Главная | Обратная связь

Описание лабораторной установки

При определении диэлектрической проницаемости е сегнетоэлектрического конденсатора применяется следующая установка (см. рис.2.1).

С1 = 0.1мкФ

Рисунок 2.1. Схема электрическая принципиальная лабораторной установки для исследования сегнетоэлектрического конденсатора.

На сегнетоэ

лектрический конденсатор подается постоянное напряжение смещения U_CM от источника напряжения GV1. Переключатель S1 предназначен для изменения полярности этого источника. Это напряжение через R1 поступает на сегнетоэлектрический конденсатор.

Переменное напряжение U_nepeM от источника GV2 поступает через конденсатор С/ на сердечник. Переключая S2 в положение 1 можно измерить напряжение U_nepeM в точке 3; а в положении 2 измеряется напряжение U_R2 на калиброванном резисторе R2.

Прибор PV1 служит для измерения установленного напряжения смещения.

При расчетах пользуются следующими приближениями:

· , поэтому частота выбирается низкой f= 1 кГц, при этом

диэлектрическая проницаемость определяется по формуле для плоского конденсатора:

· , где С - емкость исследуемого сегнетоэлектрического конденсатора,

d—толщина сегнетоэлектрика.

· U_se =Uс_иссл =U_перем—U _R2, — пренебрегают напряжениями

подводящих проводников и другими явлениями, считая, что напряжение на сегнетоэлектрике точно равно напряжению, измеряемому в опыте. Пренебрегая активной проводимостью образца, сегнетоконденсатора определяют по формуле

,где

Откуда получают окончательную формулу для расчета диэлектрической проницаемости: (2.1)

З.Данные, необходимые для расчетов

Частота GV2 f=1кГц

Толщина сегнетоэлектрика d=0,5 мм

Площадь обкладок конденсатора S=3 мм²

Сопротивление R2=lкОм

Диэлектрическая проницаемость e₀=8,8541878-10^-12 Ф/м