Епітаксія. Методи проведення епітаксії. Дефекти епітаксійних плівок.
Епітаксія. (епі – над, таксі - порядок). Це упорядковане зростання плівок над підшарком. Від звичайних плівок відрізняються структурою. Звичайні плівки – аморфна, або дрібнокристалічна. Епітаксіальні- кристалічні. Процес епітаксії частково відрізняється від звичайного процесу зростання плівки. Епітаксія може бути: 1) автоепітаксія (або гомо епітаксія) плівка того ж складу, як і підшарок (Si на Si); 2) гетероепітаксія – це плівка іншого елементу (Ge на Si); 3) хемоепітаксія – зростає плівка в результаті взаємодії налітаючих атомів і атомів підшарку (приклад, налітає N). При епітаксії можуть бути декілька процесів взаємодії: - прямі процеси: (Si прямо осаджується на Si) без взаємодії з іншими атомами; - непрямі: коли є проміжна взаємодія з іншими атомами. Фізика епітаксіального осадження: Епітаксіальне осадження плівок принципово відрізняється від звичайного осадження, так як епітаксіально плівка має кристалічну структуру. 1 – дефект сходинка; 2 – поверхнева вакансія; 3 – дівакансія (скопичення вакансій); 4 – адатом (адсорбований атом); 5 – скопичення адатомів. При епітаксії: при налітанні атомів спочатку заповнюються вакансії, дівакансії і скопичення вакансій. Так як Тº кристала підвищена адатоми мігрують по поверхні і локалізуються на сходинках. Особливо на грибах. Сходинка спрямляється. Потом інші атоми починають локалізуватись біля сходинки. Сходинка починає рухатись, після заповнює повністю поверхню і сходинка починає формуватись спочатку. Для того щоб прискорити процес зростання роблять деякий зріз ≈5-7º. Це приводить до того, що одночасно рухається багато сходинок на різних поверхах. Це різко прискорює процес наростання епітаксіально плівки. ©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.
|