Описание экспериментальной установки
Лабораторный стенд в комплексе с внешними измерительными приборами позволяет исследовать входные, проходные и выходные вольтамперные характеристики биполярных транзисторов и проходные и выходные характеристики униполярных (полевых) n-канальных транзисторов с p-n-переходом. Графически по входным, проходным и выходным характеристикам транзисторов легко определить h-параметры, которые используются в расчетах различных транзисторных схем. Методика графического определения h-параметров для схемы транзистора с общим эмиттером приведена в разделе “Транзистор как активный четырехполюсник”. В качестве исследуемых транзисторов в лабораторном стенде используются биполярный кремниевый транзистор n-p-n-типа КП 503 и полевой транзистор с p-n-переходом и n-каналом КП 307. Токи во внешних цепях транзисторов измеряются щитовыми микро- и миллиамперметрами, встроенными в верхнюю панель лабораторного стенда. Напряжения в главных точках экспериментальных схем измеряются двумя внешними цифровыми вольтметрами постоянного тока Щ1516. На рис.16 представлен внешний вид лабораторного стенда с органами управления и их назначением. 14
11 2
8 7 6 5 4 Рис.16
1- Тумблер включения питания лабораторного стенда “СЕТЬ”. 2- Тумблер переключения типа исследуемого транзистора: “Биполярный транзистор”, “Полевой транзистор”. (К1) 3- Выводы “Общий” – общего провода электрической цепи. 4- Вывод для измерения обратного тока коллектора. 5- Вывод подключения вольтметра V2 для измерения напряжения сток – исток (Uси) полевого транзистора. 6- Вывод подключения вольтметра V1 для измерения напряжения затвор – исток (Uзи) полевого транзистора. 7- Вывод подключения вольтметра V2 для измерения напряжения коллектор – эмиттер (Uкэ) биполярного транзистора. 8- Вывод подключения вольтметра V1 для измерения напряжения база – эмиттер (Uбэ) биполярного транзистора. 9- Тумблер переключения прямого и обратного тока биполярного транзистора. 10- Резистор для регулировки отрицательного напряжения на затворе полевого транзистора. (R3) 11- Резистор для регулировки тока базы биполярного транзистора. (R1) 12- Резистор для регулировки тока коллектора или тока стока биполярного или полевого транзисторов соответственно. (R2) 13- Микроамперметр для измерения тока базы биполярного транзистора. 14- Миллиамперметр для измерения тока коллектора или тока стока биполярного или полевого транзисторов соответственно. В качестве источников входных и питающих, экспериментальные схемы напряжений используется компенсационный стабилизатор напряжения +10В с двухканальным регулируемым выходом. Регулировка выходных напряжений стабилизатора, питающих экспериментальные схемы, осуществляется регулировочными резисторами R1, R2 и R3 (СП5 – 35Б) с высокой электрической разрешающей способностью.
Исследование вольтамперных характеристик биполярного транзистора n-p-n-типа и расчет его основных параметров Для изучения работы транзистора в лабораторном стенде собрана электрическая цепь, схема которой представлена на рис.17. Тумблер К1 в положении “биполярный транзистор”, а тумблер К2 в положении “ток прямой”.
Iк Iб + Uп 0 ÷ 8B _ + Uвх 0÷3 В _ Uкэ Uбэ
Рис.17
Uвх– источник постоянного тока с регулируемым выходным напряжением (0 ÷ 3В); Uп – источник постоянного тока с регулируемым выходным напряжением (0 ÷ 8B); Iб – ток базы транзистора, измеряемый микроамперметром “μА”; Uбэ – напряжение база – эмиттер, измеряемое выносным вольтметром постоянного тока “V1”; Iк – ток коллектора, измеряемый миллиамперметром “mA”; Uкэ – напряжение коллектор – эмиттер, измеряемое выносным вольтметром “V2”.
Задание 1. Снятие семейства входных вольтамперных ©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.
|