Главная | Обратная связь

Схема с общим эмиттером

В схеме с общим эмиттером (рисунок 7.3, б) входным током является ток базы.

. (7.3)

Тогда коэффициент усиления по току в схеме ОЭ (В)

. (7.4)

Нетрудно заметить, что при коэффициенте передачи тока эмиттера α близком к единице, например, α = 0,99 , коэффициент усиления по току в схеме ОЭ имеет значительную величину (В = 99). В интегральных транзисторах ИС операционных усилителей значение В может достигать нескольких тысяч, так называемые «супербета» транзисторы.

Физическая причина усиления по току в схеме ОЭ заключается в природе базового тока. Ток базы транзистора в прямом смещении – это ток рекомбинационных потерь в квазинейтральном эмиттере, ОПЗ эмиттерного p-n перехода и квазинейтральной базе и величина этих потерь минимизируется самой структурой транзистора.

В стационарном режиме ток рекомбинации дырок должен быть равен току электронов, поступающих из базового контакта. Время жизни неравновесной пары электрон-дырка в n-базе определяется временем жизни τ_р, но дырки пролетают базу (находятся в базе) за время пролёта , значительно меньшее, чем τ_р. Поэтому для обеспечения рекомбинации введённых из базы основных носителей заряда (электронов) требуется в больший ток неосновных носителей (дырок). Следовательно, ток коллектора должен в эту же величину превышать ток базы.

.

Коэффициент усиления по напряжению транзистора в схеме ОЭ

,

где – входное сопротивление транзистора с ОЭ.

Коэффициент усиления по мощности транзистора в схеме ОЭ

, (7.5)

будет выше, чем в схеме ОБ (7.2), так как имеется усиление и по току, и по напряжению. Поэтому большинство усилительных каскадов строится по схеме с ОЭ. Дополнительным преимуществом схемы ОЭ является более высокое входное сопротивление, что упрощает согласование между каскадами.