Здавалка
Главная | Обратная связь

Схема с общей базой



Рассмотрим квазистационарный режим (рисунок 7.3,а) без учёта переходных процессов при изменении входного тока. Коэффициент усиления по мощности можно представить в виде:

, (7.1)

где – коэффициент усиления по току;

– коэффициент усиления по напряжению.

Изменение входного напряжения на небольшую величину DUEB вызывает существенное изменение тока эмиттера и коллектора. Эмиттер смещён в прямом направлении (DUEB < 0,1B).

;

.

Так как коллекторный переход смещён в обратном направлении, то его сопротивление большое, и он может, кроме того, поддерживать большое напряжение коллекторного источника EC, вплоть до напряжения лавинного пробоя UBCB. Поэтому сопротивление нагрузки RH также может иметь большую величину, значительно большую, чем сопротивление прямо смещённого эмиттера (RH >> rE). С точки зрения теории цепей обратно смещённый коллекторный переход можно представить управляемым большим сопротивлением, величина которого определяется током эмиттера, который, в свою очередь, управляется малым напряжением эмиттера. Выходное напряжение определяется изменением напряжения на коллекторном переходе, которое можно найти по второму правилу Кирхгофа (рисунок 7.3,а),

.

Дифференциал постоянной ЕС равен нулю,

; ,

знак минус означает, что с увеличением тока коллектора (эмиттера) и напряжения эмиттера выходное напряжение уменьшается (изменение входного и выходного напряжений в противофазе).

Изменение входного напряжения связано с изменением входного тока эмиттера

,

где rЕ – малое сопротивление эмиттера в прямом смещении ( , единицы Ом).

Подставив эти значения в (7.1), получаем:

, (7.2)

где - крутизна ВАХ эмиттера.

Таким образом, схема с общей базой усиливает по напряжению, но не усиливает по току (α≤1). Величина KP=KU составляет (102…103). На рисунке 7.4 представлено графическое пояснение усиления по напряжению транзистора в схеме с общей базой.

IE IC Изменение входного напряжения на

RH 10–2В вызывает изменение выходно-

αIE го напряжения 10В, что соответству-

ет KU = 103.

Основная причина усиления по нап-

ряжению заключается в модуляции

сопротивления обратно смещённого

коллектора прямым током эмиттера,

UEB EC UCB что вызывает ток коллектора и при-

водит к перераспределению напря-

жения источника питания ЕС между

RH и коллекторным переходом син-

хронно входному сигналу, т.е. уси-

лению входного сигнала. При этом

энергия источника питания ЕС пере-

DUE = 10-2B DUCB = 10B ходит в энергию усиленного сигна-

ла. Большое значение коэффициента

t t усиления по напряжению определя-

ется большим различием в сопро-

Рисунок 7.4 - Усиление по напряжению тивлениях обратносмещённого кол-

транзистора в схеме ОБ лекторного перехода и прямосме-

щенного эмиттерного перехода.







©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.