Здавалка
Главная | Обратная связь

Проектирование защитного слоя



Защитный слой необходим для предохранения пленочных элементов схемы от внешнего воздействия и предохранения выводов активных элементов от короткого замыкания с пленочными проводниками.

Защитным слоем обязательно должны быть покрыты элементы схемы, к точности которых предъявляются требования, и обязательно не покрыты контактные площадки.

Если контактную площадку необходимо разместить в середине подложки (рисунок 10 а), то в маске защитного слоя над ней должен быть материал маски. В этом случае необходимо использовать составную маску (рисунок 10 б и в)

Рисунок 10 - Пример использования составной маски

Защитный слой выполняется из любой диэлектрической пленки, кроме пятиокиси тантала, т. к. она получается напылением тантала и последующим его окислением.


 

Технология и изготовление тонкопленочных элементов

Резисторы

Для тонкопленочных резисторов используют чистые металлы, сплавы, а также специальные материалы - керметы, которые состоят из частиц металла и диэлектрика. Широко распространены пленки хрома и тантала. Из сплавов наиболее часто используют нихром. На основе керметов, в состав которых входят хром и монооксид кремния, получают высокоомные резисторы. В зависимости от содержания хрома можно получить резистивные пленки с удельным сопротивлением от сотен ом на квадрат до десятков килоом на квадрат. Однако в связи с тем, что свойства керметных пленок сильно зависят от технологических факторов, резисторы имеют худшую воспроизводимость номиналов и больший ТКС по сравнению с металлическими. В настоящее время промышленностью освоена большая группа металлосилицидных сплавов системы Si-Cr, легированных небольшими добавками железа, никеля, кобальта, вольфрама (РС-3001, РС-3710, РС-5404К, МЛТ-3М, РС-5405Н). При сравнительно малом ТКС и высокой стабильности воспроизведения удельного поверхностного сопротивления диапазон номиналов резистивных сплавов (РС) достаточно широк: 0,5 - 50 кОм/□.

Конденсаторы.

Характеристики конденсаторов определяются свойствами применяемых материалов. К диэлектрику конденсаторов предъявляются следующие требования: высокие - диэлектрическая проницаемость ξ, электрическая прочность и сопротивление изоляции, малые - температурный коэффициент емкости и тангенс угла диэлектрических потерь, хорошая адгезия, совместимость с технологическими процессами изготовления других элементов микросхемы. Для изготовления тонких диэлектрических пленок применяют мо нооксиды кремния SiO и германия GeO, оксиды алюминия Al2O3, тантала Ta2O5, титана TiO2 и редкоземельных металлов. Высокие удельные емкости имеют титанаты кальция и бария. Материал обкладок конденсатора должен удовлетворять следующим требованиям: иметь малое электрическое сопротивление обкладок, особенно для высокочастотных конденсаторов, ТКЛР, близкий к ТКЛР подложки и диэлектрика, хорошую адгезию как к подложке, так и к ранее сформированным пленкам, обладать малой миграционной подвижностью атомов, высокой коррозионной стойкостью. Для изготовления обкладок тонкопленочных конденсаторов применяют алюминий А99 с подслоем титана или ванадия для нижней обкладки и без подслоя при напылении на диэлектрик верхней обкладки.







©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.