 |
|
Задубливание фоторезиста.
Химико-механическая подготовка поверхности заготовки.
Подготовка поверхности заготовок механическим способом обычно выполняется вручную зачисткой венской известью в смеси с маршалитом. Процесс зачистки ведется с помощью хлопчатобумажного тампона.
Химический способ выполняется вручную и заключается в обезжиривании поверхности в растворе тринатрийфосфата и кальцинированной соды.
 |
Получение рисунка печатного монтажа.
Нанесение фоторезиста.
Нанесение фоторезиста осуществляется методом окунания или полива заготовки с последующим центрифугированием на стандартных центрифугах типа ПНП-6Ц, а также на специальных установках для нанесения фоторезиста.
Чаще всего применяют фоторезист на основе поливинилового спирта состава:
ПВС-1 — 70…90 г/л;
Аммоний двухромовокислый — 10…15 г/л;
Поверхностно-активные вещества ОП-10 или ОП-7 — 5 г/л;
Спирт этиловый (ректификат) — 30…50 г/л.
К недостаткам приведенного фоторезиста следует отнести: малую разрешающую способность (20…40 линий/мм), нестабильность светочувствительности и малую кислотостойкость, которые колеблются в широких пределах и часто становятся причиной брака плат. Качество изготавливаемой фотоэмульсии зависит, главным образом, от качества поставляемого поливинилового спирта ПВС-1.
За рубежом наиболее распространен сухой пленочный фоторезист марки “Riston” фирмы “Dupont” – США. Этот фоторезист имеет высокую разрешающую способность. В нашей стране также используется сухой пленочный фоторезист марки СПФ.
В нашем техпроцессе будем использовать фоторезист марки СПФ и установку нанесения пленочного фоторезиста типа “Leminator-250”.
Экспонирование.
Экспонирование рисунка схемы (фотопечать) производится групповым методом в специальных вакуумных рамах с двусторонней засветкой.
Копировальная рама может быть выполнена с лампами РПК-7 и П1Н-20, которые выбираются в зависимости от условий производства.
Лампы РПК-7 образуют световой поток, насыщенный ультрафиолетовыми лучами, что позволяет сократить число ламп и время экспонирования. Одновременно повышается химическая стойкость фоторезистивного слоя за счет лучшего задубливания. Но лампы РПК-7 имеют один недостаток – они входят в рабочий режим примерно через 5 минут после включения.
Лампы П1Н-20 допускают возможность включения и выключения, но световой поток от них меньше и время экспонирования поэтому больше (20…40 минут).
Для экспонирования рисунка схемы стали использовать рамы новой конструкции с подвижным источником света, например установка типа
”Сканер” западногерманской фирмы “Вирдельхольд”. Подобные установки созданы и в отечественной промышленности. Характерной особенностью этих установок является то, что в них применяют мощные лампы со специально подобранной длиной волны, в которой наиболее чувствителен фоторезист. Время экспонирования в установках подобного типа сокращается до 4…5 минут.
В нашем ТП будем использовать установку типа КМП3.258.005.
3.2.3.3 Проявление.
Проявление изображения рисунка схемы производится вручную с помощью хлопчатобумажного тампона в кювете или под струей горячей воды, а также на специальных установках для проявления СПФ. Установкой для проявления вручную является лабораторный стол с рядом ванн, или кювет. Фоторезистивный слой проявляется в теплой воде при температуре 40…45˚С. Контролируется проявление окрашиванием эмульсии в растворе метилфиолета. В нашем ТП будет применяться специализированная установка для проявления СПФ типа “Processor-C” с дистиллятором С100.
Задубливание фоторезиста.
Полученное после проявления изображение задубливают. Дубление может производиться двумя способами: химическим и термическим.
Химическое задубливание проводится в растворе хромового ангидрида Cr2O3 с последующей промывкой и сушкой.
Термическое задубливание проводится 2 способами:
а) При использовании инфракрасного облучения. Температура при этом 150 ˚С, время операции 1…2 минуты;
б) Обычное задубливание в термошкафах при температуре 120…200 ˚С в течение промежутка времени от 20 минут до 2 часов.
Для задубливания фоторезиста следует применить термическое задубливание в термошкафу, т.к. этот способ является самым простым.