Главная | Обратная связь

Трансформаторы питания типов ТАН, ТПП. Конструкция

Трансформаторы ТПП- отличаются низкими напряжениями вторичных обмоток, применяются для питания по­лупроводниковых приборов-Конструкция: броневыеи стержневые (дйоЛ. 8). Схема рис. 7.11, варианты подключе­ния табл. 7.32.

Эксплуатация: срок службы 10.000 ч.; атмосферное давление - 400-790 мм. рт. с; перегрев обмоток при нор­мальных условиях - +55 °С; вибрация 5-1000 Гц до 7,5 д, многократные удары - 100 д, линейные нагрузки 25 д, Щ. изоляции 20 МОм.

 

 

 

Содержание

13.1 Классификация

13.2 Указания по эксплуатации

13.3 Технические характеристики
транзисторов

13.4 Габаритные чертежи
транзисторов

Классификация

По ОСТ 11336.038-77: 1-й элемент буква (цифра для транзисторов спецприменения) обоз­начает исходный материал: Г (1) - германий, К (2) - кремний, А (3) - арсенид галлия, 2-й элемент - подкласс: Т -биполярный, П — полевой, 3-й — цифра, определяющая функциональные возможности; 1 — Р рассеяния<1 Вт, f гра­ничная (для биполярных) (f рабочая - для полевых)£30 МГц, 2 - Р£1 Вт, 30<fЈ3OO МГц, 4 - Р<1 Вт, f>300 МГц, 7 -Р>1 Вт, f<30 МГц, 8 - Р>1 Вт, 30<fЈ300 МГц, 9 - Р>1 Вт f>300 МГц. 4-й элемент - трехзначное число - номер разработки, 5-й - буква, условно определяющая классификацию по параметрам. Дополнительные символы: С после 2-го элемента - транзисторная сборка, цифра через дефис после 5-го элемента - бескорпусное исполнение (1-е гибкими выводами без подложки, 2-е гибкими выводами на подложке, 3 — жесткие выводы без подложки, 4 -жесткие выводы на подложке, 5-е контактными площадками без подложки и без выводов (кристалл), 6 - кристалл на подложке. Для транзисторов разработки до 1964 г.: П - биполярный (МП - герметизация холодной сваркой), трехзначное число - номер разработки и класс; 1-99 - германиевые, маломощные, низкочастотные; 101-199 крем­ниевые, маломощные, низкочастотные; 201-299 германиевые мощные, низкочастотные; 301-399 - кремниевые, мощные, низкочастотные; 401-499 - германиевые, маломощные, высокочастотные; 501-599 - кремниевые, мало­мощные высокочастотные; 601-699 - германиевые, мощные, высокочастотные; 701-799 - кремниевые, мощные, вы­сокочастотные. Для транзисторов 1964-1977 гг.: Г (1) - германий, К (2) — кремний, Т - биполярный, 3-й элемент -функциональные возможности: 1 - Р£0,3 Вт, fЈ3 Мгц; 2 - Р^О.З Вт, f>30 МГц; 4 - 0,3<Р<1,5 Вт, f<3 МГц; 5 -0,3<Р<1,5 Вт, 3<fЈ30 МГц, 6 - 0,3<Р<1,5 Вт, f>30 МГц, 7 -Р>1,5 Вт, f<3 Мгц; 8 - Р>1,5 В, 3<f<30 МГц;Э-Р>1,5 Вт, f>30 МГц. Последующие элементы обозначения аналогичны современным.

 

13.2. Указания по эксплуатации

Эксплуатация транзисторов должна осуществляться в соответствии с требованиями ТУ и

РТМ. В справочнике приводятся типовые (усредненные)и предельно допустимые параметры. Превышение предель­ных параметров не допускается (даже кратковременное) не допускается работа в совмещенных предельных режи­мах. При работе необходимо учитывать воздействие окружающей среды особенно температуры. Правильный выбор теплового режима увеличивает надежность И стабильность работы. Для увеличения теплового рассеяния надо увели­чивать площадь рассеяния путем применения теплоотвода (радиатора). Следует выбирать рабочие режимы с коэф­фициентами по напряжению и по мощности 0,7—0,8. Вместе с тем работа при малых рабочих токах снижает устойчи­вость в диапазоне температур, вызывает нестабильность во времени. Нежелательно использование ВЧ транзисторов в НЧ схемах из-за склонности к самовозбуждению и меньшими предельными запасами. Монтаж: расстояние от корпуса до начала изгиба >2 мм, до места пайки 3 мм. При работе с полевыми транзисторами с изолированы затвором необходимо обеспечивать защиту от статического электричества.

13.3. Технические характеристики транзисторов

биполярный п-р-п

Биполяоные: биполярный р-п-р

h2b (h2t3)- статический коэффициент передачи тока (коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала по схьме с общим эмиттером); Конас - напряжение насыщения коллектор-эмиттер; l/кэя max (икэя.и.твх) - максимально допу­стимое постоянное (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер; U*6o max (U»6o m«x) -постоянное максимальное напряжение коллектор-база (эмиттер-база) при токе эмиттера (коллектора), равном нулю; I* max (1к,и,т«х) - постоянный (импульсный) ток коллектора; 1юо Окэя) Пкэх] обратный ток коллектор-эмиттер при разомкнутом выводе базы (при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер)[при заданном обратном напряжении эмиттер-база]; 1кбо - обратный ток коллектора; fh2t (M - предельная (граничная) частота коэффициен­та передай тока; Р« mix(Pmax) - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора (транзисто­ра); С« - емкость коллекторного перехода, Rin-ofRmJ - тепловое сопротивление переход-среда(корпус) Ттах - максимально допустимая температура (к - корпуса, п - перехода).

 

Однопереходные: однопереходной с п-базой

1«кл (1|ыкл) - ток включения (выключения); Uei62 max - максимально допустимое межбазовое напряжение; U62» пми - максимально допустимое обратное напряжение между эмиттером и базой 2.

Лавинные: лавинный п-р-п

и_м,л - напряжение лавинного пробоя.

Двухэмиттерные:

Uotk - падение напряжения на открытом ключе;

Rotk - сопротивление открытого ключа;

эшф - ток закрытого ключа;

и_уПр т« - максимально допустимое напряжение управления между коллектором и базой 1 или коллектором Щ

бялпй

Вкй - внешнее сопротивление, включенное между выводами коллектора и оазы; и_э»т« - максимально допустимое напряжение на закрытом ключе между эмиттерами.

с каналом р-типа

Полевые: полевой с каналом п-типа