Главная | Обратная связь

ЗП – зона проводимости

ЛАБОРАТОРНАЯ PAБOTA 1

Исследование полупроводниковых диодов

 

Цель работы: Изучение принципа действия, конструкции германиевых и кремниевых полупроводниковых диодов. Снятие их статических характеристик.

 

Основные теоретические положения Главными свойствами, обуславливающими широкое применение электронных устройств, является высокая чувствительность, большое быстродействие и универсальность.

Чувствительностьэлектронных устройств, называемая пороговой, определяется абсолютным значением входной величины, при котором они начинают работать. Пороговая чувствительность современных электронных устройств составляет: 10^-17 А по току, 10^-13 по напряжению,10^-24 Вт по мощности.

Большое быстродействие электронных устройств имеет важное значение при автоматическом регулировании, контроле и управлении быстропротекающими процессами, достигающих долей микросекунды.

Универсальностьзаключается в том, что в электрическую энергию, на изменении которой основано действие всех видов электронных приборов, сравнительно легко преобразуются в другие виды энергии: механическая, тепловая, акустическая, атомная и др. Подобная универсальность очень важна для промышленной электроники, так как в промышленности используются все виды энергии.

 

Для проводников не существует запретной зоны.

В полупроводнике ширина запретной зоны около 3 эВ

У диэлектриков ширина запретной зоны около 12 эВ. В результате электрон не может преодолеть запрещенную зону, поэтому тока в диэлектрике не существует до напряжения пробоя. Свойства материала (проводимость) зависят от внешних условий (t°, поглощение различных излучений)

ЗП – зона проводимости

ЗЗ – запрещённая зона

ЗВ – валентная зона

При увеличении t⁰, сопротивление в проводнике увеличивается, а в полупроводниках - уменьшается.

 

При 0⁰К движения нет; все материалы — диэлектрики, но при 4⁰К наблюдается явление сверхпроводимости. Чем больше t°, тем больше энергия, тем больше проводимость. Проводимость увеличивается в 2 раза при изменении t° на 10°. Для снижения температурной зависимости существуют примеси.

Пример полупроводников Ge, In, Si, арсенид Ga.

.

Пример донорной примеси: Sb, As, B. Примесь добавляется в соотношении 1 : 1000000.

Электрон в атоме двигается за счёт диффузии и за счёт электромагнитного поля. Существует дрейфовый и диффузионный ток.

Полупроводник, получивший донорную примесь, называется полупроводником n-типа (основной носитель заряда - электрон) С точки зрения квантовой теории скорость движения дырки и электрона одинаковы. На практике длина свободного пролета электрона в два раза больше, чем у дырки, поэтому полупроводники n-типа являются более высокочастотными и применяются чаще.

Полупроводник, получивший акцепторную примесь, называется полупроводником p-типа (основной носитель заряда - дырка). .

Принцип действия диода основан на свойствах p-n-переходов, образуемых в результате полупроводников с различным типом проводимости или контакта полупроводника с металлом (диод Шотки).

Р-n переход.В основу действия р-n перехода полупроводниковых диодов положен принцип действия р-n перехода, который получается в результате внедрения в полупроводник различных типов примесей (донорную и акцепторную). В результате диффузии на границе раздела образуется р-n переход с объемным зарядом и напряженностью Е.

Свойства р-n перехода. При соединении полупроводников с различными типами проводимости идет диффузия основных носителей зарядов в прилегающей к границе области с противоположным типом проводимости. Процесс будет идти, пока не возникнет объемный заряд р-n перехода, уравновешивающий объемные заряды полупроводников. На границе возникает потенциальный барьер, величина которого будет определяться внешним электрическим полем. Рассматривая зависимость тока от внешнего приложенного напряжения U , получим:

I-ток, протекающий через диод

-тепловой ток

-тепловой потенциал

Важным параметром р-n перехода является дифференциальное сопротивление

Временные характеристики р-n перехода. При прямом включении р-n перехода идет процесс накопления неосновных носителей заряда и заряда емкости р-n перехода. После смены полярности питающего напряжения направление тока через переход изменится, а его значение будет характеризоваться переходом неосновных носителей заряда под действием внешнего электрического поля. Это время называют временем рассасывания неосновных носителей заряда в базе, т.к. база характеризуется более высоким удельным сопротивлением, чем эмиттер. В качестве базы могут выступать как анод, так и катод. По окончании идет перезаряд емкости р-n перехода. Перезаряд описывается эксоненциальным законом, и время заряда характеризуется постоянной времени цепи .

R-суммарное сопротивление внешней цепи и дифференциального сопротивления полупроводника

С-емкость р-n перехода

Процесс считается завершенным, если его время . Тогда величина тока или напряжения достигает 0.96 от установившегося значения. Для ускорения процесса перехода от закрытого состояния в открытое, и наоборот, нужно уменьшить время рассасывания неосновных носителей заряда. Это осуществляется путем подключения диодов Шоттки к р-n переходу.

Математическая модель полупроводникового диода. Математическая модель полупроводниковых диодов основана на физических явлениях, происходящих в р-n переходе и описываемых известными физическими законами. На это требуется сложный математический аппарат, учитывающий многие факторы, влияющие на параметры диода. Максимально простой способ получения математической модели- аппроксимация полученных выходных характеристик и на их основе решение уравнений с помощью известных законов электротехники, Для идеального р-n перехода, т.к. приращение тока равно бесконечности при нулевом приращении напряжения, дифференциальное сопротивление р-n перехода равно нулю. В этом случае схема замещения представляет собой короткозамкнутый р-n переход.