Основные параметры, ВАХ туннельного диода и его эквивалентная схема.
Рис.
Большинство основных электрических параметров туннельного диода определяется из его вольтамперной характеристики (см. рис. 8): I1 — максимальный туннельный ток, или пиковый ток; I2 — минимальный ток; ΔI= I1− I1 — перепад токов; u1 — напряжение, соответствующее максимальному току; u2 — напряжение, соответствующее минимальному току; u3 — напряжение, соответствующее диффузионному току, равному току максимума; Δu= u3 −u1 —скачок напряжения при переходе с туннельной ветви характеристики на диффузионную; Δu2 ≈u2 — скачок напряжения при переходе с диффузионной ветви на туннельную.
Производными параметрами являются величина отношения тока максимума к току минимума I1/I2 и средняя величина отрицательного сопротивления на падающем участке вольтамперной характеристики туннельного диода. Дополнительные параметры могут быть получены из эквивалентной схемы туннельного диода в области отрицательного сопротивления (рис. 9). Верхняя часть схемы содержит элементы собственно диода, а нижняя — элементы внешней цепи туннельного диода. Здесь R- представляет собой отрицательное сопротивление туннельного диода; С — емкость p-n -перехода, шунтирующая это сопротивление; r — объемное сопротивление материала прибора; L — индуктивности выводов; rвн, Lвн —элементы, учитывающие параметры внешних проводов и внутренние параметры источника. Следует отметить, что из-за сильного легирования материала время жизни носителей будет очень мало, а значит будет мала и диффузионная емкость. Основную долю емкости C будет составлять емкость p-n-перехода, которая зависит от напряжения на переходе следующим образом:
где Cо — значение емкости при нулевом напряжении на переходе; φk — контактная разность потенциалов. Важным параметром туннельного диода, позволяющим сравнивать приборы, изготовленные из различных материалов, является отношение тока максимума диода к емкости I1/C, называемым фактором качества. ©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.
|