Главная | Обратная связь

Тема 8. Електричний струм та контактні явища у напівпровідниках

Електричний струм у напівпровідниках. Дифузійний та дрейфовий струми. Співвідношення Ейнштейна між рухливістю та коефіцієнтом дифузії. Дифузійна довжина та довжина зсуву носіїв заряду. Ефект Холла. Ефект Ганна.

Контактні явища. Робота виходу електронів з кристалу. Контакт двох металів, контактна різниця потенціалів. Термоелектричні явища: Зеебека, Пельтьє, Томсона. Контакт двох напівпровідників з різними типами провідності. Утворення p-n переходу. Рівноважний стан p-n переходу. Воль-амперна характеристика p-n переходу. Інжекція та екстракція носіїв заряду. Напівпровідникові прилади (діоди, транзистори).

Поняття про гетеропереходи та їхнє використання (сонячні елементи, світлодіоди, напівпровідникові лазери).

 

Категорія хвильові явища

Когерентні хвилі – це хвилі, які з часом мають:

Однакові частоти.

Постійну різницю фаз.

Однакові довжини хвиль.

Однакові амплітуди.

 

Різниця ходу двох когерентних світлових хвиль до точки спостереження дорівнює 3l/2. В точці спостереження виникне інтерференційний:

Максимум.

Мінімум.

 

Умова максимального послаблення світла при інтерференції:

D = 2k×l/2

D = (2k+1)×l/2

D = n₂ l₂ – n₁ l₁

D = nl

 

Принцип Гюйгенса – Френеля - це метод для кількісного опису явища:

Інтерференції.

Поляризації.

Дифракції.

Дисперсії.

 

Когерентними називаються хвилі , у яких

w_{1 =} w₂ , j₁ - j₂ = const

A₁=A₂, j₁ - j₂ ¹ const

v₁=v₂, j₁ - j₂ ¹ const

v₁¹ v₂, j₁ - j₂ ¹ const

 

Різниця ходу двох когерентних світлових хвиль до точки спостереження дорівнює l/2. В точці спостереження виникне інтерференційний:

Максимум.

Мінімум.

 

Умова максимального підсилення світла при інтерференції:

n₂ l₂ – n₁ l₁

D = (2m+1)×l/2

D = 2m×l/2

n l

Інтерференція електромагнітних хвиль - це явище накладання електромагнітних хвиль, при якому в різних точках простору виникають лише:

Максимуми амплітуди сумарної хвилі.

Мінімуми амплітуди сумарної хвилі.

Максимуми та мінімуми амплітуди сумарної хвилі.

 

Перерозподіл інтенсивності в просторі, який відбувається при накладанні когерентних електромагнітних хвиль називається явищем:

Дифракції.

Інтерференції.

Поляризації.

Фотоефекту.

 

Явище огинання хвилями перешкод за розмірами сумірних з довжиною хвилі називається явищем:

Поляризації.

Дифракції.

Інтерференції.

Фотоефекту.

 

 

Різниця ходу двох когерентних світлових хвиль до точки спостереження дорівнює 3l/2.Амплітуда коливань внаслідок інтерференції буде:

А=0

0<А<2А

2А

4А

 

 

Період дифракційної гратки- це:

Величина не прозорого проміжку в дифракційної гратці.

Величина прозорого проміжку в дифракційної гратці.

Величина, яка дорівнює сумі прозорого та не прозорого проміжку в дифракційній гратці.

Величина, яка визначається відношенням довжини дифракційної гратки до кількості її штрихів.

 

У виразі D = d sin j величина d це є:

Кут дифракції

Період дифракційної гратки.

Різниця ходу променів.

Оптична різниця ходу променів.

 

У виразі D = d sin j величина j це є:

Кут дифракції.

Період дифракційної гратки.

Різниця ходу променів.

Оптична різниця ходу променів.

 

У виразі D = d sin j величина це є:

Кут дифракції.

Період дифракційної гратки.

Різниця ходу променів.

Оптична довжина.

 

Потік випромінювання - це ФВ рівна:

Відношенню електромагнітної енергії, яка поглинається тілом, до енергії, що доставляється на поверхню цього тіла електромагнітними хвилями в інтервалі частот від до .

Кількості енергії, яку випромінює тіло за одиницю часу.

Енергії електромагнітного випромінювання, яка випромінюється за одиницю часу з одиниці площі поверхні тіла в інтервалі частот від до .

Енергії електромагнітного випромінювання, яка випромінюється за одиницю часу з одиниці площі поверхні тіла в інтервалі довжин хвиль від до .

 

Інтегральна випромінювальна здатність тіла - це ФВ рівна:

Відношенню електромагнітної енергії, яка поглинається тілом, до енергії, що доставляється на поверхню цього тіла електромагнітними хвилями в інтервалі частот від до .

Потоку електромагнітного випромінювання усіх частот з одиниці поверхні тіла.

Енергії електромагнітного випромінювання, яка випромінюється за одиницю часу з одиниці площі поверхні тіла в інтервалі довжин хвиль від до .

Енергії електромагнітного випромінювання, яка випромінюється за одиницю часу з одиниці площі поверхні тіла в інтервалі частот від до .

 

Спектральна випромінювальна здатність тіла – це ФВ рівна:

Енергії електромагнітного випромінювання, яка випромінюється за одиницю часу з одиниці площі поверхні тіла в інтервалі довжин хвиль від до .

Рівна відношенню електромагнітної енергії, яка поглинається тілом, до енергії, що доставляється на поверхню цього тіла електромагнітними хвилями в інтервалі частот від до .

Рівна потоку електромагнітного випромінювання усіх частот з одиниці поверхні тіла.

Енергії електромагнітного випромінювання, яка випромінюється за одиницю часу з одиниці площі поверхні тіла в інтервалі частот від до .

 

Спектральна поглинальна здатність тіла:

Енергії електромагнітного випромінювання, яка випромінюється за одиницю часу з одиниці площі поверхні тіла в інтервалі довжин хвиль від до .

Рівна відношенню електромагнітної енергії, яка поглинається тілом, до енергії, що доставляється на поверхню цього тіла електромагнітними хвилями в інтервалі частот від до .

Рівна потоку електромагнітного випромінювання усіх частот з одиниці поверхні тіла.

Рівна відношенню електромагнітної енергії, яка поглинається тілом, до енергії, що доставляється на поверхню цього тіла електромагнітними хвилями в інтервалі частот від до .

 

Теплове випромінювання:

Рівноважне.

Не рівноважне.

 

Теплове випромінювання це:

Один з видів люмінесценції - хемілюмінесценція.

Один з видів люмінесценції - фотолюмінесценція.

Один з видів люмінесценції - електролюмінесценція.

Електромагнітні хвилі, які випромінюються будь-яким нагрітим тілом з за рахунок своєї внутрішньої енергії.

 

Одиниця вимірювання потоку випромінювання енергії у СІ:

Дж

Дж/м³

Дж/с

Дж/(м²с)

 

Чому дорівнює поглинальна здатність тіла, якщо відбивна здатність його дорівнює 0,5.

0,5.

1,0.

1,5.

2.

 

Випромінювальна здатність тіла залежить від:

Речовини тіла.

Температури тіла.

Агрегатного стану тіла.

Частоти (довжини хвилі).

 

Випромінювальна здатність тіла не залежить від:

Речовини тіла.

Температури тіла.

Агрегатного стану тіла.

Частоти (довжини хвилі).

 

Закон Кірхгофа для теплового випромінювання формулюється:

Інтегральна випромінювальна здатність АЧТ прямо пропорційна четвертому ступеню його абсолютної температури.

Відношення спектральної випромінювальної здатності тіла до його спектральної поглинальної здатності не залежить від природи тіла, є універсальною функцією частоти (довжини хвилі) і температури та дорівнює спектральній випромінювальній здатності АЧТ.

Довжина хвилі, яка відповідає максимальному значенню спектральної випромінювальної здатності АЧТ, обернено пропорційна його абсолютній температурі.

Величина максимуму спектральної випромінювальної здатності АЧТ прямо пропорційна п’ятому ступеню його абсолютної температури.

 

Закон Стефана - Больцмана для теплового випромінювання формулюється:

Інтегральна випромінювальна здатність АЧТ прямо пропорційна четвертому ступеню його абсолютної температури.

Відношення спектральної випромінювальної здатності тіла до його спектральної поглинальної здатності не залежить від природи тіла є універсальною функцією частоти (довжини хвилі) і температури та дорівнює спектральній випромінювальній здатності АЧТ.

Довжина хвилі, яка відповідає максимальному значенню спектральної випромінювальної здатності АЧТ , обернено пропорційна його абсолютній температурі.

Величина максимуму спектральної випромінювальної здатності АЧТ прямо пропорційна п’ятому ступеню його абсолютної температури.

 

Перший закон Віна для теплового випромінювання формулюється:

Інтегральна випромінювальна здатність АЧТ прямо пропорційна четвертому ступеню його абсолютної температури.

Відношення спектральної випромінювальної здатності тіла до його спектральної поглинальної здатності не залежить від природи тіла є універсальною функцією частоти (довжини хвилі) і температури та дорівнює спектральній випромінювальній здатності АЧТ.

Довжина хвилі, яка відповідає максимальному значенню спектральної випромінювальної здатності АЧТ , обернено пропорційна його абсолютній температурі.

Величина максимуму спектральної випромінювальної здатності АЧТ прямо пропорційна п’ятому ступеню його абсолютної температури.

 

Другий закон Віна для теплового випромінювання формулюється:

Інтегральна випромінювальна здатність АЧТ прямо пропорційна четвертому ступеню його абсолютної температури.

Відношення спектральної випромінювальної здатності тіла до його спектральної поглинальної здатності не залежить від природи тіла є універсальною функцією частоти (довжини хвилі) і температури та дорівнює спектральній випромінювальній здатності АЧТ.

Довжина хвилі, яка відповідає максимальному значенню спектральної випромінювальної здатності АЧТ , обернено пропорційна його абсолютній температурі

Величина максимуму спектральної випромінювальної здатності АЧТ прямо пропорційна п’ятому ступеню його абсолютної температури.

 

Універсальна функція Кірхгофа не залежить від:

Речовини тіла.

Обєму тіла.

Температури.

Довжини хвилі.

 

Поглинальна здатність сірого тіла при збільшенні довжини хвилі випромінювання

Збільшується.

Не змінюється.

Зменшується.

 

Вказати, який вираз для поглинальної випромінювальної здатності характеризує АЧТ:

 

Вказати, який вираз для поглинальної випромінювальної здатності характеризує абсолютно біле тіло:

 

Вказати, який вираз для поглинальної випромінювальної здатності характеризує кольорове тіло:

 

 

Вказати, який вираз для поглинальної випромінювальної здатності характеризує сіре тіло:

 

Спектральна випромінювальна здатність АЧТ залежить від довжини хвилі згідно з графіком:

 

Закон зміщення Віна ( І закон Віна) записується:

r_nT /a_nT = e_nT

e_T = sT⁴

e_nT = sT⁵

 

Випромінювальна здатність АЧТ за гіпотезою Планка є:

 

Вказати правило Прево:

Відношення спектральної випромінювальної здатності тіла до його спектральної поглинальної здатності не залежить від природи тіла є універсальною функцією частоти (довжини хвилі) і температури та дорівнює спектральній випромінювальній здатності АЧТ.

Чим більше тіло випромінює енергії, тим більше енергії воно і поглинає.

температури та дорівнює спектральній випромінювальній здатності АЧТ.

Чим менше тіло випромінює енергії, тим менше енергії воно і поглинає.

Відношенню електромагнітної енергії, яка поглинається тілом, до енергії, що доставляється на поверхню цього тіла електромагнітними хвилями.

 

Енергія кванта випромінювання є:

Категорія ЕКМ

Рівняння Ейнштейна для зовнішнього фотоефекту це відображення:

хвильових властивостей випромінювання.

корпускулярних властивостей випромінювання.

 

Вольт-амперна характеристика для зовнішньому фотоефекту має вигляд

 

Гіпотеза Луї де Бройля говорить про те, що мікрочастинки мають лише:

Корпускулярні властивості.

Хвильові властивості.

Корпускулярні та корпускулярні властивості.

 

Хвильові властивості не проявляються у:

мікроскопічних тіл

макроскопічних тіл.

 

Хвильові властивості проявляються у:

мікроскопічних тіл.

Макроскопічних тіл.

 

Мікрочастинка внаслідок наявності хвильових властивостей:

Має чітку траєкторію.

Не має чіткої траєкторії.

 

За допомогою хвильової функції в квантовій механіці можна обчислити:

Середні значення фізичних величин, які характеризують певний об’єкт, що перебуває в стані, який описує хвильова функція.

Точні значення фізичних величин, які характеризують певний об’єкт, що перебуває в стані, який описує хвильова функція.

 

У стаціонарному стані рівняння Шредінгера:

Є залежність хвильової функції y від часу.

Залежність хвильової функції y від часу виключена.

 

Загальним розв’язком стаціонарного рівняння Шредінгера для мікрочастинки в одномірній прямокутній потенціальній “ямі” є:

y(x) = A sin kx + В cos kx

y(x) =0

y(x) =A cos kx

y(x) = A sin(kx)

Тунельний ефект – це:

Відбивання мікрочастинки від потенціального бар’єру.

Проходження мікрочастинки через потенціальний бар’єр, коли її енергія менша висоти потенціального бар’єру.

Проходження мікрочастинки через потенціальний бар’єр, коли її енергія більша висоти потенціального бар’єру.

Проходження мікрочастинки через потенціальний бар’єр, коли її енергія дорівнює висоти потенціального бар’єру

 

Із збільшенням номера лінії в спектральній серії Бальмера її інтенсивність

Збільшується.

Зменшується.

 

Перший постулат Бора (постулат стаціонарних станів) формулюється:

В атомі існують стаціонарні стани з відповідними значеннями енергії, перебуваючи в яких він не випромінює і не поглинає енергію.

В стаціонарному стані атома, електрон рухаючись по орбіті, повинен мати дискретні значення моменту імпульсу, які задовольняють умову , де .

При переході атома з одного стаціонарного стану в інший випромінюється або поглинається квант енергії, який дорівнює різниці енергій відповідних стаціонарних станів .

 

Другий постулат Бора (правило квантування орбіт) формулюється:

В атомі існують стаціонарні стани з відповідними значеннями енергії, перебуваючи в яких він не випромінює і не поглинає енергію.

В стаціонарному стані атома, електрон рухаючись по орбіті, повинен мата дискретні значення моменту імпульсу, які задовольняють умову , де .

При переході атома з одного стаціонарного стану в інший випромінюється або поглинається квант енергії, який дорівнює різниці енергій відповідних стаціонарних станів .

 

Третій постулат Бора (правило частот) формулюється:

В атомі існують стаціонарні стани з відповідними значеннями енергії, перебуваючи в яких він не випромінює і не поглинає енергію.

В стаціонарному стані атома, електрон рухаючись по орбіті, повинен мата дискретні значення моменту імпульсу, які задовольняють умову , де .

При переході атома з одного стаціонарного стану в інший випромінюється або поглинається квант енергії, який дорівнює різниці енергій відповідних стаціонарних станів .

 

Стан електрона в атомі водню описується хвильовою функцією, яка є розв’язком стаціонарного рівняння Шредінгера:

D y + (E - ½ mw² r²) y = i дy/ дt

D y + (E - U) y = i дy/ дt

D y + (E + Ze² /(4pe₀r)) y = i дy/ дt

Dy + (E - U) y = 0

 

Рівняння Шредінгера задовольняють власні функції, які визначаються квантовими числами

Головним.

Орбітальним.

Спіновим.

Хвильовим числом.

 

Правила відбору:

Обмежують кількість можливих переходів електронів у атомі.

Не обмежують кількість можливих переходів електронів у атомі.

 

Рівняння для зовнішньому фотоефекту це є вираз:

Закону збереження маси..

Закону збереження енергії.

Закону збереження імпульсу.

Закону збереження заряду.

 

Фотон – це:

Квант електромагнітного випромінювання.

Квант звукових коливань.

Елементарна частинка.

Пара електрон – дірка.

 

Співвідношення невизначеностей Гейзенберга формулюються:

З кожним мікрооб’єктом пов’язуються з одного боку корпускулярні характеристики (енергія, імпульс), а з другого хвильові характеристики (частота і довжина хвилі).

Мікрочастинка (мікрооб’єкт) не може мати одночасно і певну координати, і певну проекцію імпульсу.

Будь-якій мікрочастинці, що має імпульс, спів ставляють хвильовий процес з довжиною хвилі, яка визначається за формулою λ=h/(mV).

Добуток невизначеностей координати і відповідної їй проекції імпульсу не бути меншим величини порядку h (cталої Планка).

 

Вказати формулу де Бройля:

Е= hv

λ=h/(mV)

 

Вказати співвідношення невизначеностей Гейзенберга:

Добуток невизначеностей координати і відповідної їй проекції імпульсу не бути меншим величини порядку h (cталої Планка).

λ=h/(mV)

 

Хвилі де Бройля – це:

Поздовжні пружні хвилі.

Поперечні пружні хвилі.

Хвилі, які відображають корпускулярно-хвильовий дуалізм мікрооб’єктів.

Електромагнітні хвилі.

 

Головне рівняння нерелятивістської квантової механіки-рівняння Шредінгера:

Виводиться.

Постулюється.

 

Існування хвиль де Бройля підтверджують явища:

Інтерференції.

Поляризації.

Дифракції.

Фотоефекту.

 

Стан мікрочастинки в квантовій механіці визначається її:

Координатами.

Імпульсом.

Енергією.

Хвильовою функцією.

 

Стаціонарне рівняння Шредінгера має вигляд

D y + (E - ½ mw² r²) y = i дy/ дt

D y + (E - U) y = i дy/ дt

D y + (E + Ze² /(4pe₀r)) y = i дy/ дt

Dy + (E - U) y = 0

Енергія Е_n частинки в потенціальній ”ямі” з нескінченно високими стінками

Може бути довільною.

Набуває лише певні дискретні значення.

 

Головне квантове число n визначає :

Проекцію власного моменту імпульсу електрона на заданий напрямок зовнішнього магнітного поля

Проекцію орбітального моменту імпульсу електрона на напрямок зовнішнього магнітного поля.

Орбітальний момент електрона в атомі.

Енергію атома.

 

Магнітне квантове число m_l визначає:

Проекцію власного моменту імпульсу електрона на заданий напрямок зовнішнього магнітного поля.

Проекцію орбітального моменту імпульсу електрона на заданий напрямок зовнішнього магнітного поля.

Енергію атома.

Орбітальний момент електрона в атомі.

 

Спінове магнітне квантове число m_s визначає:

Орбітальний момент електрона в атомі.

Проекцію власного моменту імпульсу електрона на заданий напрямок зовнішнього магнітного поля.

Проекцію орбітального моменту імпульсу електрона на заданий напрямок зовнішнього магнітного поля.

Енергію атома.

 

Орбітальне квантове число l визначає:

визначає:

Проекцію власного моменту імпульсу електрона на заданий напрямок зовнішнього магнітного поля.

Проекцію орбітального моменту імпульсу на заданий напрямок зовнішнього магнітного поля.

Енергію атома.

Орбітальний момент електрона в атомі.

 

Cпін електрона - це його:

Орбітальний момент імпульсу.

Власний механічний момент імпульсу.

Власний магнітний момент.

Орбітальний магнітний момент.

 

Головне квантове число приймає значення:

l=0, 1, 2, …, n-1

n=1, 2, 3, ...

 

Орбітальне квантове число приймає значення:

l=0, 1, 2, …, n-1

n=1, 2, 3, ...

Магнітне квантове число приймає значення:

l=0, 1, 2, …, n-1

n=1, 2, 3, ...

Магнітне спінове квантове число приймає значення:

l=0, 1, 2, …, n-1

n=1, 2, 3, ...

 

Два однакових ферміони одночасно в однаковому стані в одній системі:

Можуть перебувати.

Не можуть перебувати.

 

Два однакових бозони одночасно в однаковому стані в одній системі:

Можуть перебувати.

Не можуть перебувати.

 

Для зовнішнього фотоефекту величина фотоструму насичення залежить від:

Частоти випромінювання.

Довжини хвилі опромінювання.

Роботи виходу електронів.

Потоку (інтенсивності) опромінювання (освітлення).

 

Для зовнішнього фотоефекту величина швидкості електронів залежить від:

Частоти випромінювання.

Довжини хвилі опромінювання.

Роботи виходу електронів.

Потоку (інтенсивності) опромінювання (освітлення).

 

Явище фотоефекту викликають електромагнітні хвилі :

Будь-якої довжиною хвилі.

Будь-якої частоти.

Починаючи з деякої певної довжиною хвилі.

Починаючи з деякої певної частоти.

 

Довжина хвилі де Бройля записується:

 

Хвильова функція y повинна задовольняти умовам:

Однозначності.

Поперечності.

Неперервності.

Дискретності.

 

Для потенціального бар’єру довільної форми коефіцієнт прозорості визначається:

 

Серія Лаймана (для ультрафіолетової області спектра - є:

 

Серія Бальмера (для видимої області) спектра - є:

 

Серія Пашена (для інфрачервоної області спектра- є:

 

Із розвязків рівняння Шредінгера випливає, що орбітальний момент імпульсу електрона в атомі квантується і виражається співвідношенням:

 

Власний механічний момент імпульсу електрона виражається співвідношенням:

 

Кількість однотипних бозонів, що перебувають в одному і тому ж стані :

Обмежується.

Не обмежується.

 

 

Швидкість фотоелектронів залежить від:

Роботи виходу електронів з речовини.

Частоти, падаючого на речовину світла.

Інтенсивності, падаючого на речовину світла.

Довжини хвилі , падаючого на речовину світла.

 

Для потенціального бар’єру шириною l коефіцієнт прозорості визначається:

 

Принцип Паулі формулюється:

Неможливо експериментально розрізнити тотожні частинки.

Будь-яка нова загальніша теорія є розвитком класичної, не відповідає їй повністю, включає класичну теорію, вказуючи на межі її застосування, причому в окремих граничних випадках нова теорія переходить в попередню теорію.

Системи ферміонів зустрічаються в природі лише в станах, що описуються антисиметричними хвильовими функціями.

В системі однакових ферміонів будь-які два з них не можуть одночасно перебувати в одному й тому ж стані.

 

Принцип нерозрізнимості тотожних частинок формулюється:

Будь-яка нова загальніша теорія є розвитком класичної, не відповідає їй повністю, включає класичну теорію, вказуючи на межі її застосування, причому в окремих граничних випадках нова теорія переходить в попередню теорію.

Системи ферміонів зустрічаються в природі лише в станах, що описуються антисиметричними хвильовими функціями.

В системі однакових ферміонів будь-які два з них не можуть одночасно перебувати в одному й тому ж стані.

Неможливо експериментально розрізнити тотожні частинки.

 

 

Вказати симетричну хвильову функцію:

 

Вказати антисиметричну хвильову функцію:

Мікрочастинки які мають ціле (або нуль) спінове квантове число відносяться до:

Ферміонів.

Бозонів.

 

Мікрочастинки, які мають пів ціле спінове квантове число відносяться до:

Ферміонів.

Бозонів.

 

Довжина хвиль де Бройля електрона (в метрах), що прискорюється в електричному визначається:

l=vT

Квадрат модуля амплітуди ψ функції - це:

Амплітуда імовірності.

Густина імовірності.

Умова нормування імовірності.

Хвильова функція.

 

Співвідношення невизначеностей визначається нерівностями:

 

Принцип причинності у квантовій механіці пояснюється:

Будь-яка нова загальніша теорія є розвитком класичної, не відповідає їй повністю, включає класичну теорію, вказуючи на межі її застосування, причому в окремих граничних випадках нова теорія переходить в попередню теорію.

За відомим станом системи в деякий момент часу, який повністю визначається значеннями координат і імпульсів всіх частинок системи та силами прикладеними до неї, можна абсолютно точно задати її стан в будь-який наступний момент часу.

Хвильова функція задовольняє рівнянню Шредінгера, яке містить першу похідну по часу. Тому задання початкової хвильової функції визначає її значення для будь-яких наступних моментів часу.

Неможливо експериментально розрізнити тотожні частинки.

 

Умова нормування хвильової функції визначається :

Електрон пройшов різницю потенціалів 100 В. Довжина хвилі де Броля його при цьому дорівнює :

1,00 10^-6м

1,20 10^-8м

1,23 10^-10м

1,43 10^-10м

 

Зовнішній фотоефект можливий , якщо виконується умова:

 

Головне рівняння нерелятивістської механіки в загальному вигляді є :

D y + (E - ½ mw² r²) y = 0

D y + E y = 0

D y +U(x,y,z,t)y = i дy/ дt

Dy + (E - U) y = 0

 

При температурах близьких до абсолютного нуля атоми речовини потрібно розглядати як:

Нерухомі.

Класичні гармонічні осцилятори.

Квантові гармонічні осцилятори.

 

Спінове квантове число s примає значення:

½

 

Якщо при обміні місцями мікрочастинок хвильова функція змінює знак , то вона називається:

Симетричною.

Антисиметричною.

 

Електронні оболонки в атомі поділяються на підоболонки, які відрізняються значеннями квантового числа:

n

l

m_l

m_s

Максимальна кількість електронів, які перебувають в станах, що визначається головним квантовим числом, дорівнює:

n

0,1,2,…, n-1

2n²

0, ±1, ±2,…, l

 

Згідно гіпотези Планка енергія випромінюється тілами:

Дискретно.

Неперервно.

Квантами.

Фононами.

 

Температура абсолютно чорного тіла зменшилася у 2 рази. Тоді довжина хвилі, на яку припадає максимум спектральної випромінювальної здатності АЧТ :

Збільшилася у 2 рази.

Зменшилася у 2 рази.

Не змінилася.

 

Температура абсолютно чорного тіла збільшилася у 2 рази. Тоді довжина хвилі, на яку припадає максимум спектральної випромінювальної здатності АЧТ :

Збільшилася у 2 рази.

Зменшилася у 2 рази.

Не змінилася.

 

Енергетичний спектр вільної частинки є:

Неперервний.

Дискретний.

 

Проекція спіна на напрям зовнішнього магнітного поля визначається:

 

 

МОДУЛЬ 4

Енергетичні стани електрона в ізольованому атомі від енергетичних станів таких же атомів в кристалі відрізняються:

У ізольованих N атомів є однакові N енергетичних рівнів.

У ізольованих N атомів всі енергетичні рівні різні .

У кристалах замість однакового для всіх N атомів рівня виникають N дуже близьких рівнів, які не співпадають (утворюється енергетична смуга - енергетична зона).

 

Де згідно рисунку розташовуються дозволені енергетичні зони:

1.

2.

3.

 

Заборонена енергетична зона в ТТ - це:

Енергетична зона в ТТ повністю заповнена валентними електронами при будь-якій температурі.

Енергетична зона в ТТ, яка повністю вільна від електронів або частково заповнена електронами при температурі Т=0К.

Енергетична зона в ТТ, в якій електрони перебувати не можуть.

Енергетична зона в ТТ, яка при Т=0К максимально заповнена валентними електронами.

 

Валентна зона - це енергетична зона в ТТ:

Яка повністю вільна від електронів при будь-якій температурі.

Яка повністю заповнена дірками.

В якій електрони перебувати не можуть.

Яка при Т=0К максимально заповнена валентними електронами.

 

Зона провідності - це енергетична зона в ТТ:

Яка повністю вільна від електронів або частково заповнена електронами при температурі Т=0К.

Яка повністю заповнена дірками.

В якій електрони перебувати не можуть.

Яка при Т=0К повністю заповнена валентними електронами.

 

Носіями зарядів у власних напівпровідниках є:

Електрони.

Дірки.

Електрони і дірки.

Позитивно і негативно заряджені іони.

 

Основними носіями зарядів у напівпровідниках р-типу є:

Електрони.

Дірки.

Електрони і дірки.

Позитивно і негативно заряджені іони.

 

Основними носіями зарядів у напівпровідниках n-типу є:

Електрони.

Дірки.

Електрони і дірки.

Позитивно і негативно заряджені іони.

 

Неосновними носіями зарядів у напівпровідниках р-типу є:

Електрони.

Дірки.

Електрони і дірки.

Позитивно і негативно заряджені іони.

 

Неосновними носіями зарядів у напівпровідниках n-типу є:

Електрони.

Дірки.

Електрони і дірки.

Позитивно і негативно заряджені іони.

 

Який вираз відноситься до концентрації електронів у власному напівпровіднику n-типу:

 

Який вираз відноситься до концентрації електронів у напівпровіднику р-типу:

 

Який вираз відноситься до концентрації електронів у власному напівпровіднику ?

 

Який вираз відноситься до концентрації електронів у металах:

 

 

Домішки , які є джерелом електронів, називаються:

Акцепторами.

Донорами.

 

Домішки , які є джерелом дірок, називаються:

Акцепторами.

Донорами.

 

Зонна діаграма для напівпровідника n- типу є:

 

Енергетичні рівні домішок, які є джерелом дірок, називаються:

Донорними.

Акцепторними.

 

Енергетичні рівні домішок, які є джерелом електронів, називаються:

Донорними.

Акцепторними.

 

Напівпровідники з дірковою провідністю називаються:

Електронними.

Дірковими.

n- типу.

р- типу.

 

Напівпровідники з електронною провідністю називаються:

Електронними.

Дірковими.

n- типу.

р- типу.

 

Метал (при 0К) за зонною теорією – це:

Речовина із шириною забороненої зони .

Речовина з вузькою забороненою зоною.

Речовина з відсутньою забороненою зоною.

Речовина із шириною забороненої зони .

 

Напівпровідник (при 0К) за зонною теорією – це:

Речовина із шириною забороненої зони .

Речовина з вузькою забороненою зоною.

Речовина з відсутньою забороненою зоною.

Речовина із шириною забороненої зони .

 

Діелектрик (при 0К) за зонною теорією – це:

Речовина із шириною забороненої зони .

Речовина з вузькою забороненою зоною.

Речовина з відсутньою забороненою зоною.

Речовина із шириною забороненої зони .

 

Що таке зона провідності для металів одновалентних металів (при 0 К)?

Повністю пуста зона.

Повністю заповнена зона.

Зона заповнена на половину

Гібридна зона.

 

Що таке зона провідності для металів двовалентних металів (при 0 К)?

Повністю пуста зона.

Повністю заповнена зона.

Зона заповнена на половину.

Гібридна зона.

 

 

Енергетичні стани електрона в ізольованому атомі від енергетичних станів таких же атомів в кристалі відрізняються:

У ізольованих N атомів є однакові N енергетичних рівнів.

У ізольованих N атомів всі енергетичні рівні різні .

У кристалах замість однакового для всіх N атомів рівня виникають N дуже близьких рівнів, які не співпадають (утворюється енергетична смуга - енергетична зона).

 

Валентна енергетична зона у н/п - це:

Дозволена зона для електронів.

Сама нижня зона пуста зона.

Сама верхня зона, в якій при Т=0 К всі рівні зайняті електронами.

Зона, в якій можуть переміщатися дірки.

 

Де згідно рисунку розташовуються дозволені енергетичні зони ?

1.

2.

3.

 

Де згідно рисунку у власному напівпровіднику розташовується рівень Фермі при 0 К?

1.

2.

3.

 

Яка зонна діаграма відповідає одновалентному металу:

 

 

 

Яка зонна діаграма відповідає напівпровіднику?:

 

Яка зонна діаграма відповідає діелектрику:

 

За зонною теорією тверде тіло є провідником струму, коли є:

Вільні носії заряду.

Вільні енергетичні рівні.

Носії заряду та вільні енергетичні рівні.

 

Де розташований рівень Фермі у власному напівпровіднику при Т=0К?

Поблизу нижнього рівня зони провідності.

Поблизу верхнього рівня валентної зони.

Посередині забороненої зони.

 

Де згідно рисунку у власному напівпровіднику розташовується валентна енергетична зона ?:

1.

2.

3.

 

Зонна діаграма для напівпровідника p – типу :

 

Напівпровідники n- типу – це напівпровідники з домішкою, валентність якої:

На одиницю менша, ніж валентність основних атомів.

На одиницю більша, ніж валентність основних атомів.

Не залежить від валентності основних атомів.

Рівна основних атомів.

 

Напівпровідники n- типу – це напівпровідники з домішкою, валентність якої:

На одиницю менша, ніж валентність основних атомів.

На одиницю більша, ніж валентність основних атомів.

Не залежить від валентності основних атомів.

 

Домішки , які є джерелом електронів, називаються:

Акцепторами.

Донорами.

 

Домішки , які є джерелом дірок, називаються:

Акцепторами.

Донорами.

 

Енергетичні рівні домішок, які є джерелом дірок, називаються:

Донорними.

Акцепторними.

 

Енергетичні рівні домішок, які є джерелом електронів, називаються:

Донорними.

Акцепторними.

 

Напівпровідники з дірковою провідністю називаються:

Електронними.

Дірковими.

n- типу.

р- типу.

 

Напівпровідники з електронною провідністю називаються:

Електронними.

Дірковими.

n- типу.

р- типу.

 

Метал (при 0К) за зонною теорією – це:

Речовина із шириною забороненої зони .

Речовина з вузькою забороненою зоною.

Речовина з відсутньою забороненою зоною.

Речовина із шириною забороненої зони .

 

Напівпровідник (при 0К) за зонною теорією – це:

Речовина із шириною забороненої зони .

Речовина з вузькою забороненою зоною.

Речовина з відсутньою забороненою зоною.

Речовина із шириною забороненої зони .

 

Діелектрик (при 0К) за зонною теорією – це:

Речовина із шириною забороненої зони .

Речовина з вузькою забороненою зоною.

Речовина з відсутньою забороненою зоною.

Речовина із шириною забороненої зони .

 

Що таке зона провідності для металів одновалентних металів (при 0 К)?

Повністю пуста зона.

Повністю заповнена зона.

Зона заповнена на половину

Гібридна зона.

 

Що таке зона провідності для металів двовалентних металів (при 0 К)?

Повністю пуста зона.

Повністю заповнена зона.

Зона заповнена на половину.

Гібридна зона.

 

 

Яка домішка призводить до виникнення електронної провідності в Ge

Ga.

P.

In.

As.

 

Яка домішка призводить до виникнення діркової провідності в Si

Ga.

P.

In.

As.

 

Які носії заряду називаються неосновними:

Електрони в напівпровіднику -n типу.

Електрони в напівпровіднику p – типу.

Дірки в напівпровіднику n – типу.

Дірки в напівпровіднику p – типу.

 

Що таке робота виходу електронів із металу - це:

Робота, яку потрібно здійснити електрону, щоб перейти на сусідній енергетичний рівень.

Робота, яку потрібно здійснити електрону, щоб перейти на найвищий енергетичний рівень.

Робота, яку потрібно здійснити електрону, щоб перейти на найнижчий енергетичний рівень.

Найменша робота, яку потрібно здійснити електрону, щоб вийти із металу назовні.

 

При контакті метал-напівпровідник p – типу з А_м>А_н/п утворюється:

Контактний шар збіднений електронами (запірний шар)

Контактний шар збагачений електронами (антизапірний шар)

Контактний шар збагачений дірками (антизапірний шар)

Контактний шар збіднений дірками (запірний шар)

 

 

На рисунку показано контакт двох різних металів і напрям струму в колі. Що відбуватимесь із спаєм 1 і 2 А₁ < А₂?

1 – охолоджуватимесь.

2 – нагріватимесь.

1 – нагріватимес.

.2 – охолоджуватимесь.

1.

2.

3.

 

 

Надання металу надлишкового позитивного заряду:

Збільшує потенціал і всередині, і на поверхні металу.

Зменшує потенціальну енергію.

Зменшує потенціал і всередині, і на поверхні металу.

Збільшує потенціальну енергію

 

Робота виходу із речовини у вакуум описується виразом:

 

Термоелектрорушійна сила описується виразом:

 

На рисунку показано контакт двох різних металів і напрям струму в колі.

Що відбуватимесь із спаєм 1 і 2 при А₁ > А₂ і заданому напрямі струму:

1 – охолоджуватимесь.

2 – нагріватимесь.

1 – нагріватимесь.

2 – охолоджуватимесь.

 

Вольт-амперна характеристика p – n переходу має вигляд:

 

Надання металу надлишкового негативного заряду:

Збільшує потенціал і всередині , і на поверхні металу.

Зменшує потенціальну енергію.

Зменшує потенціал і всередині , і на поверхні металу.

Потенціал не змінює.

 

Напрям зовнішнього електричного поля, який зменшує потенціальний бар’єр p – n переходу називається:

Зворотним.

Прямим.

Пропускним.

Запірним.

 

 

Напрям зовнішнього електричного поля, який збільшує потенціальний бар’єр p – n переходу називається:

Зворотним

Прямим..

Пропускним.

Запірним.

 

 

При контакті метал-напівпровідник p – типу з А_м>А_н/п утворюється:

Контактний шар збіднений електронами (запірний шар).

Контактний шар збагачений електронами (антизапірний шар).

Контактний шар збагачений дірками (антизапірний шар).

Контактний шар збіднений дірками (запірний шар).

 

 

Внутрішня контактна різниця потенціалів проявляється у:

р-n переходах.

Діодах Шотткі.

Термісторах.

Фоторезисторах.

 

Від чого залежить внутрішня контактна різниця потенціалів:

Від різниці робіт виходу електрона.

Від різниці енергій Фермі.

Від різниці енергій дна зони провідності та стелі валентної зони.

 

Від чого залежить зовнішня контактна різниця потенціалів:

Від різниці робіт виходу електрона.

Від різниці енергій Фермі.

Від різниці енергій дна зони провідності та стелі валентної зони.

 

Що таке ЗБАГАЧЕННЯ в контактних явищах:

Випадок, коли в приповерхневій області контакту основних носіїв заряду більше, ніж неосновних.

Випадок, коли в приповерхневій області контакту основних носіїв заряду більше, ніж в об’ємі.

Випадок, коли в приповерхневій області контакту основних носіїв заряду менше, ніж неосновних.

 

Що таке ВИСНАЖЕННЯ в контактних явищах:

Випадок, коли в приповерхневій області контакту основних носіїв заряду більше, ніж неосновних.

Випадок, коли в приповерхневій області контакту о