 |
|
Загальні відомості про біполярні транзистори 69
3.1.2 Способи вмикання й режими роботи
біполярних транзисторів 73
3.1.3 Принцип дії біполярного транзистора в активному режимі 75
3.1.4 Вплив конструкції та режиму роботи транзистора на h21Б 80
3.1.5 Схема вмикання транзистора зі спільним емітером та спільним колектором 83
3.1.6 Модель Еберса-Молла 86
3.2 Статичні характеристики і параметри біполярних транзисторів 89
3.2.1 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільною базою 91
3.2.2 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним емітером 97
3.2.3 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним колектором 103
3.2.4 Вплив температури на статичні
характеристики транзисторів 104
3.2.5 Граничні режими транзистора 108
3.2.6 Диференціальні параметри біполярного транзистора 115
3.2.7 Фізичні параметри та еквівалентні схеми біполярних транзисторів 119
3.3 Робота біполярного транзистора у динамічному режимі 126
3.3.1 Принцип дії підсилювального каскаду на біполярному транзисторі 126
3.3.2 Способи забезпечення режиму спокою транзисторного каскаду 129
3.3.3 Динамічні характеристики біполярного транзистора та їх використання 136
3.3.4 Частотні властивості біполярних
транзисторів 143
3.3.5 Робота біполярного транзистора у ключовому режимі 149
3.4 Деякі різновиди біполярних транзисторів 154
3.4.1 Одноперехідний транзистор 154
3.4.2 Високочастотні малопотужні транзистори 156
3.4.3 Потужні транзистори 158
4 ПОЛЬОВІ ТРАНЗИСТОРИ161
4.1 Польові транзистори з керувальним
p-n-переходом 161
4.2 Польові транзистори з ізольованим затвором
(МДН - транзистори) 174
4.2.1 Ефект поля 174
4.2.2 МДН - транзистори з індукованим каналом 175
4.2.3 МДН - транзистори з вбудованим каналом 178
4.3 Залежність характеристик і параметрів польових транзисторів від температури 181
4.4 Динамічний режим роботи польових
транзисторів 184
4.4.1 Каскад на польовому транзисторі: розрахунок у статиці та динаміці 184
4.4.2 Частотні властивості польових транзисторів 189
4.5 Потужні польові транзистори 192
4.6 Польові прилади із зарядовим зв’язком 194
5 ТИРИСТОРИ199
5.1 Будова, принцип дії та режими роботи тиристора 199
5.1.1 Загальні відомості 199
5.1.2 Диністорний режим 200
5.1.3 Триністорний режим 205
5.1.4 Симістори 207
5.2 Способи комутації тиристорів 208
5.2.1 Увімкнення тиристорів 208
5.2.2 Вимкнення тиристорів 211
5.3 Біполярні транзистори з ізольованим затвором 213
ОПТОЕЛЕКТРОННІ НАПІВПРОВІДНИКОВІ
ПРИЛАДИ219
6.1 Загальні відомості 219
6.2 Випромінювальні діоди 219
6.3 Напівпровідникові фотоприймачі 223
6.3.1 Фоторезистори 223
6.3.2 Фотодіоди 224
6.3.3 Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням 228
6.4 Оптрони та їх застосування 230
7 ОСНОВИ МІКРОЕЛЕКТРОНІКИ234
7.1 Основні поняття і визначення 234
7.2 Гібридні інтегральні схеми 241
7.3 Напівпровідникові інтегральні схеми 244
7.3.1 Технологія 244
7.3.2 Технологія виготовлення інтегральних МДН- структур 246
7.3.3 Біполярні транзистори 248
7.3.4 МОН (МДН)- транзистори 251
7.3.5 Діоди 252
7.3.6 Резистори 253
7.3.7 Конденсатори 254
7.4 Інтегральні схеми з інжекційним живленням 255
Список літератури265
Навчальне видання
О. А. Борисенко,
О. М. Кобяков,
А. І. Новгородцев та ін.