Главная | Обратная связь

Особенности монтажа и эксплуатации полупроводниковых приборов

Полупроводниковые приборы имеют в большинстве случаев гибкие выводы. Поэтому их включают в схему путем припайки. Пайку выводов производят на расстоянии не менее 10 мм от корпуса полупроводникового прибора (от вершины изолятора) с помощью низкотемпературного припоя. Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 3 — 5 мм от корпуса (рис. 90). Процесс пайки должен быть кратковременным (не более 10 сек). Мощность паяльника не должна превышать 50—60 Вт. Припаиваемый вывод плотно зажимают плоскогубцами. Плоскогубцы в данном случае играют роль теплоотвода. Необходимо следить за тем, чтобы нагретый паяльник даже на короткое время не прикасался к корпусу полупроводникового прибора. Капли припоя также не должны на него попадать.

Во избежание перегрева полупроводниковых приборов не следует располагать их вблизи силовых трансформаторов, электронных ламп и других излучающих тепло деталей аппаратуры. Желательно снижать рабочую температуру прибора. Если она будет на 10°С ниже предельной, то число отказов снижается вдвое. Крепление полупроводниковых приборов на выводах не рекомендуется, особенно если аппаратура может находиться в условиях вибрации. Рабочие напряжения, токи и мощности должны быть ниже предельных величин.

Срок службы диодов удлиняется, если их эксплуатировать при обратных напряжениях не свыше 80% предельно допустимых.

Нельзя допускать короткого замыкания выпрямителя на полупроводниковых диодах (испытания «на искру»). Это может привести к повреждению диодов. Полупроводниковый диод может быть поврежден, если на него включить напряжение в пропускном направлении (даже от одного аккумуляторного элемента) без последовательно включенного ограничительного сопротивления.

Транзисторы не должны даже короткое время работать с отключенной базой. При включении источников питания вывод базы транзистора должен присоединяться первым (при отключении — последним).

Нельзя использовать транзисторы в режиме, когда одновременно достигаются два предельных параметра (например, предельно допустимое напряжение коллектора и одновременно предельно допустимая рассеиваемая им мощность).

Срок службы транзистора удлиняется и надежность его работы увеличивается, если при его эксплуатации напряжение коллектора не превышает 80% предельно допустимой величины.

При работе транзистора в условиях повышенных температур нужно обязательно снижать рассеиваемую мощность и напряжение на коллекторе.

Необходимо следить за тем, чтобы подаваемое на транзистор питающее напряжение было правильной полярности (например, нельзя включать положительный полюс напряжения на коллектор транзистора p—n—p—типа или отрицательный на коллектор транзистора n—p—n—типа). Чтобы по указанной причине транзистор не пришел в негодность при установке его в схему, нужно твердо знать, какого он типа: p—n—p или n—p—n.

Если необходимо удалить транзистор из схемы (или включить его в схему), нужно предварительно выключить питание схемы.