Задание к лабораторной работе ⇐ ПредыдущаяСтр 2 из 2
1. Снять вольтамперную характеристику (BAX) предложенного преподавателем полупроводникового диода. Измерения провести при комнатной температуре. Снятие характеристики провести в определенных пределах изменения напряжения: при прямом смещении — до напряжения смещения 0,9 В; при обратном смещении измерения провести до напряжения смещения »28 B. 2. Построить график зависимости тока от приложенного к полупроводниковому диоду напряжения и отдельно начертить прямую и обратную ветви вольтамперной характеристики р — n-перехода. 3. Построить для прямого тока график зависимости lnI = f(U) и убедиться, что BAX полупроводникового диода в прямом направлении носит экспоненциальный характер (Uпрям £ 0,6 В). Результаты расчетов lnIпрям занести в табл.2. 4. Bсe записи первичных измерений и расчеты записываются студентом непосредственно без какой-либо обработки. Полученные результаты представляются преподавателю в виде таблиц и графиков.
Таблица 1
Таблица 2
Порядок выполнения работы 1. Ознакомиться с блок-схемой установки для снятия вольтамперной характеристики полупроводникового диода, приведенной на рис. 2. 2. Произвести измерения вольтамперной характеристики р — n-перехода для прямого смещения: а) включить лабораторная установка ФПК-06 в сеть и установить, нажав кнопку «ВАХ-ВФХ», в положение «ВАХ»; б) установить, нажав кнопку «ПРЯМАЯ-ОБРАТНАЯ», в положение «ПРЯМАЯ»; в) Нажимая кнопку «+» увеличивать прямое напряжение на диоде (левое табло) и снимать значение тока через диод на правом табло через каждые 0,1 В (размерность тока на правом табло указывает знак «-») ; 3.Результаты измерений ВАХ для прямого смещения занести в таблицу 1 в графу «Iпрям, мА». 4. После проведения измерений прямого тока, нажав кнопку «СБРОС» установить величину напряжения 0. 5. Для определения вольтамперной характеристики при обратном смещении нажать кнопку «ПРЯМАЯ-ОБРАТНАЯ» в положение «ОБРАТНАЯ». 6. Нажимая кнопку «+» увеличивать обратное напряжение на диоде (левое табло) согласно таблице 1 для обратного смещения и снимать значение тока через диод на правом табло (размерность тока на правом табло указывает знак «-») ; 7. Результаты занести в табл. 1 для «I¢обр, мкА». 8. Выключить лабораторную установку.
КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ 1. Какие вещества называются полупроводниками? 2. В каком случае полупроводник называется полупроводником с собственной, электронной или дырочной проводимостью? 3. Какая зависимость называется вольтамперной характеристикой р — n-перехода? 4. Какие носители заряда являются основными и неосновными в полупроводниках р — n-типа проводимости? 5. Что понимается под электронно-дырочным переходом? 6. Объясните сущность метода измерения вольтамперных характеристик полу- проводникового диода. 7. К чему приводит процесс диффузии основных носителей заряда через границу р- и n-полупроводников, приведенных в контакт? 8. Какие составляющие имеют ток, протекающий через р — n-переход? 9. Какая ветвь в вольтамперной характеристике полупроводникового диода обусловлена током основных носителей заряда? 10. Какие требования предъявляются к вольтметру, включенному в схему для снятия вольтамперных характеристик полупроводникового диода?
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 1. Савельев И.В. Курс общей физики: в 3-х т.-М.: Наука 1992. Т.2,3. 2. Аронов В.Л., Федотов Я.А. Испытание и применение полупроводниковых приборов. – М.: Высш. Школа. 1985. 3. Епифанов Г.И. Физика твердого тела.-М.: Высш. Школа. 1987. 4. Портис А. Физическая лаборатория.-М.:Наука, 1982. 5. Детлаф А.А., Яворский Б.М. Курс физики.-М.: Высш. Школа. 1999. 6. Наумов Н.П. Физические свойства полупроводников. Методические указания к теоретической части цикла лабораторных работ по дисциплине “Физика”.-М.:МИИТ. 1986. ©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.
|