Главная | Обратная связь

Основные термины и определения.

Раздел 4. Типовые маршруты изготовления структур интегральных микросхем (ИМС)

Основные термины и определения.

Интегральная микросхема (ИМС) – это микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования, обработки сигнала и(или) накапливание информации и имеющее высокую плотность установки электрически соединенных элементов(или элементов и компонентов), которое с точки зрения поставки и эксплуатации рассматривается как единое целое.

Элемент – это часть микросхем (как гибридной, так и полупроводниковой), которая выполняет функцию какого-либо радиоэлемента, но не может поставляться как отдельное изделие, например: резистор, конденсатор, транзистор, диод, элемент памяти, логический элемент. Они электрически связаны с общей подложкой.

Компонент - это часть гибридной микросхемы, которая выполняет функцию какого-либо радиоэлемента, но может быть выделена как самостоятельное изделие, например: бескорпусные диоды, транзисторы, специальные типы конденсаторов, которые устанавливаются на подложке микросхем.

Критерием оценки сложности микросхемы, т.е. числа N содержащихся в ней элементов и компонентов является степень интеграции.

Степень интеграции определяется коэффициентом K=lgN, значение которого округляется до большего целого числа.

Так, например, микросхема первой степени интеграции (К=1) содержит до 10 элементов и простых компонентов lg10=1, микросхема 2 степени интеграции (К=2) содержит то 10 до 100 элементов, 3 степени интеграции К=3 от 100 до 1000 элементов и т.д.

В настоящее время микросхему, содержащую 500 элементов (биполярную ИМС) или > 1000 элементов (МДП – ИМС) – называют большой интегральной микросхемой (БИС).

Если число элементов превышает 10000, то микросхему называют сверхбольшой (СБИС).

Классификация ИМС

1) По функциональному назначению различают следующие виды ИМС:

а) Аналоговые (сигналы изменяются по закону непрерывной функции);

б) Цифровые (сигналы изменяются по закону дискретной функции).

2) По конструктивно-технологическому признаку, который учитывает конструкцию (структуру) ИМС и способ её технологического изготовления, различают:

- полупроводниковые ИМС (в том числе совмещенные ИМС);

- пленочные ИМС;

- гибридные интегральные схемы (ГИС).

В полупроводниковой ИМС - все элементы и соединения выполнены в объеме и на поверхности полупроводника

 

 

В совмещенной ИМС активные элементы выполнены в полупроводнике, а пассивные элементы в виде пленок на предварительно изолированную поверхность такого же кристалла.

 

Пленочная ИМС – это микросхема, которая cодержит пассивные эелементы (резисторы, конденсаторы и др.), выполненные в виде пленок, нанесенных на диэлектрическую подложку. Различают тонкопленочные (толщина пленок 1-2 мкм) и толстопленочные (толщина пленок 10-20 мкм и выше)).

Гибридная микросхема (гибридная интегральная микросхема (ГИС)) содержит пленочные пасивные элементы (конденаторы, резиторы, индуктивноти) и навесные компоненты (бесорпусные транзисторы, диоды), расположенные на поверхости диэлектричекой подложки.