Главная | Обратная связь

Порядок выполнения домашнего задания

 

Рассчитать УПТ параллельного баланса (рис.3) по следующим техническим данным:

DI_ДР = 30 мкА, R_H = 5 кОм, Е_К = 24В, I_{K MAX} = 10 мА, U_{BX MAX} = 1 В, P_ВЫХ.MAX = 100 мВт, T⁰_MAX = 80⁰С, T⁰_MIN = 0⁰С.

1. Выбираем два однотипных кремниевых низкочастотных транзистора, исходя из заданных Е_К и U_{BX MAX}

U_{КЭ MAX} > E_K , то есть U_{КЭ MAX} > 24 В;

P_{K MAX} > P_ВЫХ.MAX , то есть P_{K MAX} > 150 мВт,

а так же имеющих минимальный относительный дрейф нуля в заданном диапазоне температур окружающей среды.

Основной причиной дрейфа тока в нагрузке УПТ, выполненного по балансной схеме, является температурный дрейф коллекторного тока обоих транзисторов. При выборе транзисторов целесообразно применять кремневые транзисторы. Они имеют малые обратные коллекторные токи I_КО (или I_КБО) и их изменения DI_КО, особенно в области температур больше +50 ⁰С. Например, для кремниевых транзисторов при температуре меньше 50 ⁰С изменение I_КО составляет 8-12%

на 1 ⁰С.

Выберем транзисторы типа П104 (старое обозначение до 1964 г.) или его аналог КТ104 (новое обозначение с 1977 г.), имеющие при температуре окружающей среды +20⁰С ± 5⁰С следующие данные:

допустимое напряжение на электродах коллектор-эмиттер транзистора

U_{КЭ MAX} = 60 В;

коэффициент усиления по току

h_{21 Э} =b ³ 9.0;

наибольший ток коллектора в режиме усиления

I_{K MAX} = 10 мА;

коэффициент усиления по току

h_{21 б} = a = 0,9 – 0,96;

наибольшая мощность, рассеиваемая на коллекторе

P_{K MAX} = 150 Вт;

наибольшее напряжение эмиттер-база при разомкнутом коллекторе

U_{БЭ MAX} = 45 В;

обратный ток коллекторного перехода

I_КБО = I_КО = 0,005 – 0,5 мкА;

сопротивление базы приводится или вычисляется по входной характеристике

r_б = 200 Ом;

коэффициент усиления по току для схем включения транзистора ОБ

h_{21 б} = 0,92.

2. Подберем практически такие два экземпляра транзисторов, чтобы их относительный дрейф в заданном диапазоне температур

DI_{ДР РАС} = DI_КБО = DI_КБО1 - DI_КБО2 (5)

был меньше заданного дрейфа в нагрузке

DI_КБО < I_ДР

Для этого рассчитаем процентную разность обратных токов коллекторных переходов транзисторов

 

DI_КБО %= DI_КБО1 %- DI_КБО2 % (6)

Для любого экземпляра транзистора выбранной серии должно выполняться условие

 

По типовой зависимости обратного тока коллекторного перехода от температуры окружающей среды с учетом заданного диапазона температур T⁰_MAX и T⁰_MIN , получим

 

Следовательно

DI_КБО % = 3,8%

 

При отсутствии указанных типовых зависимостей обратный коллекторный ток I_КБО определяется исходя из следующих соотношений: для маломощных кремниевых транзисторов изменение тока составляет 10% на 1⁰С, а технологический 80-процентный разброс его лежит в пределах ± 8… ± 12%.

Для транзисторов, приведенных в приложении, значения тока I_КБО при температуре + 25⁰С составляют:

- для серии транзисторов КТ208А…К ток I_КБО = 0,1мкА;

- для серии транзисторов КТ104А…Г ток I_КБО = 0,13мкА;

- для серии транзисторов КТ201А…Д ток I_КБО = 0,5мкА;

- для серии транзисторов КТ203А…В ток I_КБО = 1мкА.

Пусть в результате подбора один экземпляр транзистора имеет температурный разброс (см. приложение)

DI_КБО1 % = 2%,

 

другой –

DI_КБО2 % = - 0,52%.

 

Тогда из (6) имеем

 

DI_КБО %= DI_КБО1 %- DI_КБО2 % = 2 – (-0,52) = 2,52%,

 

что удовлетворяет требованию на подбор транзисторов, а относительный дрейф транзисторов в заданном диапазоне температур из уравнения

 

DI_КБО = DI_КБО1 - DI_КБО2 = (DI_КБО %[ )])/100 =

 

=(2,52(0,794 – 0,0016)/100 » 20 мкА.

 

В результате измерений выполнение требований на расчет

 

(DI_{ДР РАС} = DI_КБО) < DI_ДР

 

то есть

 

(DI_{ДР РАС} = 20 мкА) < 30 мкА.

 

3. Рассчитаем режим покоя и определим координаты рабочей точки на семействе выходных характеристик транзистора.

Расчет и анализ удобно проводить с помощью вольт - амперных характеристик (в.а.х.) транзистора: по семейству выходных характеристик (рис.5)

I_K = f (U_K)

при разных токах I_Б базы и входной характеристики (рис.6)

I_Б = f (U_Б)

при разных напряжениях U_K на коллекторе. Последовательность расчета и анализа следующая.

3.1 Выделить из схемы УПТ один каскад, например, на транзисторе VT1 (рис.7)

3.2 Перечертить из справочника семейство типовых выходных и входных в.а.х. для схемы включения с ОЭ выбранных одинаковых транзисторов.

Для рассматриваемого примера эти в.а.х. для транзисторов серии П104 – П106, эксплуатируемых при нормальной температуре окружающей среды ( Т⁰С = +20⁰С ± 5⁰С), из справочника перенесены на рис.5, рис.6.

3.3 Определить рабочую область допустимых изменений параметров транзистора.

Для этого необходимо показать на семействе входных в.а.х. (рис.5) линии ограничения, соответствующие допустимым условиям изменения следующих параметров:

I_K < I_{K MAX} ; U_K < U_{K MAX} ; P_K < P_{K MAX} ,

где P_{K MAX} – наибольшая мощность рассеиваемая транзистором на коллекторе. Эти условия известны из приводимых в справочнике предельно допустимых эксплуатационных данных транзисторов П104 – П106, которые уже выписаны ранее при выборе транзистора, то есть

 

I_K < (I_{K MAX} = 10 мА); U_K < (U_{K MAX} = 60 В);

P_K < (P_{K MAX} < 150 мВт),

 

Значения I_{K MAX} и U_{K MAX} на рисунке отмечены прямыми линиями, а значения P_{K MAX} вычислены по формуле

P_{K MAX} = I_K U_K [мВт] , (7)

 

где одна из координат кривой мощности, например, U_K задаваемая в интервале напряжений от 0 до U_{K MAX} ; другая, например, I_K – вычисляемая.

 

рис.5 Выходные вах, линия нагрузки и ограничения по параметрам:

I_K, U_K, P_К для транзистора П104

рис. 6 Входные вах для рис.7 Каскад усиле-

транзистора П104 ния с ОЭ

 

 

Таблица 2 - Координаты кривой мощности

 

PK MAX , мВт (известна)
UK , В (задается)
IK , мА (вычисляется)				7,5			4,3	3,7		2,5

 

По установленным координатам I_K ,U_K построим зависимость (7). Таким образом рабочая область на рис.5 незаштрихованной и траектория рабочей точки должна находиться на ней.

3.4 Построим траекторию рабочей точки или, как ее еще называют, линию нагрузки (прямая MN) линейного сопротивления R_K в цепи коллектора по двум точкам, соответствующим режиму холостого хода и короткого замыкания.

Режим холостого хода (разомкнутый выход, нагрузка не подключена) определяет координаты точки N:

I_K = 0, U_K = Е_К.

 

Координаты точки М выбирают из следующих сообщений. Если накоротко замкнуть выход каскада (рис.7), то координатами точки будут:

 

U_K = 0; I_K = Е_К / R_K.

 

Следует помнить, что по предельным условиям эксплуатации

 

I_K < (I_{K MAX} = 10 мА).

 

Для заданных вариантов расчетов будем принимать

 

I_K » 0,7 I_{K MAX.}

Следовательно

R_K > (Е_К / I_{K MAX} = 24/0.01),

 

то есть R_K >2,4 кОм. Рекомендуется R_K выбирать:

 

R_K = (1¸ 1,5) Е_К / I_{K MAX.}

Примем R_K = 4 кОм. Тогда в цепи коллектора

 

I_K = Е_К / R_K = 24 / 4 ×10³ = 6 мА.

Окончательно имеем координаты точки М:

 

U_K = 0; I_K = 6 мА.

 

По полученным координатам точек М и N построим на семействе выходных в.а.х. линию нагрузки, которая является графическим решением уравнения

 

U_K = Е_К - I_K R_K ,

 

составленного по второму закону Кирхгофа для коллекторной цепи каскада усиления. Точки пересечения линии нагрузки с выходными характеристиками транзистора определяют ток I_K и напряжение U_K на коллекторе, то есть на выход каскада при любом заданном значении тока базы I_Б. Обычно сопротивление R_K должно составлять от 2 до 5 кОм для транзисторов малой мощности и приблизительно 100 Ом для транзисторов средней мощности.

3.5 Построить переходную (передаточную) характеристику каскада усиления

 

I_K = f (I_Б)

 

по точкам пересечения линии нагрузки с выходных в.а.х. транзистора. Для этого выделенную рабочую область на семействе выходных в.а.х. (рис.5) покажем отдельным рисунком (рис.8,а) в увеличенном масштабе добавив на нем еще несколько выходных в.а.х. в области малых токов базы I_Б , считая что характеристики параллельны на линейных участках. В результате графического решения получим координаты траектории переходной характеристики (табл.3), по которым построим ее график (рис.8,б).

 

Таблица 3 - Координаты траектории переходной характеристики

 

IБ , мкА
IK , мА		1,8	2,75	3,75		4,8	5,6	5,8

 

3.6 Определить координаты рабочей точки П (точки покоя)

Точка П определяется как точка, соответствующая средине линейного участка переходной характеристике:

I_БП = 240 мкА, I_КП = 3мА;

на линии нагрузки:

I_КП = 3 мА, U_КП = 12 В.

Координаты рабочей точки можно вычислить по приближенным аналитическим напряжениям

U_КП » Е_К / 2 = 24 / 2 = 12 В;

I_КП » U_КП / R_К = 12 / 4 × 10³ = 3 мА;

I_БП » I_КП / h₂₁ = 3 / 12.5 = 0,24 мА = 240 мкА.

 

рис.8 Графический выбор рабочей точки параметров

режима покоя и пояснение процесса усиления

а) выходные вах, линия нагрузки, выходное напряжение

б) переходная вах, ток в цепи коллектора,

в) входная вах, ток в цепи базы, входное напряжение

 

 

Чтобы определить координаты рабочей точки П” на входной характеристике, учитывая, что ток базы покоя уже известен, можно значение напряжения база-эмиттер взять приближенным U_БЭП » 0,3 В для германиевых U_БЭП » 0,65 В для кремниевых транзисторов, а можно вычислить графически. Для этого по типовым справочным входным характеристикам (рис.6) построим нужную входную характеристику

I_Б = f (U_БЭ)

для уже определенного неизменного напряжения

U_КП = 12 В.

Если в справочной литературе приводятся как минимум две входные характеристики, то взяв две любые из них и задавая некоторые I-ые значения ток базы I_iБ , вычислим соответствующие координаты I-ых напряжений база-эмиттер нужной характеристики из соотношения

 

,

 

где для рассматриваемого примера:

- напряжение база-эмиттер при i-ом токе базы I_iБ и напряжении коллектора U_2К = 4,5 В;

- напряжение база-эмиттер при том же i-ом токе базы и напряжении коллектора U_1К = 0 В;

- искомая координата напряжения база-эмиттер при токе базы I_iБ коллекторном напряжении U_iБЭП;

- типовые приводимые на входных характеристиках напряжения коллектора.

Из этого выражения получим

 

U_i2БЭП = К₂ U_i2БЭП – (К₂ – 1) U_i1БЭ (8)

 

Если в справочнике приводится одна входная характеристика (обычно для U_K ¹ 0, то аналогично можно получить формулу

 

U_i1БЭП = К₁ U_iБЭ, (9)

 

где К₁ = U_КП /U_K – отношение напряжения коллектора в режиме покоя к приводимому в справочнике напряжения коллектора U_K ¹ 0, при котором получена типовая входная характеристика; U_iБЭ – текущее значение напряжения база-эмиттер, приводимой в справочнике типовой входной характеристики.

По приводимым выражениям (8) и (9) можно вычислить для рассматриваемого примера коэффициенты:

;

.

 

Тогда выражения (8) и (9) примут вид

 

U_i2БЭП = 2,67 U_i2БЭ – 1,67 U_i1БЭ; (10)

 

U_i1БЭП = 2,67 U_iБЭ (11)

 

Результаты вычисления координат точек входной характеристики в режиме покоя по формуле (10) отражены в таблице 4.

Таблица 4 - Координаты точек входной в.а.х. в режиме покоя

 

Значение i Параметры
IiБ , мА (задается)		0,2	0,4	0,8	1,2	1,6
Ui2БЭ , при UK = 4,5 В (определяется по графику)	0,4	0,68	0,78	0,9	0,94	1,18
Ui1БЭ , при UK = 0 В (определяется по графику)	0,2	0,4	0,55	0,64	0,68	0,7
Ui2БЭ при UK = 12 В (вычисляется)	0,73	1,02	1,16	1,33	1,37	1,98

 

Для графического определения координаты напряжения база-эмиттер U_БЭП в состоянии покоя построим по данным таблицы 4 входную характеристику режима покоя, повернув оси рисунка 6 на 90⁰ против часовой стрелки, и спроектируем на нее с переходной характеристики (рис.8,б) рабочую точку П. Получим рабочую точку П''(рис.8,а), с помощью которой определим искомое напряжение.

 

U_БЭП = 1,04 В.

 

Таким образом режим покоя (рис.8, точки: П,П',П'') обеспечивается параметрами:

 

I_КП = 3 мА; U_КП = 12 В; I_БП = 0,24 мА; U_БЭП = 1,04 В.

 

Вычислим стандартные номиналы резисторов и коэффициенты, характеризующие рассчитываемого УПТ.

4. Коэффициент стабилизации дрейфа

.

Практически S принимает значения от 2 до 7.

5. Сопротивление в цепи база коллектор.

Рассчитывается с учетом сопротивления нагрузки R_H (рис.3) в схеме УПТ опосредованно через коэффициент S, то есть

кОм

(стандартное значение R₂ = 36 кОм).

6. Ток в цепи делителя напряжения R₁,R₂ (рис.7).

Выбирается

I_Д = (2¸5) I_БП .

Примем I_Д = 3 I_БП = 3 × 0,24 = 0,72 мА.

7. Напряжение в цепи эмиттера в режиме покоя (рис.7).

. (12)

Выбирается

U_ЭП = (0,1¸0,3)Е_К.

Примем U_ЭП = 0,2 Е_К = 0,2 × 24 = 4,8 В.

8. Сопротивление смещения по напряжению в цепи базы (рис.7).

кОм.

(стандартное значение R₁ = 8,1 кОм).

9. Сопротивление в цепи эмиттера вычислим из выражения (12), приняв h₂₁ = 12,5

кОм

(стандартное значение R_Э = 1,5 кОм).

10. Сопротивление R₀ (рис.3).

Обычно набирается

R₀ = (1¸3) r_Б

Примем R₀ = 2 × r_Б = 2,5 × 200 = 500 Ом.

11. Эквивалентное сопротивление нагрузки в цепях коллекторов обоих транзисторов можно рассматривать как параллельное соединение резисторов: R_K ççR_H.

R_Н.ЭКВ кОм.

12. Входное сопротивление каскада без учета R₁.

13. Входное сопротивление схемы УПТ.

кОм.

14. Коэффициент усиления по напряжению

15. Коэффициент усиления по току

16. Графическое пояснение процесса усиления.

Чтобы обеспечить линейный режим работы УПТ, диапазон изменения входного напряжения определяется линейным участком а в переходной характеристики (рис.8-б). Спроектируем точки “а” и “в” на входную характеристику (рис.8-в; точки “а” и “в”) и на линию нагрузки (рис.8-а; точки “а” и “в”). Задав графически входное U_ВХ (рис.8-в) и последовательно проектируя его сначала на входную характеристику, получим соответствующее изменение тока базы I_Б. Затем проектируя график I_Б на переходную характеристику (рис. 8-б), получим график изменения коллекторного тока I_К. Наконец, проектируя график I_К на линию нагрузки (рис.8-а), получим график изменения выходного напряжения.

4. Контрольные вопросы

1. Определение и назначение УПТ.

2. Характер частотной характеристики УПТ.

3. Требования к УПТ.

4. Особенности УПТ.

5. Дать понятие дрейфа нуля.

6. Меры борьбы с дрейфом нуля УПТ.

7. Начертить принципиальную электрическую схему УПТ параллельного баланса.

8. По предложенной принципиальной схеме УПТ объяснить принцип работы.

9. Объяснить назначение элементов УПТ.

10. Что может быть заданно в качестве исходных данных для расчета принципиальной схемы УПТ?

11. Назовите и объясните основные расчетные параметры УПТ.

12. Методика выбора транзистора для рассчитываемой схему УПТ.

13. Из каких соображений и каким образом выбираются два экземпляра однотипных транзисторов в схеме УПТ параллельного баланса?

14. Методика определения рабочей области транзистора на семействе выходных в.а.х.

15. Методика построения траектории рабочей точки линии нагрузки на семействе выходных в.а.х.

16. Из каких соображений рассчитывается величина резистора R_К в цепи коллектора?

17. Методика построения переходной характеристики и выбора на ней точки покоя П.

18. Методика построения входной характеристики и определения на ней точки покоя П''.

19. Методика определения параметров режима покоя: I_КП; U_КП; I_БП; U_БЭП

20. Дать понятие коэффициента стабилизации дрейфа, указать его практические величины и вычислить его, если известны: R_H = 6кОм, DI_ДР = 40мкА, DI_КО = 20мкА.

21. Записать формулу вычисления сопротивления R₂ в цепи база-коллектор.

22. Показать на схеме делитель напряжения. Из каких соображений определяются необходимый ток I_Д в делителе?

23. Показать на схеме напряжение в цепи эмиттера U_ЭП в режиме покоя и вычислить его если известны: h_21Э = 30, I_КП = 20мА, R_Э = 2 кОм.

Каким соотношением связаны U_ЭП и э.д.с. источника Е_К?

24. Вычислить сопротивление R₁ смещения по напряжению в цепи базы, если известны: напряжение в цепи эмиттера в режиме покоя

U_ЭП = 6В;

напряжение на электродах транзистора база-эмиттер в режиме покоя

U_БЭП = 1В;

ток через сопротивление R₁ делителя напряжения

I_Д = 0,5 мА.

25. Показать на схеме и вычислить сопротивление R_Э цепи эмиттера, если известны: напряжение в цепи эмиттера в режиме покоя

U_ЭП = 40В;

коэффициент передачи тока транзистора

h_21Э = 30,

ток в цепи коллектора в режиме покоя

I_КП = 20мА.

26. Показать на схеме и вычислить сопротивление R₀если известно объемное сопротивление базы транзистора

R_Б = 300 Ом

27. Вычислить эквивалентное сопротивление нагрузки R_Н.ЭКВ в цепях коллекторов транзисторов балансной схемы УПТ , если известны:

R_K = 10 кОм, R_H = 5 кОм.

28. Дать понятие входного сопротивления балансной схемы УПТ.

29. Дать понятие и вычислить коэффициент, если известны:

h_21Э = 30, R_Н.ЭКВ = 3 кОм, R₀ = 3 кОм, R₂ = 1,5 кОм.

30. Дать понятие и вычислить коэффициент, если известны:

h_21Э = 30, R_Н.ЭКВ = 3 кОм, R₀ = 3 кОм, R₂ = 1,5 кОм, R_H = 5 кОм.

31. Начертить характеристики транзистора и дать графическое построение, объясняющее процесс усиления.

Литература

 

Основная:

1. Опадчий, Ю.Ф. Аналоговая и цифровая электроника [Текст]: учебник для вузов / Ю.Ф. Опадчий, О.П. Глудкин, А.И. Гуров; под ред. О.П. Глудкина. - М.: Горячая линия – Телеком, 2008. – 768 с.: ил.; 20 см. – Библиогр.: с. 763. - 5000 экз. – ISBN 5-93517-002-7.

2. Ткаченко Ф.А. Электронные приборы и устройства [Text]: учебник/ Ф.А. Ткаченко.- Минск: Новое знание :М. : ИНФРА-М, 2011.-682 с.: ил..- (Высшее образование)- 10 экз.

3. Игумнов Д.В. Основы полупроводниковой электроники [Text]: учебное пособие/ Д.В. Игумнов, Г.П. Костюнина.-2-е изд., доп. – М.: Горячая линия- Телеком, 2011.-394 с.: ил. -20 экз.

4. Ямпурин Н.П., Баранова А.В. Электроника: учебное пособие.

М.: Академия, 2011. -20 экз.

 

Дополнительная:

5. Ушаков, В.Н. Электротехника и электроника [Текст]: учеб. пособие для вузов/ В.Н.Ушаков. – М.: Радио исвязь, 1997. – 328 с.: ил.; 21 см. - Библиогр.: с.322. - 3000 экз. – ISBN 5-256-01281-7.

6. Нефедов, В.И. Основы радиоэлектроники [Текст]: учебник для вузов/ В.И. Нефедов - М.: Высшая школа, 2000.- 399с.: ил.; 24см. – Библиогр.: с.397. - 8000 экз. – ISBN 5-06-003735-5.

7. Бобровский, Ю.Л. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника [Текст]: учеб. пособие для вузов/ Ю.Л. Бобровский, С.А. Корнилов, И.А. Кратиров и др.; под ред. проф. Н.Д. Федорова. - М.: Радио и связь, 1998. – 560 с.: ил.; 22 см. – На обл. авт. не указаны. - Библиогр.: с.550-551. - 2000 экз. – ISBN 5-256-01169-3.

8. Волощенко, Ю.И.Основы радиоэлектроники [ Текст ]: учеб. пособие/Ю.И. Волощенко, Ю.Ю. Мартюшев, И.Н. Никитина и др.; под ред. проф. Г.Д. Петрухина - М.: Изд-во МАИ, 1993. – 416 с.: ил.; 20 см. – На обл. авт. не указаны. – Библиогр.: с. 411-412. - 25000 экз. – ISBN 5-7035-0150-4.

Приложение

 

Справочные данные кремниевых транзисторов

 

Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы p-n-p.

Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре широкого применения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

 

 

Параметры	КТ104А	КТ104Б	КТ104В	КТ104Г
Термин	Буквен. обозн.
Коэффициент передачи тока	h21Э h21Б	9…36 7…40	20…80 15…80	40…160 19…160	15…60 10…60
Входное сопротивление	h11Б, Ом
Обратный ток коллектора	IКБО или IКО, мкА	£ 1	£ 1	£ 1	£ 1
Максимальное (допустимое) напряжение коллектор-эмиттер	UКЭ MAX или UКЭ ДОП, В	- 30	- 15	- 15	- 30
Максимальное (допустимое) напряжение база-эмиттер	UБЭ MAX или UБЭ ДОП, В
Максимальный ток коллектора	IК МАХ, мА
Максимальная рассеиваемая мощность коллектора	PК МАХ, мВт

 

КТ201А, КТ20Б1, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д.

Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы n-p-n.

Предназначены для работы в устройствах широкого применения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

 

 

Параметры	КТ201А	КТ201Б	КТ201В	КТ201Г	КТ201Д
Термин	Буквен. обозн.
Коэффициент пере- дачи тока	h21Э	20…60	30…90	30…90	70…210	30…90
Обратный ток кол- лектора	IКБО, мкА	£ 1	£ 1	£ 1	£ 1	£ 1
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер	UКЭ MAX, В
Максимальное напряжение база-эмиттер	UБЭ MAX, В
Максимальный ток коллектора	IК МАХ, мА
Максимальная рассеиваемая мощность коллектора	PК МАХ, мВт

 

КТ203А, КТ203Б, КТ203В

 

 

Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы p-n-p.

Предназначены для использования в усилительных и импульсных устройствах.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

 

Параметры	КТ203А	КТ203Б	КТ203В
Термин	Буквен. обозн.
Коэффициент передачи тока	h21Э	≥ 9	30…150	30…200
Входное сопротивление	h11Б, Ом	≤ 300	≤ 300	≤ 300
Обратный ток коллектора	IКБО, мкА	≤ 1	≤ 1	≤ 1
Максимальное (допустимое) напряжение коллектор-эмиттер	UКЭMAХ, В		-30	-15
Максимальное (допустимое) напряжение база-эмиттер	UБЭ MAX, В
Максимальный ток коллектора	IК МАХ, мА
Максимальная рассеиваемая мощность коллектора	PК МАХ, мВт

 

КТ208А, КТ208Б, КТ208В, КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е,

КТ208Ж, КТ208И, КТ208К, КТ208Л, КТ208М.

 

Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы p-n-p.

Предназначены для работы в усилителях и генераторных устройствах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Параметры	КТ208А КТ208Г КТ208Ж КТ208Л	КТ208Б КТ208Д КТ208И КТ208М	КТ208В КТ208Е КТ208К
Термин	Буквен. Обозн.
Коэффициент передачи тока	h21Э	20…60	40…120	80…240
Обратный ток коллектора	IКБО, мкА
Максимальное (допустимое) напряжение коллектор-эмиттер	UКЭMAХ, В	-15 -30 -45 -60	-15 -30 -45 -60	-15 -30 -45
Максимальное (допустимое) напряжение база-эмиттер	UБЭ MAX, В	-10	-10	-10
Максимальный ток коллектора	IК МАХ, мА
Максимальная рассеиваемая мощность коллектора	PК МАХ, мВт

 

 

 

Учебное издание