Здавалка
Главная | Обратная связь

Класифікація та система позначень діодів



Напівпровідниковий діод – це електроперетворювальний напівпровідниковий прилад з одним електричним перехо­дом та двома виводами.

Залежно від області використання розрізняють випрямні, універсальні (високочастотні), імпульсні, надвисокочас­тотні, тунельні, обернені діоди, варикапи, стабілітрони, фото- та світлодіоди. За типом переходу розрізняють площинні та точкові діоди. Площинні діоди мають - перехід, лінійні розміри якого, що визначають площу переходу, значно перевищують його товщину. До точкових належать діоди, лінійні розміри переходу яких менші від товщини запірного шару.

Система позначень діодів, прямий струм яких не перевищує 10А, згідно з ГОСТ 10862-72 має 6 елементів.

Перший елемент – літера або цифра, яка визначає вихідний матеріал виготовлення. При цьому літера вживається для приладів, які призначено до застосування в пристроях широкого використання, а цифра – для діодів у пристроях спеціального використання. Наприклад, Г або 1 – германій або його сполуки, К або 2 – кремній або його сполуки, А або 3 – сполуки галію.

Другий елемент – літера, яка визначає підклас приладу. Наприклад, Д – випрямний, імпульсний або універсальний діоди, С – стабілітрони, В – варикапи, ФД –фотодіоди, Л – світлодіоди, И (І) – тунельні або обернені діоди.

Третій елемент – цифра від 1 до 9, що вказує на призначення приладу.

Четвертий та п’ятий елементи (від 01 до 99) - порядковий номер розробки.

Шостий елемент – літера від А до Я – вказує на параметричну групу технологічного типу.

Стабілітрони мають свою особливу систему позначень, яка відрізняється від попередньої третім, четвертим та п’ятим елементами згідно з таблицею 2.1.

Таблиця 2.1

Елемент позначення Напруга стабілізації
Третій елемент:      
Четвертий та п’ятий елементи Від 01 до 99 (четвертий елемент вказує на ціле число, а п’ятий – на десяті частки напруги стабілізації) Від 10 до 99 (позначають номінальну напругу стабілізації у вольтах) Від 00 до 99 (позначають різницю між напругою стабілізації та 100В)

 

Система позначень діодів, розроблених до 1964 р., має два або три елементи. Перший елемент – літера Д. Другий елемент – цифра, що вказує на класифікаційну групу діодів. Третій елемент – літера, що характеризує різновид діода в даній групі.

Випрямні діоди

Випрямні діоди (ВД) призначені для випрямлення змінного струму і складають найбільш поширений підклас діодів. Залежно від значення середнього випрямленого струму розрізняють:

- ВД малої потужності ( 0,3А; третій елемент позначень – 1);

- ВД середньої потужності (0,3А< 10А; третій елемент позначень – 2);

- ВД силової ( 10А).

Робочі частоти ВД малої та середньої потужностей не перевищують 20 кГц, силові діоди працюють на частоті 50Гц.

Оскільки допустима густина струму через - перехід , то для одержання названих значень використовують площинні - переходи, виготовлені сплавним або дифузійним способом. Велика ємність таких переходів не впливає істотно на роботу ВД у названому діапазоні частот.

З метою стабілізації параметрів ВД при дії на них вологи, атмосферного тиску, забруднення, зміни температури діоди поміщають у металево-керамічний або металево-скляний корпус, який забезпечує ефективне відведення теплоти, що виділяється на - переході.

У ВД малої потужності тепло розсіюється безпосередньо корпусом (діод 2Д207, КД108, Д226 тощо). У ВД середньої потужності тепло відводиться масивним гвинтом, за допомогою якого діод прикріплюється до шасі апаратури, яке виконує функцію радіатора. З метою запобігання електричному контакту між діодом і корпусом застосовують різноманітні ізоляційні прокладки, а також шайби з високою теплопровідністю. До таких діодів належать, наприклад, 2Д216, КД203, Д231. Для силових діодів потрібне примусове повітряне або водяне охолодження, яке здійснюється спеціальними радіаторами.

Згадані діоди здатні випрямляти змінний струм порівняно невисокої напруги (до 500 - 700В). З метою випрямлення більш високої напруги використовують послідовне з’єднання діодів у спеціальних випрямних стовпах та блоках, що виготовляються в уніфікованих корпусах і мають елемент позначення - літеру Ц.

ВАХ кремнієвих та германієвих діодів відрізняються одна від одної (рис. 2.1).

Рисунок 2.1 – ВАХ випрямних діодів

Оскільки ширина ЗЗ у кремнію більша, ніж у германію, то зворотний струм германієвого діода більший, ніж кремнієвого, при однаковій конструкції та потужності. Повна відсутність ділянки насичення на зворотній гілці ВАХ кремнієвого діода пояснюється у п. 1.2.6. У зв’язку з більшим у германієвих діодах більш імовірний тепловий пробій, у кремнієвих – лавинний.

Для області малих значень рівняння теоретичної ВАХ (1.30) при використанні перших двох членів розкла­дення в ряд Тейлора функції набирає вигляду

. (2.1)

З (2.1) випливає, що крутизна прямої гілки ВАХ пропорційна зворотному струму. Тому в германієвих діодів крутизна характеристики при малих більша. Крім того, оскільки зворотний струм кремнієвого діода менший, його прямий струм, який дорівнює прямому струму германієвого діода, досягається при більших прямих напругах. Тому потужність, що розсіюється при однакових струмах, у германієвих діодів менша, ніж у кремнієвих.

Струм насичення і струм генерації діодів істотно залежать від температури навколишнього середовища. Для струму насичення справедлива при температурі Т рівність

, (2.2)

де – струм насичення при температурі ;

1/К – для германію;

1/К – для кремнію.

Для приблизної оцінки можна вважати, що при зростанні температури на 10 С зворотний струм германієвих діодів зростає вдвічі, а кремнієвих – у 2,5 рази. Незважаючи на те, що швидкість зростання кремнієвих діодів зі збільшенням температури більша, абсолютний приріст струму германієвих приладів під час нагрівання до однієї й тієї самої температури значно більший. Ця обставина призводить до того, що при збільшенні температури значення зворотної напруги, за якої відбувається тепловий пробій германієвих діодів, зменшується. У кремнієвих діодах, навпаки, зі зростанням температури пробійна напруга лавинного пробою збільшується. Це пояснюється тим, що в кремнію з підвищенням температури зростає теплове розсіювання рухомих носіїв, зменшується довжина їх вільного пробігу, і для того щоб електрон упродовж меншого шляху набув кінетичної енергії, достатньої для іонізації нейтральних атомів, треба мати більше прискорювальне поле.







©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.