 |
|
Під графіками підписати вхідна та сімейство вихідних характеристик транзистора
ЗАВДАННЯ 1
Характеристика діода типу КД509А, наведена на рис. 1.1..
Вклеїти характеристику діода, а під нею написати
Рис. 1.1. Вольтамперна характеристика діода КД509А
Прямолінійна ділянка характеристики починається, з точки з координатами U = 0,72 В, І = 20 мА.
Поклавши, що U0 = 0,8 В – напруга в робочій точці, а струм І0 = 40 мА, як точка перетину характеристики, з нормаллю встановленою з вісі напруг у точці 0,8 В. Тпер за законом Ома, легко обчислюємо опір діода в робочій точці 
= 20 Ом – опір діода постійному струму.
Для обчислення динамічного опору, визначаємо напругу при струмі Іmin = 20 мА, Umin = 0,72 В, а потім при Umах = 0,88 В, Іmах = 80 мА
Обчислюємо 
2,67 Ом.
ЗАВДАННЯ 2
Сімейство вихідних характеристик біполярного транзистора типу КТ214, приведено на рис. 2.1.
Вклеїти характеристику транзистора, а під нею написати
Рис. 2.1. Сімейство вихідних характеристик транзистора КТ214
З наведених на рис. 2.1 характеристик, виберемо при Іб = 10 мкА. Робоча точка транзистора розташована посередині характеристики і має наступні координати Uк-е = Uк0 = 5 В; Ік = Ік0 = 0,92 мА. У цій точці, транзистор характеризується опіром переходу колектор-емітер, який вважається опором на постійному струмі
= 5434,8 Ом..
Опір того самого переходу, при сталому значені струму бази (Ік = соnst), але змінних значеннях напруги колектор-емітер і струму колектора, називається динамічним опором. Тому відступаючи рівновіддалено вліво і в право, відносно робочої точки, графічно визначаємо: Uк-еmin = 2 В, Ікmin = 0,82 мА; Uк-еmах = 8 В, Ікmах = 1,04 мА. Обчислюємо динамічний опір транзистора
= 11538 Ом, (11,5 кОм).
ЗАВДАННЯ 3
На рис. 3.1, приведено сімейство вихідних характеристик біполярного транзистора типу КП304
Вклеїти характеристику транзистора, а під нею написати
Рис. 3.1. Сімейство вихідних характеристик транзистора КП304
За робочу приймаємо характеристику при якій Uз-в = 6 В. Напругу, стік-виток, приймаємо рівною Uс-в = 12,5 В. Точка перетину визначає струм стоку в робочій точці. Іс0 = 13 мА. Рівновіддалені напруги відносно робочої точки, мають координати: Uс-вmin = 5 В, Ікmin = 12 мА; Uс-вmах = 20 В, Ікmах = 14 мА
Розрахуємо динамічний опір транзистора в робочій точціє
= 15000 Ом, (15 кОм).
Крутість характеристики – відношення змінної складової струму стоку до керуючої змінної напруги між заслоном та витоком, яка викликала ці зміни.
= 6 мА/В.
Статичний коефіцієнт підсилення транзистора за напругою визначається за формулою
де Gі – вихідна провідність транзистора.
Статичний коефіцієнт підсилення транзистора за напругою визначається за формулою
де Gі – вихідна провідність транзистора.
Використовуючи попередні визначення, обчислюємо
= 90
ЗАВДАННЯ 2
Для визначення h- параметрів, графо-аналітично визначаємо спочатку Y-параметри
- вхідна провідність
при Uк-е = const
Числові значення струмів бази, та напруг база-емітер визначаємо по вхідних характеристиках Ібmin = 1,4 мА та Ібmах = 5,6 мА, яким відповідають Uб-еmin = 0,59 В Uб-еmin = 0,61 В
0,21 См;
- вихідна провідність
при Uб-е = const або при Іб = const
Числові значення струмів колектора, та напруг колектор-емітер визначаємо по вихідних характеристиках Ікmin = 0,84 мА та Ікmах = 0,86 мА, яким відповідають Uк-еmin = 3,4 В Uк-еmах = 8 В
4,4·10-6 См;
- провідність зворотного звязку
при Uб-е = const
Числові значення струмів бази, та напруг колектор-емітер визначаємо по вхідних характеристиках Ібmin = 8 мкА та Ібmах = 10 мкА, яким відповідають Uк-еmin = 3,4 В Uк-еmin = 8 В
4,3·10-7 См;
- крутість характеристики транзистора
при Uк-е = const
Числові значення струмів колектора, та напруг база-емітер визначаємо по вихідних та вхідних характеристиках. При Uк0 = 5 В, отримаємо Ібmin = 8 мкА та Ібmах = 10 мкА, яким відповідають струми колектора Ікmin = 0,64 мА та Ікmах = 0,94 мА. Цим же струмам відповідають напруги Uб-еmin = 0,572 В Uб-еmin = 0,581 В
33 мА/В
Використовуючи зв’язок між h та Y параметрами визначаємо
= 4,76 Ом; 
= -2·10-6 Ом;
= 0,16; 
= 4,3·10-6 Ом;
Під графіками підписати вхідна та сімейство вихідних характеристик транзистора