Здавалка
Главная | Обратная связь

Описание экспериментальной установки



Лабораторный стенд в комплексе с внешними измерительными приборами позволяет исследовать входные, проходные и выходные вольтамперные характеристики биполярных транзисторов и проходные и выходные характеристики униполярных (полевых) n-канальных транзисторов с p-n-переходом.

Графически по входным, проходным и выходным характеристикам транзисторов легко определить h-параметры, которые используются в расчетах различных транзисторных схем.

Методика графического определения h-параметров для схемы транзистора с общим эмиттером приведена в разделе “Транзистор как активный четырехполюсник”.

В качестве исследуемых транзисторов в лабораторном стенде используются биполярный кремниевый транзистор n-p-n-типа КП 503 и полевой транзистор с p-n-переходом и n-каналом КП 307.

Токи во внешних цепях транзисторов измеряются щитовыми микро- и миллиамперметрами, встроенными в верхнюю панель лабораторного стенда. Напряжения в главных точках экспериментальных схем измеряются двумя внешними цифровыми вольтметрами постоянного тока Щ1516.

На рис.16 представлен внешний вид лабораторного стенда с органами управления и их назначением.

14

 

 

11 2

 

 

8 7 6 5 4

Рис.16

 

1- Тумблер включения питания лабораторного стенда “СЕТЬ”.

2- Тумблер переключения типа исследуемого транзистора: “Биполярный транзистор”, “Полевой транзистор”. (К1)

3- Выводы “Общий” – общего провода электрической цепи.

4- Вывод для измерения обратного тока коллектора.

5- Вывод подключения вольтметра V2 для измерения напряжения сток – исток (Uси) полевого транзистора.

6- Вывод подключения вольтметра V1 для измерения напряжения затвор – исток (Uзи) полевого транзистора.

7- Вывод подключения вольтметра V2 для измерения напряжения коллектор – эмиттер (Uкэ) биполярного транзистора.

8- Вывод подключения вольтметра V1 для измерения напряжения база – эмиттер (Uбэ) биполярного транзистора.

9- Тумблер переключения прямого и обратного тока биполярного транзистора.

10- Резистор для регулировки отрицательного напряжения на затворе полевого транзистора. (R3)

11- Резистор для регулировки тока базы биполярного транзистора. (R1)

12- Резистор для регулировки тока коллектора или тока стока биполярного или полевого транзисторов соответственно. (R2)

13- Микроамперметр для измерения тока базы биполярного транзистора.

14- Миллиамперметр для измерения тока коллектора или тока стока биполярного или полевого транзисторов соответственно.

В качестве источников входных и питающих, экспериментальные схемы напряжений используется компенсационный стабилизатор напряжения +10В с двухканальным регулируемым выходом.

Регулировка выходных напряжений стабилизатора, питающих экспериментальные схемы, осуществляется регулировочными резисторами R1, R2 и R3 (СП5 – 35Б) с высокой электрической разрешающей способностью.

 

Исследование вольтамперных характеристик биполярного транзистора n-p-n-типа и расчет его основных параметров

Для изучения работы транзистора в лабораторном стенде собрана электрическая цепь, схема которой представлена на рис.17.

Тумблер К1 в положении “биполярный транзистор”, а тумблер К2 в положении “ток прямой”.

 

 
 

 


Iк

Iб

+

Uп

0 ÷ 8B

_

+

Uвх

0÷3

В _ Uкэ

Uбэ

 

Рис.17

 

Uвх– источник постоянного тока с регулируемым выходным напряжением (0 ÷ 3В);

Uп – источник постоянного тока с регулируемым выходным напряжением (0 ÷ 8B);

Iб – ток базы транзистора, измеряемый микроамперметром “μА”;

Uбэ – напряжение база – эмиттер, измеряемое выносным вольтметром постоянного тока “V1”;

Iк – ток коллектора, измеряемый миллиамперметром “mA”;

Uкэ – напряжение коллектор – эмиттер, измеряемое выносным вольтметром “V2”.

 

Задание 1. Снятие семейства входных вольтамперных







©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.