Здавалка
Главная | Обратная связь

ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРИЛАДІВ



ОСНОВИ ЕЛЕКТРОНІКИ

Перелік модульних контрольних питань для студентів 2-го курсу

спеціальності 6.091300 "Інформаційно-вимірювальні системи" ФІТ

 

МОДУЛЬ № 1

Напівпровідникові діоди, біполярні та польові транзистори

 

ЗАГАЛЬНІ ПИТАННЯ

1.1.Основні принципи побудови електронних ІВС. Постулати електроніки.

1.2. Активні та пасивні компоненти.

1.3. Вольт-амперні характеристики (ВАХ) лінійних та нелінійних компонентів.

1.4. Генератори струму та напруги.

1.5. Диференціюючі RC- та LC-схеми (принципові схеми, амплітудо-частотні ( АЧХ ) та перехідні характеристики (ПХ).

1.6. Інтегруючі RC- та LC-схеми (принципові схеми, амплітудо-частотні та перехідні характеристики ).

1.7. Подільник напруги. Співвідношення вихідних та вхідних опорів пристроїв при передачі сигналів без спотворень.

1.8. Типові процеси обробки електричних інформаційних сигналів. Принцип реле.

1.9. Класифікація речовин за провідністю.

1.10. Електронно-дірковий перехід в рівноважному стані.

1.11..Електронно-дірковий перехід при прямому вмиканні .

1.12. Електронно-дірковий перехід при зворотному вмиканні.

1.13. Використання р-n переходів для побудови напівпровідникових приладів.

1.14. Властивості та ВАХ випрямляючих і не випрямляючих контактів "метал-напівпровідник".

1.15. Ємнісні властивості р-n переходів та використання варикапів.

1.16. Визначення та класифікація напівпровідникових діодів (НД).

1.17. Система позначення та умовні графічні позначення НД.

1.18. Випрямні діоди. Випрямлячі.

1.19. Обмежувачі амплітуд.

1.20. Імпульсні діоди. Комутатори та логічні схеми.

1.21. Високочастотна електрична модель НД.

1.22. ВАХ діода. Диференціальні та граничні експлуатаційні параметри.

1.23. Використання НД в амплітудних детекторах.

1.24. Визначення, ВАХ та параметри стабілітронів.

1.25. Електрична принципова схема параметричного стабілізатора напруги.

1.26. Проектування та дослідження пристроїв на діодах в середовищі «Multisim».

1.27. Визначення, режими роботи та схеми вмикання біполярних транзисторів (БТ).

1.28. Структура та принцип дії БТ.

1.29.Коефіцієнти передачі струму в схемах СБ та СЕ.

1.30. Статичні характеристики БТ при вмиканні СБ.

1.31. Статичні характеристики БТ при вмиканні СЕ.

1.32. Підсилення потужності електричних сигналів (принцип реле).

1.33. Однокаскадний підсилювач за схемою СЕ.

1.34. Однокаскадний підсилювач за схемою СБ.

1.35. Однокаскадний підсилювач за схемою СК.

1.36. Порівняльний аналіз трьох схем вмикання БТ.

1.37. Ключовий режим БТ. Використання діодів Шотткі.

1.38. Графоаналітичний метод розрахунку та аналізу транзисторних схем.

1.39. Частотні параметри БТ.

1.40. Шумові параметри БТ.

 

ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРИЛАДІВ

2.1. Амплітудно-частотна характеристика диференціюючої схеми.

2.2. Амплітудно-частотна характеристика інтегруючої схеми.

2.3. Перехідна характеристика диференціюючої схеми.

2.4. Перехідна характеристика інтегруючої схеми

2.1. Вольт-амперна характеристика (ВАХ) НД.

2.2. Вхідні характеристики БТ за схемою СЕ.

2.3. Вихідні характеристики БТ за схемою СЕ.

2.4. Вхідні характеристики БТ за схемою СБ.

2.5. Вихідні характеристики БТ за схемою СБ.

.

 







©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.