Описание виртуальной лабораторной установки.
Виртуальная лабораторная установка для исследований показана на рисунке 3. Она содержит следующие основные элементы: • источник постоянного напряжения (240 В); • активно-емкостную нагрузку (R, С); • последовательную накопительную индуктивность (дроссель) (Series L); • обратный диод (Diode); • измерители мгновенных токов в источнике питания (I1) и нагрузке (I Load); • измеритель мгновенного напряжения на нагрузке (V Load); • блок для измерения среднего значения тока питания (Fourier I1); • блок для измерения среднего значения тока нагрузки (Fourier I0) • блок для измерения среднего значения напряжения на нагрузке (Fourier U0); • блок для измерения действующего значения тока силового полупровод-никового модуля (RMS T); • блок для наблюдения (измерения) мгновенных значений тока в цепи питания, тока нагрузки и напряжения на нагрузке (Scope); • блок для наблюдения (измерения) мгновенных значений тока и напряжения силового модуля (Scope 1); • блок для измерения величины среднего значения тока в цепи питания (Display 1); • блок для измерения величин средних значений тока и напряжения на нагрузке, а также действующего тока в силовом полупроводниковом модуле (Display); • силовой транзисторный модуль на MOSFET-транзисторе с обратным диодом (Mosfet); • импульсный генератор (Pulse Generator) для управления модулем.
Рис. 3. Модель понижающего регулятора постоянного напряжения
Окно настройки параметров силового полупроводникового модуля показано на рисунке 4. В полях настойки заданы: • динамическое сопротивление полупроводникового транзистора открытом состоянии в омах (Ron, Ohms); • индуктивность транзистора в открытом состоянии в генри (Lon, H); • сопротивление обратного диода в открытом состоянии в омах (Rd); • начальный ток в модуле; • параметры демпфирующих цепей (Snubber resistance, Snubber capacitance).
Рис. 4. Окно настройки параметров силового модуля
Параметры генератора задаются в окне параметров (рис. 5). В исследуемой модели установлены следующие параметры генератора: • период напряжения T0 = 0,001 с. (частота f0 = 1000 Гц); • амплитуда напряжения – 1 B; Рис. 5. Окно настройки параметров генератора
Окно настройки параметров нагрузки показано на рис. 6. Для реализации активно-емкостной нагрузки в параллельной R, L, C-цепи в первом и третьем полях (Resistance R, Ohms, Capacitanc С, F) устанавливается значение активного сопротивления в омах и емкости в фарадах, во втором поле (Inductance L, H) – бесконечность (inf). В окнах настройки параметров блоков Fourier I1, Fourier I0, Fourier Ul (рис. 3) устанавливается частота равная частоте напряжения генератора (1000 Гц) и номер нулевой гармоники. Окно блока для измерения действующего тока в полупроводниковом модуле показано на рис. 7. В поле окна вводится частота, на которой производится измерение (в данном случае – это частота генератора).
Рис. 6. Окно настройки параметров нагрузки
Рис. 7. Окно блока для измерения действующего тока
©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.
|