Главная | Обратная связь

Полупроводниковые диоды с электронно-дырочным переходом (pn - переходом).

Содержание

2. ДИОДЫ. 2

2.1. Полупроводниковые диоды с электронно-дырочным переходом (pn - переходом). 2

2.2. Электронно-дырочный переход (pn – переход). Возникновение потенциального барьера. Контактная разность потенциалов. 6

2.3. Вольтамперная характеристика pn перехода. 14

2.4. Влияние генерационно-рекомбинационных процессов на ВАХ pn перехода. 27

2.5. Барьерная емкость pn перехода. 28

2.6. Диффузионная емкость pn перехода. 32

2.7. Переходные процессы.. 35

2.6. Пробой pn перехода. 44

ДИОДЫ.

Полупроводниковые диоды с электронно-дырочным переходом (pn - переходом).

Простейшим полупроводниковым прибором является диод, представляющий полупроводниковый кристалл с электронно-дырочным (pn) переходом. На рис. 2.1. приведены обозначение диода, его конструкция и диаграмма распределения примеси. Вблизи контактов, как правило, концентрация примеси и соответственно основных носителей заряда повышена. Это сделано для того, чтобы снизить сопротивление между металлическим контактом и полупроводниковой областью. Основным элементом диода является электронно-дырочный переход (pn-переход) .

Рис. 2.1. Полупроводниковый диод с pn-переходом: обозначение, конструкция, распределение примеси

 

Электронно-дырочный переход - основной элемент не только диодов, но и других биполярных приборов, поскольку именно электронно-дырочный переход позволяет управлять потоками носителей заряда в биполярных приборах. Электронно-дырочный переход создают в кристалле изменением типа проводимости, путем введения соответственно акцепторной и донорной примеси.

Существует большое количество способов создания pn перехода. На рис. 3.2. представлены схемы сплавной, диффузионной и эпитаксиально-диффузионной технологий.

 

Рис. 2.2. Схемы изготовления pn перехода различными технологическими способами.

 

При сплавной технологии электронно-дырочный переход образуется на границе раздела исходного кристалла и рекристаллизованной полупроводниковой области , в которую происходило вплавление (рис. 2.2а). На рис. 2.2б показан способ изготовления pn перехода диффузией акцепторной примеси в кристалл n-типа. Особенность технологии показанной на рис. 2.2.в в том, что диффузия осуществляется в кристалл с полупроводниковой пленкой n типа, выращенной на кристалле n+ типа специальной эпитаксиальной технологией, позволяющей сохранить структуру кристалла в пленке.

Особенность электрических характеристик диода в том, что он обладает низким сопротивлением при одной полярности приложенного к нему напряжения (плюс на аноде - прямое включение) и высоким сопротивлением при другой полярности (минус на аноде - обратное включение). Это свойство диода обеспечило ему широкое применение в выпрямителях - схемах преобразования переменного напряжения в постоянное.

На рис. 2.3. показана вольтамперная характеристика полупроводникового диода средней мощности – зависимость I(U), кривая 1.

Рис. 2.3. Вольтамперные характеристики полупроводникового диода (1) и идеального выпрямителя (2).

 

На том же рис. 2.3 приведена характеристика "идеального" ключа, который пропускает ток при положительном напряжении и не пропускает при отрицательном. Как видно из сравнения графиков, свойства полупроводникового диода близки к свойствам идеального выпрямителя, поскольку для него ток в прямом направлении может в миллионы раз быть больше тока в обратном направлении.

К основным недостаткам полупроводникового диода следует отнести: при прямом смещении - наличие области малых токов на начальном участке ("пятка") и конечного сопротивления толщи r_s ; при обратном - наличие пробоя и небольшого (однако сильно возрастающего с температурой) обратного тока.

Следует обратить внимание на то, что прямая и обратная ветви вольтамперной характеристики представлены на рис. 2.3 в разном масштабе.

Рассмотрим работу диода на активную нагрузку (рис. 1.4). Соответствующая схема показана на рис. 2.4 а. Ток через диод описывается его вольтамперной характеристикой I_диод = f(U_диод) , ток через нагрузочное сопротивление будет равен току через диод I_диод = I_нагр = I , поскольку соединение последовательное, и для него справедливо соотношение I_нагр = (U(t) - U_диод)/Rн.

На рис. 2.4 показаны линии, описывающие эти функциональные зависимости: ВАХ диода и нагрузочную характеристику.

 

Рис. 2.4. Диаграмма, поясняющая работу диода на активную нагрузку.

 

Как видно из рисунка, чем круче характеристика диода и чем меньше зона малых токов ("пятка"), тем лучше выпрямительные свойства диода. Заход рабочей точки в предпробойную область приводит не только к выделению в диоде большой мощности и возможному его разрушению, но и к потере выпрямительных свойств.

При электротехническом анализе схем с диодами отдельные ветви ВАХ представляют в виде прямых линий, что позволяет представить диод в виде различных эквивалентных схем, см. рис. 2.5. Выбор той или иной схемы замещения диода определяется конкретными условиями анализа и расчета устройства, в котором он применяется.

Рис. 2.5. Эквивалентные схемы диода при прямом и обратном включении.

 

Выпрямительные свойства полупроводникового диода обусловлены асимметрией электрических свойств его основного элемента pn - перехода.

Диоды с pn переходом относят к биполярным приборам, поскольку в процессах переноса заряда через контактную область участвуют как электроны так и дырки.

Рассмотрим основные явления, которые приводят к возникновению на границе между p и n областями потенциального барьера (запирающего слоя), определяющего нелинейность вольтамперной характеристики (ВАХ) диода.