Усилительные свойства каскада
Для усилителя (рис. 3.6, а), работающего в классе В, в каждый полупериод работает лишь одно плечо, и влиянием второго (закрытого) плеча можно пренебречь. Работающее плечо представляет каскад с общим коллектором, и для него можно записать UВХ1 = UБЭ1 + IЭRН, откуда
RВХ 1 = UВХ1 /I Б = UБЭ 1 /IБ + IЭRН/IБ, или RВХ 1 = RВХ Э + RН(b+1). (3.9) Выражение (3.9) аналогично соотношению для малосигнальных параметров схемы ОК с той лишь разницей, что вместо RВХ Э и b используются эффективные величины RВХ Э и b. Обычно RВХ Э < RН(b+1), так что RВХ1 @ RН(b+1). Для схемы рис. 3.6, б последовательности транзисторов VT1—VT3, а также VT2—VT4 необходимо рассматривать как один транзистор с коэффициентом усиления по току bЭКВ = b1×b3. Схема рис.3.6, б обладает более высоким входным сопротивлением, чем схема рис. 3.6, а. Входное сопротивление каскада, работающего в классе А, такое же, как и в кассе В. Наличие резистивного делителя (рис. 3.3, а) в цепи базы (RБ = R1||R2) также снижает входное сопротивление каскада, поскольку делитель оказывает шунтирующее действие. В таком случае для схемы рис. 3.3, а полное входное сопротивление составляет RВХ = RВХ1||RБ. Выходное сопротивление каскада ОК (рис.3.6, а) понижено и составляет RВЫХ = RВХ Б + RГ/(b + 1). (3.10) Если RГ = 0, то RВЫХ = RВХБ и составляет единицы Ом при токах эмиттера порядка десяти миллиампер. Как видно, усилитель мощности по схеме ОК, обладает повышенным входным и пониженным выходным сопротивлениями. Коэффициент усиления по току собственно каскада ОК существенно больше единицы – (b+1), однако уменьшается за счет делителя RБ КI = gI ВХ (b+1), (3.11) где gI ВХ = RБ /(RБ+RВХ1). Коэффициент усиления по напряжению меньше единицы KU = UН/(UН + UБЭ). (3.12) Коэффициент усиления по мощности существенно больше единицы КP = KU × КI. (3.13)
Описание установки Принципиальная схема исследуемого каскада дана на рис. 3.7. Изменением величины резистора R обеспечивается переход из режима работы класса А в класс В (АВ). Напряжение источников питания устанавливается в пределах 6–15 В. Схема позволяет наблюдать форму
тока и напряжения в характерных точках. Для этой цели введены небольшие измерительные сопротивления, практически не изменяющие характер работы усилителя. Транзисторы VT1 и VT2 типа ГТ 402, ГТ 404 с fa= 1 МГц. Для имитации работы оконечных транзисторов в сложном УМ в базы транзисторов VT1 и VT2 введены р-n-переходы (диоды VD1 и VD2). Они препятствуют рассасыванию неосновных носителей в отрицательный полупериод сигнала. Для обеспечения RГ = 0 данные диоды шунтируют тумблером К. Задание
1. Ознакомиться со стендом. По заданному ЕПИТ и RН для усилителя классов А и В вычислить максимальную мощность, развиваемую в нагрузке (РН max), мощность, потребляемую от источников питания (РИСТ), и мощность, рассеиваемую на коллекторах транзисторов (РКå). 2. Вычислить ожидаемые RВХ, RВЫХ, КU, КI. 3. Обеспечить режим класса В, частоту сигнала 1000 Гц. (Диоды VD1 и VD2 замкнуты.). Зарисовать характерные осциллограммы токов и напряжений 4. Снять и построить амплитудную характеристику усилителя (UВЫХm = f (UВХ m)), а также вычислить и построить РН, РИСТ, РКå =f (UН m). 5. Измерить КU, КI, RВХ, RВЫХ. 6. Для частот 1000 Гц и 50×103 Гц зарисовать характерные осциллограммы токов и напряжений при замкнутых и разомкнутых диодах. 7. Перевести усилитель в класс А. Зарисовать характерные осциллограммы токов и напряжений 8. Снять и построить амплитудную характеристику усилителя (UВЫХm = f (UВХ m)), а также вычислить и построить РН, РИСТ, РКå= = f(UН m).
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1.Гусев В.Г., Гусев Н.Ю. Электроника. – М.: Высш. шк., 1982. 2. Опадчий Ю.Ф., Глудкин О.П., Гуров А.И. Аналоговая и цифровая электроника: Учебник для вузов. – М.: Телеком, 1999.
Лабораторная работа № 4
©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.
|