Главная | Обратная связь

по дисциплине «Оптоэлектронные средства передачи и обработки информации»

ТЕСТЫ

 

№	Постановка вопроса	Варианты ответов
	Физической основой работы полупроводниковых светоизлучающих диодов является:	1. фотолюминесценция; 2. тепловое излучение; 3. оже-рекомбинация; 4. инжекционная люминесценция.
	Длина волны оптического излучения светодиода λ в зависимости от энергетической ширины запрещённой зоны полупроводника определяется соотношением:	1. ; 2. ; 3. ; 4. , h – постоянная Планка, n – показатель преломления оптической среды; c – скорость света; εз­­ – энергетическая ширина запрещённой зоны полупроводника.
	Светоизлучающие диоды по сравнению с обычными выпрямительными диодами имеют:	1. большие значения прямого падения напряжения Uпр и обратного допустимого напряжения Uобр доп; 2. малые значения Uпр и большие значения Uобр доп; 3. большие значения Uпр и малые значения Uобр доп; 4. малые значения Uпр и малые значения Uобр доп.
	Использование в светодиодах гетеропереходов позволяет повысить:	1. коэффициент инжекции; 2. внутренний квантовый выход; 3. коэффициент вывода света; 4. допустимое обратное напряжение.

 

	Ток возбуждения светодиода определяется как:	1. ; 2. ; 3. ; 4. , α – коэффициент передачи тока транзистора в схеме ОБ.
	Резистор R3 вводится в схему для:	1. установления режима светодиода; 2. стабилизации режима светодиода; 3. повышения внутреннего квантового выхода; 4. повышения коэффициента вывода света.

 

	С помощью транзисторного каскада обеспечивается:	1. стабилизация режима светодиода; 2. линейность излучательной характеристики; 3. защита светодиода от перегрузки по току; 4. защита светодиода от перегрузки по напряжению.
	В линейном модуляторе модуляционная составляющая тока светодиода определяется как:	1. ; 2. ; 3. ; 4. .
	Ток возбуждения светодиода, действующего в режиме переключений, равен:	1. ; 2. ; 3. ; 4. , U­­пр – прямое напряжение на светодиоде.

 

	Специфичным параметром линейных шкал и цифробуквенных индикаторов является:	1. длина волны излучения, соответствующая максимуму спектрального распределения излучения; 2. прямое падение напряжения; 3. сила света; 4. относительный разброс силы света элементов.
	Условием возникновения внутреннего фотоэффекта в полупроводниках является:	1. ; 2. ; 3. ; 4. , h – постоянная Планка, n – показатель преломления оптической среды; c – скорость света; λ – длина волны излучения; εз­­ – энергетическая ширина запрещённой зоны полупроводника.
	Рабочими областями вольтамперной характеристики фотодиодов являются:	1. I, II квадранты; 2. II, III квадранты; 3. I, III квадранты; 4. III, IV квадранты.
	В транзисторном усилителе фототока высокоомный резистор R1 служит для:	1. линеаризации зависимости IН=f(IФ ); 2. повышения коэффициента усиления по току; 3. создания контура для теплового тока коллектора IК0 при неосвещённом фотодиоде; 4. ограничение фототока IФ.

 

	В усилителе фототока на двух транзисторах коэффициент усиления по току составляет:	1. KI =β1 ∙ β2 ; 2. KI =β1 + β1 ∙ β2 ; 3. KI =β2 + β1 ∙ β2 ; 4. KI =β1 + β2 +β1 ∙ β2.
	Наименьшим быстродействием обладает:	1. фоторезистор; 2. фотодиод; 3. фототранзистор; 4. фототиристор.
	В схеме с каскодным соединением фототранзистора VT1 и биполярного транзистора VT2 ток нагрузки определяется как:	1. IН =α(I0 +IФ ); 2. IН = (I0 +IФ ); 3. IН =α(I0 –IФ ); 4. IН = (I0 –IФ ), α – коэффициент передачи тока транзистора VT2в схеме ОБ.

 

	В схеме усилителя фототока на полевом транзисторе коэффициент усиления по току можно повысить путём:	1. уменьшения сопротивления нагрузки RН ; 2. уменьшения напряжения E2; 3. увеличения напряжения E1; 4. увеличения сопротивления резистора R1.
	Использование фоторезистора как элемента базового делителя позволяет перестраивать статический режим каскада. Рост освещённости фоторезистора приводит к:	1. понижению потенциала эмиттера; 2. повышению потенциала коллектора; 3. повышению напряжения коллектор-эмиттер; 4. повышению тока коллектора.
	Наибольшим быстродействием обладают оптроны:	1. транзисторные; 2. диодные; 3. резисторные; 4. тиристорные.
	Использование оптронов в цепях запуска импульсных устройств позволяет повысить их:	1. экономичность; 2. быстродействие; 3. устойчивость к действию помех и наводок; 4. надёжность.

 

	Специфичным параметром тиристорного оптрона является:	1. статический коэффициент передачи тока; 2. максимально допустимый входной ток помехи; 3. граничная частота; 4. сопротивление гальванической развязки.
	В схеме генератора линейно изменяющегося напряжения повышение входного тока Iсв1 диодного оптрона VU1 при неизменных параметрах импульсов входного тока Iсв2 транзисторного оптрона VU2 приводит к:	1. уменьшению длительности обратного хода; 2. увеличению скорости нарастания линейно изменяющегося напряжения; 3. увеличению длительности прямого хода; 4. повышению частоты линейно изменяющегося напряжения.

 

	Повышение коэффициента передачи тока оптрона KI в схеме триггера с оптической регенерацией сигналов:	1. нарушает условие регенеративности схемы; 2. нарушает условие насыщения транзистора VT1; 3. нарушает условие отсечки транзисторов VT1 и VT2; 4. не нарушает работоспособность триггера.
	При запуске триггера с оптической регенерацией сигналов используются:	1. короткие импульсы положительной полярности; 2. короткие импульсы отрицательной полярности; 3. непрерывный сигнал положительной полярности; 4. короткие импульсы, полярность которых зависит от исходного состояния триггера.

 

	В схеме мультивибратора резисторный оптрон используется для:	1. регулирования частоты при неизменной скважности импульсов; 2. регулирования длительности положительных импульсов при неизменной длительности отрицательных импульсов; 3. регулирования скважности при неизменной частоте импульсов; 4. регулирования длительности отрицательных импульсов при неизменной длительности положительных импульсов.