 |
|
Розділ 1. Літературний огляд властивостей, синтезу та вирощування
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ
HAЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ “ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА”
Кафедра
НПЕ
Курсова робота
З курсу
"Технологічні основи електроніки"
Оптимізація технологічних процесів росту
Монокристалів германія
Виконав:
Студент гр. МН-21
Прийма Юра
Прийняв:
Доц. каф. нпе
Губа С. К
Львів 2009
Зміст
Вступ
Розділ 1. Літературний огляд властивостей, синтезу та вирощування монокристалічного германія методом Чохральського………………………4
1.1 Фізико-хімічні властивості германія……………………………………4
1.2 Електрофізичні властивості германія………………………………….10
1.3 Акцепторні та донорні домішки електронного германія……………..11
2.Технологічні умови вирощування германію методом Чохральського……13
2.1Дефекти зростання при вирощуванні по Чохральському…………….15
3. Практичне застосування……………………………………………………. 16
3.1 Прилади на основі сплаву германій…………………………………... 16
3.2 Застосування в електроніці і радіотехніці …………………………….18
3.3 Застосування в медицині………………………………………………..19
Висновок
4. Постановка задачі…………………………………………………………….21
Розділ 2.Оптимізація технологічних процесів росту монокристалів германія…………………………………………………………………………22
5. Висновок
6. Список використаної літератури
Вступ
При розгортанні виробництва нових електронних приладів на напівпровідниковій основі віддача від інвестицій носить кумулятивний характер: на кожному етапі впровадження нових технологій неможливе без виробничої бази, створеної раніше. Тому має сенс максимально використовувати наявне устаткування, удосконалюючи його під постійно змінні вимоги ринку. Такий підхід дозволяє без величезних разових вкладень працювати на сучасному рівні, його використовують більшість сучасних фірм, таких як Intel, Sony, Toshiba, IBM. Одна із сторін методу – використання матеріалів з новими властивостями, що дозволяють використовувати для своєї обробки широко поширені, налагоджені і такі, що окупили себе технології.
Германієві сплави в наш час стали отримувати доволі широке росповсюдження якості матеріалів для виготовлення НВЧ-приладів і інтегральних схем. Значні властивості цих сплавів (особливо германій, що містять, в малих концентраціях) дозволяють створювати пристрої з параметрами, що перевершують пристрої на GaAs основі. При цьому їх вартість небагато чим вище, ніж класичних приладів на основі кремнію.
Не дивлячись на те, що останні розробки в цій області є know - how фірм-виробників напівпровідникових приладів, багато ранніх досліджень доступні у пресі або в електронному вигляді. Частина з них – класичні роботи, зроблені на зорі розвитку напівпровідникової промисловості, – в 50-х роках ХХ століття, частина – роботи 1996 – 2001 років. На їх основі можна прослідкувати перспективи впровадження нових матеріалів на підприємствах України.
Розділ 1. Літературний огляд властивостей, синтезу та вирощування