 |
|
Характеристики и осн параметры ТД
Туннел эфф заключ в процессе туннел прох тока через переход. Ток начин прох через перех при Uпр<ФИк. Достиг тун эфф созд очень тонкого обедн подвиж носит зар слоя, через кот проход значит ток, ток проход в обоих направл.
(вах)В обл прям смещ 1пр увелич вначале и достиг 1пр мах соотв Uп начин уменьш. Сниж тока связ с тем,что при увелич Uпр уменьш кол-во е способн соверш туннельный проход. При Uв число таких е=0 и тун ток исчез. При дальн увелич Uпр 1пр опред-ся только диффуз осн носит зар и им ВАХ как в обычн диодах.
Спадающий уч 1-2 им отриц R(отриц проводимость)т к положит прирост U вызыв уменьш или отриц прирост тока. Т к толщина lо потенц барьера очень мала ТД почти безинерционен. Обратный ток значит выше чем у ост диодов поэт ТД не облад вентильн св-вами.
Осн парам: *1пр мах=макс прям пиковы ток(Uп), 1пр мин=прям ток впадины (Uв), *Uр-р=напряж раствора-наиб U впадины при кот ток =1пр мах,
*Rдиф=-dU/dI-диф сопротивление.
ТД облад усилит св-вами то в сх их использ в кач активн эл-тов.
Эквив сх ТД для мал перемен сигн на падающем уч ΒΑΧ показ на рис, где Ls–паразитная индуктивность патрона, завис от конструкц ТД, |R|–модуль отриц диф сопротивл в раб точке.
Устройство и принцип действия БТ
БТ-ПП-прибор с2 взаимод р-н-переходами и 3 выводами, усилит св-ва кот обусл явл инжекции и экстр не осн носит зар. Назв БТ связ с налич 2 разл типов носит зар(е и р). Сущ 2 разновидн БТ: бездрейфовые(в осн диффузия) и дрейфовые.
Конструктивно БТ предст собой пластинку моно-кристалла пп с р или н типом(Ge), по обеим сторонам кот вплавлены(или внес др образ) пп с противоположн типом электропроводности(In). На границе раздела обл с разн типом элпроводн образ р-n или n-р перех. Каждая их обл им свое назв и выводы с эл контактами(1-эмиттер 2-коллектор 3-база). БТ укрепл на кристаллодерж, и помещ в герметич стекл сосуд в дно кот через стекл изоляторы проход выводы. При рассм физ процессов БТ удоб изобр в виде плоскостн схем.
В принципе раб БТ р-н-р или н-р-н типа отлич нет. Различ они в полярности подключ выводов. Назнач эмиттера-инжекц в обл базы не осн для нее носит зар. Для этого обл Э выполн бол насыщ осн носит зар. Назнач коллектора-экстрак (забир) не осн носит зар из базы. В реал констр для обесп лучш раб БТ обл К делается больше чем обл Э.
Режимы работы и схемы включения БТ
При вкл БТ в эл схему один из выводов(Э, К, Б) дел общим для входной и вых цепей. В соотв с этим сущ след сх включения(с ОБ, ОЭ, ОК). Относ общего вывода кот заземл измер U входн и вых цепи.
В завис от смещ(полярности внеш ист) созд на эммитерн и коллект переходах, БТ может раб в разн реж. На практ наиб часто примен сх с ОЭ (наиб усил), схемы с ОБ исп реже. Однако физ проц проход в БТ удобн рассм в сх с ОБ
*1активн режим-один из перех смещ в прямом направл, др в обратном. Если в прямом смещ Э-переход то активный норм режим. Если К, то акт инверстный режим
*2режим насыщения-оба переход смещ в прямом напрвл
*3режим отсечки-оба перех смещ в обр направл