Биполярный транзистор.⇐ ПредыдущаяСтр 14 из 14
Перед решением задачи изучите по Л.§13.1-9, Л2.§11.1-7, Л3.§16.1-9.
Пример 11.1. Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя характеристики, определить ток базы IБ, ток коллектора IК, сопротивление нагрузки RК, мощность на коллекторе РК и коэффициент усиления h21Э.
Решение. Рис.11.0.
1.Определяем по входной характеристике при UБЭ = 0,25 В ток базы IБ = 150 мкА.
2.Определяем по выходным характеристикам для UКЭ = 6 В ток коллектора IК = 14 мА.
3.Сопротивление нагрузки:
RК = (Е – UКЭ) /IК = (20 – 6) / 14 = 1 кОм.
4.Мощность на коллекторе:
РК = UКЭ ∙ IК = 6∙ 14 = 84 мВт.
5.На выходных характеристиках строим отрезок АВ, из которого определяем:
∆IК= АВ = IК1 – IК2 = 14 -9 = 5 мА= 5000 мкА. ∆ IБ = АВ = Iб1 – Iб2 = 150 – 100 = 50 мкА.
6.Определяем коэффициент усиления:
h21Э = ∆IК/ ∆ IБ = 5000/ 50 = 100. При UКЭ = 6 В.
Ответ: IБ = 200 мкА, IК= 14 мА, Rк = 1 кОм, РК = 84 мВт, h21Э =100.
Пример 11.2. Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя характеристики, определить ток базы IБ, напряжение на коллек- торе UКЭ, мощность на коллекторе РК и коэффициент усиления h21Э.
Решение. Рис.11.0.
1. Определяем по входной характеристике при UБЭ = 0,25 В ток базы IБ = 150 мкА.
2. Для определения напряжения UКЭ строим линию нагрузки по двум точкам: UКЭ = Е = 20 В при IК = 0 на оси абсцисс и IК = Е/ RК. = 20 / 1,0 = 20 мА на оси ординат.
3. Определяем на выходных характеристиках точку А на пересечении линии нагрузки с током базы IБ = 150 мкА.
4.Определяем для точки А ток коллектора IК = 14 мА и напряжение UКЭ = 6В.
5.Мощность на коллекторе: РК = UКЭ ∙ IК = 6 14 = 84 мВт.
6.Для определения коэффициента усиления строим отрезок АВ, из которого определяем:
∆IК = АВ = IК1 – IК2= 14 -9 = 5 мА= 5000 мкА. ∆ IБ = АВ = IБ1 – IБ2 = 150 – 100 = 50 мкА. 7.Определяем коэффициент усиления:
h21Э = ∆IК / ∆ IБ = 5000 / 50 = 100 при UКЭ = 6 В.
Ответ: IБ = 200 мкА, UКЭ = 6В, RК = 1 кОм, РК = 84 мВт, h21Э =100.
Задача 11. (Варианты 1-10) Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя характеристики, определить ток базы IБ, ток коллектора IК, сопротивление нагрузки RК, мощность на коллекторе РК и коэффициент усиления h21Э. Данные для своего варианта выбрать из таблицы 11.1.
Таблица 11.1
Задача 11. (Варианты 11-20) Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя характеристики, определить напряжение базы UБ, ток коллектора Iк, сопротивление нагрузки RК, мощность на коллекторе РК и коэффициент усиления h21Э. Данные для своего варианта выбрать из таблицы 11.2. Таблица 11.2
Задача 11. (Вариант 21-30) Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя характеристики, определить ток базы IБ, напряжение на коллекторе UКЭ, сопротивление нагрузки RК, мощность на коллекторе РК и коэффициент усиления h21Э. Данные для своего варианта выбрать из таблицы 11.3. Таблица 11.3
Задача 11. (варианты 31-40) Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя характеристики, определить ток базы IБ, напряжение на коллекторе UКЭ, мощность на коллекторе РК и коэффициент усиления h21Э. Данные для своего варианта выбрать из таблицы 11.4.
Таблица 11.4
Задача 11. (Вариант 41-50) Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя характеристики, определить токи базы UБЭ1,UБЭ2, напряжения на коллекторе UКЭ1,UКЭ2, мощность на коллекторе РК и коэффициент усиления h21Э. Данные для своего варианта выбрать из таблицы 11.5. Таблица 11.5
Входные и выходные характеристики транзисторов.
ДЛЯ ЗАМЕЧАНИЙ ©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.
|