Здавалка
Главная | Обратная связь

Задания для самостоятельной работы



1.59.Показать, что на границе диэлектрика с проводником поверхностная плотность связанного заряда диэлектрика s¢ = - s(e - 1) ¤e , где e - диэлектрическая проницаемость диэлектрика, а s - поверхностная плотность заряда на проводнике.

1.60.Проводник произвольной формы, заряженный зарядом q, окружен однородным диэлектриком с диэлектрической проницаемостью e. Найти заряд на внутренней и наружной поверхностях диэлектрика.

 

1.61. Однородный изотропный диэлектрик в виде сферического слоя радиусами а и b>a равномерно заряжен

а) по внутренней поверхности;

б) равномерно по объему.

Представить схематически зависимость напряженности и потенциала электрического поля как функции расстояния от центра сферического слоя.

 

1.62.Бесконечная плита толщиной 2d из однородного изотропного диэлектрика с диэлектрической проницаемостью e равномерно заряжена с объемной плотностью зарядов r. Определить поверхностную и объемную плотности связанного заряда.

 

1.63. Однородный диэлектрический шар радиуса R равномерно заряжен с объемной плотностью заряда r. Диэлектрическая проницаемость материала шара e. Определить объемную и поверхностную плотности связанного заряда.

 

1.64.Половина пространства между двумя обкладками сферического конденсатора заполнено диэлектриком с диэлектрической проницаемостью e, как показано на рис. Заряд конденсатора q. Определить модуль вектора напряженности электрического поля между обкладками как функцию расстояния r от центра.

 

1.65.Точечный заряд q находится в вакууме на расстоянии l от плоской поверхности однородного изотропного диэлектрика с проницаемостью e. Определить:

а) поверхностную плотность связанных зарядов как функцию расстояния r от заряда

б) суммарный связанный заряд на поверхности.

1.66. Длинный диэлектрический цилиндр круглого сечения поляризован так, что , где a > 0 и r – расстояние от оси. Определить объемную плотность связанных зарядов в зависимости от r.

 

1.67.Однородный диэлектрический шар однородно поляризован. Вектор поляризации равен . Найти напряженность электрического поля в центре шара.

 

1.68.Показать,что на больших расстояниях электрическое поле шара в зад. 1.67 является полем диполя, потенциал которого ( - дипольный момент шара).

1.69.Первоначально пространство между обкладками плоского конденсатора заполнено воздухом, и напряженность поля в зазоре Е0. Затем половину зазора заполняют однородным изотропным диэлектриком с проницаемостью e, как показано на рис. Найти модули векторов Е и D в обеих частях зазора, если при введении диэлектрика

а) напряжение на обкладках поддерживается постоянным;

б) заряды на обкладках остаются постоянными.

1.70.Первоначально пространство между обкладками плоского конденсатора заполнено воздухом, и напряженность поля в зазоре Е0. Затем половину зазора заполняют однородным изотропным диэлектриком с проницаемостью e, как показано на рис. Найти модули векторов Е и D в обеих частях зазора, если при введении диэлектрика

а) напряжение на обкладках поддерживается постоянным;

б) заряды на обкладках остаются постоянными.

1.71. У плоской поверхности однородного изотропного диэлектрика с проницаемостью e напряженность электрического поля в вакууме равна Е0 и составляет угол q с нормалью к поверхности диэлектрика. Считая поле внутри диэлектрика однородным, определить поток вектора через сферу радиуса r с центром на поверхности диэлектрика.

 

1.72.Точечный заряд q находится в однородном изотропном диэлектрике на расстоянии l от его плоской поверхности, граничащей с вакуумом. Диэлектрическая проницаемость диэлектрика e. Определить поверхностную плотность связанных зарядов как функцию расстояния r от заряда. Исследовать полученный результат при l ® ¥.

 

1.73.Диэлектрическое полупространство с проницаемостью e отграничено от вакуума проводящей плоскостью. На расстоянии l от этой плоскости в диэлектрике находится точечный заряд q. Найти поверхностную плотность связанных зарядов на границе с проводящей плоскостью как функцию расстояния от заряда.

 

1.74.Найти емкость сферического конденсатора с радиусами обкладок R1 и R2 ( R1 > R2), который заполнен диэлектриком с диэлектрической проницаемостью e = a/r, где a = const и r – расстояние от центра сфер.

 

1.75.Цилиндрический конденсатор заполнен двумя цилиндрическими слоями диэлектриков с проницаемостями e1 и e2. Внутренние радиусы слоев равны соответственно R1 и R2 < R1. Максимально допустимая напряженность поля в слоях Em1 и Em2. При каком соотношении между e, R и Em слоев напряженность поля при повышении напряжения одновременно достигнет значения, соответствующего пробою обоих слоев?

 

1.76.Имеется двухслойный цилиндрический конденсатор (R1 < R2 < R3). Диэлектрические проницаемости слоев e1 и e2 соответственно Предельные значения напряженности электрического поля, при которой наступает пробой, равны соответственно Em1 и Em2. При каком напряжении конденсатор будет пробит, если e1R1Em1 < e2R2Em2.

 







©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.