Усилительный каскад на транзисторе по схеме с общим коллектором. Усилительные свойства.
Резистор нагрузки в этой схеме включается в цепь эмиттера. Поскольку составляющая тока эмиттера, вызываемая входным сигналом переменного тока в (1+Р) раз превышает входной ток, то падение напряжение на резисторе Яэ, являющееся выходным, лишь незначительно меньше входного сигнала (ки<1). Вследствие этого каскад с ОК получил название «эмиттерный повторитель». Входное и выходное напряжение каскада совпадают по фазе, так как увеличение входного тока (базы), вызывает увеличение выходного тока (эмиттера) и падения напряжения на резисторе Яэ. Из изложенного также следует, что эмиттерный повторитель является усилителем тока. Усилительный каскад на транзисторе по схеме с общей базой. Усилительные свойства. Каскады с ОБ базой (рис. 3.7) как самостоятельные используются реже, с ОЭ, однако находят применение как составная часть важных типовых схем. Схема усилительного каскада с ОБ показана на рис. Назначение элементов схемы: RK - резистор нагрузки, включен в цепь коллектора транзистора VT; цепи смещения: в схеме «а» - R3; в схеме «б» - Rsi и R& - делитель напряжения, обеспечивающий между базой и эмиттером напряжение смещения, С - шунтирующий конденсатор, обеспечивающий низкое эквивалентное сопротивление для входного сигнала переменного тока. Обратные связи в усилителях. Обратной связью (ОС) в усилителях называют передачу части мощности выходного сигнала на вход. При этом выход и вход усилителя соединяют через цепь обратной связи. Если результирующий входной сигнал при этом возрастает, то обратная связь называется положительной (ПОС), в противном случае - отрицательной (ООС). Цепь ОС может быть подключена параллельно или последовательно входной цепи усилителя. Соответственно, ОС называют последовательной или параллельной. Возможна комбинированная обратная связь. Сигнал ОС может быть пропорциональным выходному напряжению (ОС по напряжению) или выходному току (ОС по току). Использование отрицательной обратной связи для стабилизации характеристик усилительного каскада по схеме с общим эмиттером. Такую ООС создают с помощью резистора R4, включенного в цепь эмиттера транзистора VT Проводимость полупроводников с ростом температуры возрастает. При этом увеличиваются токи транзистора и изменяются его параметры, что приводит к изменению характеристик каскада, в частности, коэффициента усиления. Увеличение тока приводит к дополнительному нагреву транзистора. Включение в цепь эмиттера резистора R4 приводит к стабилизации характеристик каскада. При росте температуры в этом каскаде также возникает тенденция к увеличению тока эмиттера. Однако за счет ООС по току создается обратная тенденция к уменьшению напряжения между эмиттером и базой. Это видно из записанного по 2-му закону Кирхгофа уравнения для постоянных напряжений (при отсутствии входного сигнала) для контура, проходящего через резистор R2, эмиттерный p-n переход и резистор R4: U63=R2l2-R4ls. ©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.
|