 |
|
Биполярные транзисторы: типа p-n-p, типа n-p-n
низкочастотные fгр<30 МГц
среднечастотные 3 МГц<fгр<30 МГц
высокочастотные 30 МГц<fгр<300 МГц
СВЧ 3 fгр>300 МГц
Малой мощности Pmax<0,3 Вт
Средней мощности 0,3<Pmax<1,5 Вт
Большой мощности Pmax>1,5 Вт
База – средний слой, Эмиттер – наружный слой, являющийся источником носителей заряда, Коллектор – другой наружный слой.
Iэ=0, Iко обусловлен движением только неосновных носителей заряда (дырок из коллектора в базу, электронов из базы в коллектор).
T↑ → Iко↑
При подключении эмиттера к отрицательному зажиму источника питания возникает эмиттерный ток. Напряжение приложено к эмиттерному переходу в прямом направлении, значит электроны преодолевают p-n переход и входят в область базы (рекомбинация носителей, то есть образуется базовый ток Iб).
Из-за теплового движения (диффузия) и под действием поля коллектора (дрейф) электроны достигают коллектора и образуют коллекторный ток Iк.
Связь между приращениями эммитерного и колекторного токов характеризуется коэффициентом передачи тока(в схеме с общей базой):
α= 
при Uкб = const β= 
при Uкэ=const (в схеме с общим эмиттером)
При Iэ!=0 ток коллектора транзистора: Iк=Iко+αIэ
В качестве основной принята схема включения, в которой общим электродом для входной и выходной цепей является эмиттер.
Входной контур проходит через переход база – эмиттер и в нем возникает ток базы.
Iб=Iэ-Iк=(1-α)Iэ – Iко<<Iэ≈Iк
Малое значение тока базы во входном контуре и обусловило широкое применение схемы с общим эмиттером.
ВАХ
Iб=f1(Uбэ) – входная характеристика транзистора (практически не зависит от Uкэ)
Iк=f2(Uкэ) при Iб=const – выходные характеристики
H- параметры биполярных транзисторов.
Электрическое состояние транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, характеризуется четырьмя величинами:
Iб, Uбэ, Iк, Uкэ.
Примем, что 
Pк<<IкUкэ<Pmax
Uкэ<Uкэmax
Iк<Iкmax
Eк=Uк+RкIк- уравнение нагрузочной прямой
Основные параметры биполярных транзисторов и их ориентировочные значения:
1) коэффициенты передачи эмиттерного и базового тока (дифференциальные коэффициенты передачи, которые в первом приближении считают равными интегральным)
2) дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода
(rэ диф =1-10 Ом);
Схемы замещения транзистора
В качестве основной принята схема включения, в которой общим электродом для входной и выходной цепей явялется эмиттер.
Входной контур проходит через переход база – эмиттер и в нем возникает ток базы.
Iб=Iэ-Iк=(1-α)Iэ – Iко<<Iэ≈Iк
Малое значение тока базы во входном контуре и обусловило широкое применение схемы с общим эмиттером.
ВАХ
Iб=f1(Uбэ) – входная характеристика транзистора (практически не зависит от Uкэ)
Iк=f2(Uкэ) при Iб=const – выходные характеристики
Рассмотрим связь h-параметров биполярного транзистора в схеме с общей базой с дифференциальными параметрами. Для этого воспользуемся эквивалентной схемой биполярного транзистора на низких частотах, показанной на рисунке 5.24а, а также выражениями для вольт-амперных характеристик транзистора в активном режиме. Получаем:
Для биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером (рис. 5.24б) выражения, описывающие связь h-параметров с дифференциальными параметрами, будут иметь следующий вид:
Тиристором– полупроводниковый прибор с тремя (или более) p-n переходами, вольт-амперная характеристика которого имеет участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением и который используется для переключения.