Главная | Обратная связь

Основные теоретические положения

Лабораторна робота 2.

Дослідження властивостей напівпровідникового діоду

Цель работы: Изучение принципа действия, конструкции германиевых и кремниевых полупроводниковых диодов. Снятие их статических характеристик.

 

Основные теоретические положения

Принцип действия диода основан на свойствах p-n-переходов, образуемых в результате полупроводников с различным типом проводимости или контакта полупроводника с металлом (диод Шотки).

Р-n переход.В основу действия р-n перехода полупроводниковых диодов положен принцип действия р-n перехода, который получается в результате внедрения в полупроводник различных типов примесей (донорную и акцепторную). В результате диффузии на границе раздела образуется р-n переход с объемным зарядом и напряженностью Е.

Свойства р-n перехода. При соединении полупроводников с различными типами проводимости идет диффузия основных носителей зарядов в прилегающей к границе области с противоположным типом проводимости. Процесс будет идти, пока не возникнет объемный заряд р-n перехода, уравновешивающий объемные заряды полупроводников. На границе возникает потенциальный барьер, величина которого будет определяться внешним электрическим полем. Рассматривая зависимость тока от внешнего приложенного напряжения U , получим:

I-ток, протекающий через диод

-тепловой ток

-тепловой потенциал

Важным параметром р-n перехода является дифференциальное сопротивление

Математическая модель полупроводникового диода. Математическая модель полупроводниковых диодов основана на физических явлениях, происходящих в р-n переходе и описываемых известными физическими законами. На это требуется сложный математический аппарат, учитывающий многие факторы, влияющие на параметры диода. Максимально простой способ получения математической модели- аппроксимация полученных выходных характеристик и на их основе решение уравнений с помощью известных законов электротехники, Для идеального р-n перехода, т.к. приращение тока равно бесконечности при нулевом приращении напряжения, дифференциальное сопротивление р-n перехода равно нулю. В этом случае схема замещения представляет собой короткозамкнутый р-n переход.

Набор задаваемых параметров для диодов в Multisim:

IS – обратный ток;

RS – сопротивление диода;

CJO – баръерная емкость диода при нулевом напряжении на переходе;

TT – время переключения;

N — коэффициент инжекции;

ЕG — ширина запрещенной зоны, эВ;

FC — коэффициент нелинейности барьерной емкости прямо смещенного перехода;

BV —напряжение пробоя, В;

IBV — начальный ток пробоя при напряжении BV;

ХТI — температурный коэффициент тока насыщения;

КF — коэффициент фликкер-шума;

AF — показатель степени в формуле для фликкер-шума;

TNOM — температура диода, С.