Главная | Обратная связь

Позначення основних величин

 

DW – ширина забороненої зони

ρ – питомий опір

Т – абсолютна температура

W_ф – енергетичний рівень Фермі

DW_Д, DW_А – енергія активації донорів, акцепторів

N_Д , N_А – концентрація донорів, акцепторів

– власна концентрація електронів дірок

– концентрація електронів у n - області

– концентрація електронів у p - області

– концентрація донорів у n - області

– концентрація донорів у p - області

, – середня тривалість життя електрона, дірки

, – коефіцієнти дифузії дірок, електронів

q – заряд електрона

– час

Т – абсолютна температура

k – стала Больцмана

– середня швидкість дрейфу

– рухомість електронів, дірок

j – густина струму

j_др, j_диф – густина струму дрейфова, дифузійна

– контактна різниця потенціалів

– пряма напруга

– зворотна напруга

E_диф – дифузійне електричне поле у p-n –переході

– прямий струм

– зворотний струм

– струм насичення

– струм генерації

– струм поверхневого витоку

– бар’єрна ємність

– дифузійна ємність

– електрична стала

– відносна діелектрична проникність

– розподілений опір областей бази

– диференціальний опір переходу

, , – робота виходу електрона з металу, з напівпровідників n- та p- типу

P – потужність

– диференціальний опір стабілітрона

– прямий диференціальний опір

– зворотний диференціальний опір

– ємність варикапа

– температурний коефіцієнт напруги стабілізації

– ширина активної області бази

, – дифузійна довжина електронів, дірок

– площа емітерного переходу, колекторного переходу

– напруга між емітером і колектором

– напруга між емітером і базою

– напруга між базою і емітером

– напруга між колектором і емітером

– струм емітера

– струм бази

– струм колектора

– зворотний(тепловий) струм емітера

– зворотний(тепловий) струм колектора

, –діркова, електронна складова емітерного струму

– температурний потенціал

– коефіцієнт інжекції

– рівноважна концентрація дірок як неосновних носіїв (у базі)

– концентрація дірок у базі біля емітерного переходу

– концентрація дірок у базі біля колекторного переходу

– координата активної області бази

– дірковий струм колектора

– коефіцієнт перенесення носіїв через базу

– керована складова колекторного струму

М – коефіцієнт множення носіїв у колекторному переході

– статичний коефіцієнт передачі струму емітера в схемі зі спільною базою

– статичний коефіцієнт передачі струму бази в схемі зі спільним емітером

– напруга пробою на колекторному переході

– рекомбінаційна складова базового струму

– некерована складова колекторного струму в схемі зі спільним емітером

– статичний коефіцієнт передачі струму бази в схемі зі спільним колектором

– вхідна та вихідна напруга

– вхідний та вихідний струм

– напруга між базою і колектором

– тепловий опір

– максимальна потужність, що розсіюється колектором

– товщини емітерного та колекторного переходів

– вхідний опір

– коефіцієнт зворотного зв’язку

– коефіцієнт передачі струму

– вихідна провідність

– диференціальний опір емітерного переходу

– диференціальний опір колекторного переходу

– розподілений (об’ємний) опір бази

– диференціальний коефіцієнт передачі струму емітера

– ємність роздільного конденсатора

– ЕРС емітерного джерела живлення

– ЕРС колекторного джерела живлення

– струм, що протікає через роздільник напруги

– вхідний та вихідний опори каскаду

– коефіцієнти підсилення напруги, струму, потужності

– опір джерела вхідного сигналу

– опір навантаження

j – уявна одиниця

– циклічна частота

– частота зрізу транзистора

– бар’єрна ємність колекторного переходу

– напруженість електричного поля

– коефіцієнт передачі струму складеного транзистора

– струм увімкнення, вимкнення

– напруга між стоком та витоком ПТ

– напруга між затвором та витоком ПТ

, – струм затвора, стоку ПТ

– напруга відсічки на затворі

– контактна різниця потенціалів

δ – товщина р-n – переходу

w_к – ширина каналу

– опір каналу

– довжина каналу

U_свпер – напруга перекриття каналу (на стоці)

U – напруга між стоком і затвором ПТ

– крутість польового транзистора

r_iпт – внутрішній опір ПТ

µ_пт – статичний коефіцієнт підсилення напруги

σ – питома електропровідність

р_і, n_i – власна концентрація дірок

Іс_поч – початковий струм стоку

µ_т – рухомість носіїв залежно від температури

r_ксер – середній опір каналу

– ємність між затвором і витоком, стоком і витоком, стоком і затвором ПТ

ω_з – гранична частота ПТКП (частота затвора)

Q_’0’,Q_’1’ – нульовий та одиничний заряд потенціальних ям ПЗЗ

U_А, І_А – анодні напруга, струм

– опір навантаження

h_21б – статичний коефіцієнт передачі струму емітера БТ в схемі зі спільною базою

– напруга ввімкнення тиристора

– струм вимкнення (утримування) тиристора

– порогова напруга

Ф – світловий потік

– інтегральна світлочутливість фотоприймача

– фотострум

– темновий струм

– фотоЕРС

 

Список скорочень

 

ВАХ – вольт-амперна характеристика

ВД – випрямний діод

ВЗ – валентна зона

ЗЗ – заборонена зона

ЗП – зона провідності

ЕРС – електрорушійна сила

НП – напівпровідник

ОД – обернений діод

ТД – тунельний діод

ТКН – температурний коефіцієнт напруги

АР – активний режим

БТ – біполярний транзистор

ЕП – емітерний перехід

ІР – інверсний режим

КП – колекторний перехід

РВ – режим відсічки

РН – режим насичення

ССБ – схема зі спільною базою

ССЕ – схема зі спільним емітером

ССК – схема зі спільним колектором

ККД – коефіцієнт корисної дії

МДН – метал-діелектрик-напівпровідник

МОН – метал-окис-напівпровідник

НПП – напівпровідниковий прилад

ПЗЗ – прилад із зарядовим зв’язком

ПТ – польовий транзистор

ПТКП – польовий транзистор з керувальним

p-n – переходом

Список літератури

 

1 Батушев В.А. Электронные приборы. – М.: Высшая школа, 1980. – 383 с.

2 Булычёв А.Л. Электронные приборы. – М.: Воениздат, 1982. – 416 с.

3 Васильєва Л.Д., Медведенко Б.Г., Якименко Ю.І. Напівпровідникові прилади: Підручник. – К.: ІВЦ видавництво «Політехніка», 2003. – 388 с.

4 Воронков Э.Н. Твердотельная электроника doc. М.: МЭИ, 2002. – 181 с.

5 Гуртов В.А. Твердотельная электроника. – М.: Техносфера, 2008. – 478 с.

6 Гусев В.А. Твердотельная электроника. – М.: СевНТУ, 2004. – 635 с.

7. Евецкий В.Л., Новиков В.Ф. Электронные приборы и основы микроэлектроники: Основы микроэлектроники / Ч.II: Конспект лекций. – Киев: КВИРТУ ПВО, 1988. – 280 с.

8 Москатов Е. А. Электронная техника. – Таганрог, 2004. – 121 с.

9 Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. – М.: Высшая школа, 1987. – 433 с.

10 Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. – М,: Энергия, 1987. – 672 с.

11 Шкаев А.Г. Твердотельная электроника. Конспект лекций. Омск, изд. ОмГТУ, 2009. – 224 с.

12 Щука А. А. Электроника – СПб: БХВ – Петербург, 2008. – 752 с.

Зміст

С.

Передмова 3

1 ЕЛЕМЕНТИ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ ТА ЕЛЕКТРОННО-ДІРКОВИХ ПЕРЕХОДІВ4

1.1 Загальні відомості про напівпровідники 4

1.1.1 Власна електропровідність напівпровідників 6

1.1.2 Електронна провідність напівпровідників 8

1.1.3 Діркова провідність напівпровідників 10