используется простейшая схема диодного ограничителя, изображенная на рис. 8.

Для ее получения достаточно на макете переключатель П1 поставить в положение 11, отключив тем самым напряжение источника питания и подать на вход синусоидальное напряжение с задающего генератора.

При отрицательной полуволне напряжения с задающего генератора диод оказывается включенным в прямом направлении и ток , протекающий через диод, создает на диоде небольшое падение напряжения в соответствии с вольтамперной характеристикой (участок 1 на рис.9.)

При положительной полуволне напряжения с задающего генератора диод оказывается включенным в обратном направлении, ток через диод равен , т. е. практически близок к нулю, и все падение напряжения выделяется на диоде ( участок 2 на рис.9.), что видно на экране осциллографа, затем процесс повторяется.

Чем меньше величина и чем меньше ток , тем лучше вентильные свойства диода. Вентильные свойства диодов можно оценить через коэффициент вентильных свойств, который определяется как отношение напряжений при прямом и обратном смещениях на диоде .

1.Порядок исследования вентильных свойств диодов:

1) Соберите схему диодного ограничителя, приведенного на рис. 8. Для ее получения достаточно переключатель П1 поставить в положение 11, отключив тем самым напряжение источника питания Переключатель П2 установить в положение 1, подключив диод Д1;

2) Подайте на вход ограничителя с функционального генератора синусоидальный сигнал с амплитудой 2 В и частотой 1 кГц. Включите установку и получите на экране осциллографа осциллограммы входного и выходного сигналов. Зарисуйте осциллограммы.

3) Замеряйте значения и для диода Д1 и занесите в таблицу 3 вида:

Табл. 3.
Диод	Д1	Д2	Д3	Д4	Д5


.

4) Повторите измерения для диодов Д2 – Д5.

4.4. Оформить отчет и сделать выводы по работе.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Ицкович В.М. Электроника. Учебное пособие. – Томск: Томский государственный университет, 2006. – 360 с.

2. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов. – 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2001.- 488 с.

⇐ Предыдущая 12