Здавалка
Главная | Обратная связь

Построение синусоиды



 

В огибающие и вписывается синусоида . Синусоида вписывается следующим образом: от начальной фазы откладывается период свободной составляющей Т = 8 τ и делится на четыре равных отрезка. Конец каждого отрезка представляет свою характерную точку синусоиды. Конец 1-го – максимум синусоиды; конец 2-го и 4-го – нули, синусоида пересекает ось времени; конец 3-го - минимум синусоиды. Максимумы и минимумы синусоиды ограничены огибающими. В результате получаем модулированное колебание свободной составляющей тока i2св(t) по амплитуде, рисунок 6.

Аналогично вписывается синусоида в огибающие для свободной составляющей переходного напряжения на катушке индуктивности uLсв(t), рисунок 7.

 

Построение принужденной составляющей

 

Принужденная составляющая для тока i2пр является постоянной величиной, которая на графике, рисунок 6, представлена в виде прямой линии.

Принужденная составляющая для напряжения на катушке индуктивности отсутствует.

 

 

5.7 Построение результирующей кривой для переходной величины

 

Графическим сложением кривых принужденной составляющей i2пр и свободной i2св получим результирующую кривую переходной величины i2(t). Результирующая кривая для переходного напряжения на катушке индуктивности uL(t), в виду отсутствия принужденнойсоставляющей uLпр(t),будет равна свободной, рисунок 7.

Рисунок 6 – Графики принужденной, свободной составляющих и результирующей переходного тока через катушку индуктивности i2(t).

Рисунок 7 – График переходного напряжения на катушке индуктивности uL(t).

ПРИМЕР 2.

 

Для схемы, представленной на рисунке 1, определить законы изменения переходных токов через катушку индуктивности и конденсатор операторным методом.

 

Решение.

 

1 Составление операторной схемы замещения

 

Операторная схема замещения составляется для момента времени , схема после коммутации. Предварительно преобразуем источник тока в источник ЭДС, рисунок 8.

 
 

 

Рисунок 8

 

 







©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.