Здавалка
Главная | Обратная связь

Контакт металл-ПП (барьер Шотки)



Конт метал–ПП получ наиб распр. Это связ с 2 их харак-ми особен: 1т к металл и ПП облад различн электрофиз св-ми, контакт между ними, в отлич от p-n-перехода, может быть как выпрямляющим, так и невыпр=омическим.

2проводимость в конт метал–ПП осущ носит одного знака (монополярн проводимость). В рез предел применимости их по частоте выше, чем для p–n-переходов. Выпрямляющий переход=эл переход, эл R кот при одном направл тока больше чем при другом. Омический переход=эл переход, эл R кот не завис от направл тока в зад диапаз знач токов.Выпрямл контакты использ для изгот диод(диод Шоттки), способн выпол различн функц в широк диапаз частот, а с пом невыпрямл контактов осущ-ся подключ приборов к внешн эл цепи Различ св-ва указанных конт завис от соотнош между раб вых из металла РM и ПП РП.

Барьер Шотки облад вентильными св-вами. Если к сист подключ внеш U(+к ПП, -к металлу) то возник доп эл поле, сниж-щее внутр эл поле в переходе. Rприконтактного высокоомного слоя уменьш и через переход потечет ток, обусл переходом е из металла в ПП. Увелич прилож U привод к увелич тока. При смене полярности прилож U внешн эл поле суммируется с внутр и приконтактн слой еще сильн соед с дырками, R перехода увелич. Так как эл поле не препятств движ е ПП р-типа, последние будут проходить через переход вызыв ток в цепи. Этот ток мал в связи с низкой конц неосн носит заряда.

ВАХ совпад с ΒΑΧ p–n-перехода. Однако для обратн тока насыщ завис отлич не только колич-но, но и по физич смыслу. Если в p–n-переходе 1обр опред равновесной конц неосн носит рn или np то в конт метал–ПП опред конц осн носит, перемещ вблизи металлургич границы

Приборы содерж контакты метал–ПП, оказ более высокочаст, нежели приборы с невырожд p–n-переходами.

 

 

Гетеропереход

Это эл переход, образ в рез контакта ПП-ов с различ шир запрещенной зоны.

Гомопереход–переход, образов между 2 ПП одного типа, т.е. облад одинак диэлектр прониц ε и шир запрещ зоны ΔΉΡ, но легирован примесями разн типа или в разной степени.

Для получ гетероперехода, близ к “идеальн”, необход исключ эффекты, вызыв образов поверхностн состояний и приводящ к высок ур рекомбинации в обл контакта. Для этого ПП пары должны облад согласован кристаллич структурой и близк температурн коэф-ми расширения, чтобы при охлажд не возник сильн термич напряжений. Одной из наибол распростр пар, отвеч указ требованиям, явл тройное соед AlxGa1-xAs и GaAs. За счет изм парам состава x от 0 до 0,4 ширина запрещ зоны AlxGa1-xAs линейно увелич от 1,42 эВ (GaAs) до 1,92 эВ.

Поскольку термодинамич работа выхода Р2 из широкозон ПП больше, чем из узкозонного P1, после образ контакта преимущ поток е будет направл справа налево. В рез в плоск контакта широкозон ПП обогащается е, а узкозон обедняется. Поэт зона проводимости широкозон ПП изгиб вниз на велич φ2, а зона проводимости узкозон–вверх на велич φ1. Значения φ1и φ2 опред ур легир ПП, а их сумма всегда =разности термодинамич работ выхода т.е. =разности запрещ зон контактир ПП. Эта особен гетеропереходов опред их главн преимущ перед гомопереходами–способн создавать высок ур инжекции носит одного знака. Эту способн гетеропереходов часто наз суперинжекцией

В отлич от гомоперехода высота потенц барьера у гетероперех оказ различ для дырок φp и е φn.

Гетероперех раб на основ носителях. Это позвол использ их в кач-ве детекторов и смесителей в СВЧ-диапазоне. В обл оптоэлектроники использ при созд фотодиодов, фототранзиств, солн батар.

 

 








©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.