ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ
Ø Молярная внутренняя энергия химически простых твердых тел в классической теории теплоемкости:
Ø ТеплоемкостьC системы (тела) при постоянном объеме определяется как производная от внутренней энергии U по температуре:
Ø Закон Дюлонга и Пти: молярная теплоемкость
Ø Закон Неймана – Коппа: молярная теплоемкость химически сложных тел (состоящих из различных атомов):
где n – общее число частиц в химической формуле соединения. Ø Среднее значение энергии
где Ø Молярная внутренняя энергия кристалла в квантовой теории теплоемкости Эйнштейна определяется по формуле:
где Ø Молярная теплоемкость кристалла в квантовой теории теплоемкости Эйнштейна при низких температурах (
Ø Частотный спектр колебаний в квантовой теории теплоемкости Дебая:
где · для трехмерного кристалла, содержащего N атомов,
где Ø Энергия U твердого тела связана со средней энергией
Ø Молярная внутренняя энергия кристалла по Дебаю:
где Ø Молярная теплоемкость кристалла по Дебаю, при низких температурах (
Ø Теплоемкость электронного газа:
где Ø Энергия фонона E (фонон – квазичастица, являющаяся квантом поля колебаний кристаллической решетки):
Ø Квазиимпульс фонона: Ø Скорость фонона – групповая скоростью звуковых волн в кристалле:
· Скорость фонона при малых значениях энергии фонона, когда дисперсией волн можно пренебречь совпадает с групповой скоростью:
· Скорости продольных
где E и G – модули соответственно продольной и поперечной упругости. Ø Усредненное значение скорости звука
Ø Распределение Ферми – Дирака по энергиям для свободных электронов в металле:
где Ei – энергия электронов; Ø Распределение Бозе – Эйнштейна:
Ø Уровень Ферми в металле при Т = 0:
Ø Температура вырождения
Ø Удельное сопротивление собственных полупроводников:
где n – концентрация носителей заряда (электронов и дырок); b – подвижность носителей заряда. Ø Удельная проводимость собственных полупроводников:
где bn и bp – подвижности электронов и дырок. Ø Зависимость электропроводности полупроводника от температуры:
Ø Напряжение
где Ø Постоянная Холла для полупроводников тип алмаза, кремния, германия и др., обладающих носителями заряда одного вида (n и p),
Ø Уровень Фермив собственном полупроводнике:
Ø Удельная проводимость собственных полупроводников:
Ø Правило Стокса для люминесцентного излучения – длина волны люминесценции дольше длины волны возбуждающего люминесценцию света:
Ø Молярный объем кристалла:
Ø Объем V элементарной ячейки в кристаллах: · при кубической сингонии: · при гексагональной сингонии · для гексагональной решетки при теоретическом значении
Ø
где k – число одинаковых атомов в химической формуле соединения; n – число одинаковых атомов, приходящихся на элементарную ячейку. Ø Число Z элементарных ячеек в единице объема кристалла:
· в общем случае:
· для кристалла, состоящего из одинаковых атомов (k = 1),
Ø Параметр а кубической решетки:
Ø Расстояние d между соседними атомами в кубической решетке: · в гранецентричной: · в объемно-центрированной:
©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.
|