Технологии изготовления сверхрешеток.
МЛЭ – молекулярно-лучевая эпитаксия; МЭМОС – молекулярная эпитаксия из металл-органических соединений; ПАЭ – послойная атомнаяэпитаксия; ПФЭ – паровая фазовая эпитаксия; ХПЭ – химическая паровая эпитаксия; ЖЭ – жидкостная эпитаксия. МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ МЛЭ представляет собой процесс эпитаксиального роста тонких слоев различных соединений за счет реакций между термически создаваемыми молекулярными или атомными пучками соответствующих компонентов и поверхностью подложки, находящейся в сверхвысоком вакууме при повышенной температуре. МЛЭ характеризуется: 1) малой скоростью роста порядка 1 мкм/ч; 2) относительно низкой температурой роста; 3) возможностями резкого прерывания и возобновления роста за счет использования механических заслонок вблизи эффузионных ячеек для всех компонентов; 4) возможностями введения различных парообразных компонентов для изменения состава слоя и управления концентрацией примесей путем введения удобным образом дополнительных источников, создающих требуемые молекулярные пучки; 5) наличием атомно-гладкой поверхности растущего кристалла; 6) возможностями анализа в ходе роста. Эти черты метода МЛЭ позволяют создавать сверхрешетки по своему качеству пригодные для приборных применений. 1–блок нагрева, 2–подложка, 3–заслонка отдельной ячейки, 4–эффузионные ячейки основных компонентов пленки, 5–эффузионные ячейки легирующих примесей. где т — масса молекулы, m – молекулярный вес, R — газовая постоянная, Т — абсолютная температураЕсли р2=0, а давление в ячейке р1 обозначать через р, то: где NA – число Авогадро. 25. Волоконно-оптические линии связи. Распространение луча в тонкой пленке. Рассмотрим теперь структуру с двумя границами раздела, состоящую из пленки nf , подложки ns и покровного слоя nc. Световой луч может входить в пленку с торца либо попадать в нее снизу, со стороны подложки. В общем случае справедливо неравенство nf>ns>nc два критических угла: θs - угол внутреннего отражения на границе раздела пленка - подложка и θc - угол полного внутреннего отражения на границе пленка - покровный слой.Распространение света а пленочном волноводе зависит от величины угла падения θ, Возможны три случая: при малых углах падения θ<θc,θs луч, распространяющийся со стороны подложки, преломляется на границе согласно закону Снеллиуса, входит в пленку и выходит из волновода через покровный слой. Если увеличить угол падения в так, чтобы θc<θ<θs то световой луч,, падающий со стороны подложки, преломляется на границе раздела пленка - подложка, испытывает полное внутреннее отражение на границе раздела пленка - подложка, испытывает полное внутреннее отражение на границе пленка - покровный слой, преломляется, уходя в подложку, и покидает данную структуру. При достаточно большом θ>θc,θs наблюдается полное внутреннее отражение на обеих границах раздела. Теперь световой луч, однажды попавший в пленку, будет распространяться в ней зигзагообразно, отражаясь поочередно от верхней и нижней границ раздела. Эффект Гооса-Хенхена. Наблюдается при распространении света в тонкоплёночных волноводах. При полнрм внутреннем отражении света от границы раздела двух сред точка отражения луча оказывается пространственно сдвинутой в направлении распространения относительно точкм падения луча. Сечение плоского диэлектрического волновода, состоящего из тонкой пленки толщиной h с показателем преломления nf, подложки и покровного слоя с показателями преломления ns и nc ©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.
|