Здавалка
Главная | Обратная связь

Епітаксія. Методи проведення епітаксії. Дефекти епітаксійних плівок.



Епітаксія. (епі – над, таксі - порядок).

Це упорядковане зростання плівок над підшарком. Від звичайних плівок відрізняються структурою.

Звичайні плівки – аморфна, або дрібнокристалічна. Епітаксіальні- кристалічні.

Процес епітаксії частково відрізняється від звичайного процесу зростання плівки.

Епітаксія може бути:

1) автоепітаксія (або гомо епітаксія) плівка того ж складу, як і підшарок (Si на Si);

2) гетероепітаксія – це плівка іншого елементу (Ge на Si);

3) хемоепітаксія – зростає плівка в результаті взаємодії налітаючих атомів і атомів підшарку (приклад, налітає N).

При епітаксії можуть бути декілька процесів взаємодії:

- прямі процеси: (Si прямо осаджується на Si) без взаємодії з іншими атомами;

- непрямі: коли є проміжна взаємодія з іншими атомами.

Фізика епітаксіального осадження:

Епітаксіальне осадження плівок принципово відрізняється від звичайного осадження, так як епітаксіально плівка має кристалічну структуру.

1 – дефект сходинка;

2 – поверхнева вакансія;

3 – дівакансія (скопичення вакансій);

4 – адатом (адсорбований атом);

5 – скопичення адатомів.

При епітаксії: при налітанні атомів спочатку заповнюються вакансії, дівакансії і скопичення вакансій.

Так як Тº кристала підвищена адатоми мігрують по поверхні і локалізуються на сходинках. Особливо на грибах. Сходинка спрямляється.

Потом інші атоми починають локалізуватись біля сходинки. Сходинка починає рухатись, після заповнює повністю поверхню і сходинка починає формуватись спочатку.

Для того щоб прискорити процес зростання роблять деякий зріз ≈5-7º.

Це приводить до того, що одночасно рухається багато сходинок на різних поверхах. Це різко прискорює процес наростання епітаксіально плівки.







©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.