 |
|
Складений транзистор
Складений транзистор широко використовується в диференційних каскадах, які є основою операційних підсилювачів. Він складається з комбінації двох транзисторів, з'єднаних відповідним чином (схема Дарлінгтона). Ця схема (рис.) має два транзистори, з'єднані колектори яких являють собою загальний колектор складеного транзистора, а до бази транзистора VT2 під'єднаний емітер транзистора VTI. При цьому база транзистора VTI і емітер транзистора VT2 являють собою відповідно загальну базу і загальний емітер складеного транзистора.
На практиці такий складений транзистор створюють у процесі монтажу зовнішніх виводів двох дискретних транзисторів. При виробництві аналогових ТМС складений транзистор створюють в одній пластині напівпровідника з внутрішніми з'єднаннями в необхідних точках.
Особливістю складеного транзистора є високий коефіцієнт передачі струму бази h21EC. Оскільки
і
,
то
.
Приймаючи до уваги, що dIв1=dIв , запишемо коефіцієнт передачі сіруму бази складеного транзистора
Оскільки звичайно виконуються нерівності h21E1 >>1 і h21E2 >> 1 , то
.
У формулах і індекс «1» стосується параметрів транзистора VT1, а індекс «2» — транзистора VT2
Коефіцієнт підсилення за струмом складеного транзистора наповнiøe можна визначити за формулою , якщо номінальний вхідний струм транзистора VT2 дорівнює номінальному вихідному струму транзистора VTI, тобто Iв2=Ic1»IE1.Tому транзистор VT2 необхідно вибирати потужнішим (з більшою площею колектора).
Можна використовувати в складеному транзисторі однотипні транзистори VTI і VT2 (рис.) одного рівня потужності. Для зменшення постійної складової струму бази транзистора VT2 застосовують струмовідвідну ланку з низькоомного резистора R і транзистора VT3. Останній працює в активному режимі, запобігаючи шунтуванню резистором R змінних складових сигналів в базі транзистора VT2 , що забезпечує високий h21EC .Крім того, транзистор в діодному ввімкненні має високу термостабільність режиму складеного транзистора за постійним струмом.