Здавалка
Главная | Обратная связь

Эквивалентная схема барьера Шоттки на переменном сигнале



 

При приложении к контакту постоянного и переменного смещения через него будут протекать постоянный и переменный токи. Полное напряжение:

.

В случае малой амплитуды переменного напряжения U1<< kT/q и U1<< U0, переменный ток будет определяться двумя составляющими:

, (4.42)

где jq – ток электронов, эмиттированных из полупроводника, совпадающий по фазе с переменным напряжением; jc – емкостной ток.

Полный ток

. (4.43)

Следует отметить, что выражение (4.43) справедливо при выполнении двух условий. Время пролёта ОПЗ должно быть меньше периода переменного сигнала. Время релаксации заряда Максвелла также должно быть меньше периода.

.

Второе условие эквивалентно оценке граничной частоты последовательной RC цепи: .

Выражению (4.43) соответствует эквивалентная схема, приведённая на рисунке 4.27. На этой схеме r(U) – дифференциальное сопротивление контакта, которое зависит от знака и величины смещения. В прямом смещении оно мало

.

В обратном резко возрастает

,

и переменный ток определяется емкостью.

 

Рисунок 4.27 - Эквивалентная схема барьера Шоттки на малом переменном сигнале

 

 

Сопротивление RS – омическое сопротивление квазинейтральной области полупроводника и контакта.

Омический контакт

 

Омический контакт является обязательным элементом любого полупроводникового прибора и служит для подведения тока или напряжения. К нему предъявляются следующие требования:

1. Неинжекционность – ток должен переноситься основными носителями заряда. Электронами для n-полупроводника, дырками для p-полупроводника. Для этого необходимо обеспечить малое время жизни в контактной области (t ® 0) и большую скорость рекомбинации на контакте (s ® ∞).

2. Малое контактное сопротивление

;

где rк – удельное контактное сопротивление [10–2…10–5] Ом∙см2. При малых площадях контакта в ИС (S = 10–6 см2), сопротивление контакта может быть значительным. При rк = 10–4 Ом∙см2 ,

.

3. Линейность ВАХ. Контакт не должен вносить изменений в потенциальную зависимость тока прибора.

4. Термомеханическая совместимость металла и полупроводника и высокая адгезия (сцепляемость) металла к поверхности полупроводника. Коэффициенты линейного расширения должны быть близки друг к другу.

.

5. Электрохимическая совместимость и коррозионная устойчивость. Обеспечивает долговременную надёжность.

 







©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.