Имеют четырехслойную структуру с тремя p-n переходами П1 П2 П3.
П1, П2 – открыты, П3 – закрыт. Все питающее напряжение Uпр приложено к закрытому переходу. Следовательно, ток тиристора мал. Когда Uпр=Uвкл – лавиннообразное увеличение количества носителей заряда за счет лавинного умножения носителей заряда в p-n переходе П2 движущимися электронами и дырками. Напряжение на резисторе R возрастает, а на тиристоре падает. После пробоя напряжение на иристоре 0,5 – 1В. Далее при увеличении ЭДС Eа или уменьшении сопртивления ток возрастает вертикально. Такой пробой не вызывает разрушения тиристора. ВАЖНЫЙ параметр триодного тиристора: Iу.вкл – ток управляющего электрода, который обеспечивает переключение тиристора в открытое состояние. При на тиристор обратного напряжения в нем возникает небольшой ток, так как в этом случае закрыты переходы П1 и П3. Uобр<Uобр max
Тиристор-4х слойная структура с тремя переходами, имеющая 2 устойчивых состояния:тиристор полностью открыт(высокая проводимость); тиристор полностью закрыт. Из одного состояния в другое можно перейти разными способами: подать приложенное напряжение большее, чем напряжение включения, воздействовать по цепи управления,управление светом(фототиристор)
Принцип действия: Тиристором – полупроводниковый прибор с тремя (или более) p-n переходами, вольт-амперная характеристика которого имеет участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением и который используется для переключения. Имеют четырехслойную структуру с тремя p-n переходами П1 П2 П3. П1, П2 – открыты, П3 – закрыт. Все питающее напряжение Uпр приложено к закрытому переходу. Следовательно, ток тиристора мал. Когда Uпр=Uвкл – лавиннообразное увеличение количества носителей заряда за счет лавинного умножения носителей заряда в p-n переходе П2 движущимися электронами и дырками. Напряжение на резисторе R возрастает, а на тиристоре падает. После пробоя напряжение на иристоре 0,5 – 1В. Далее при увеличении ЭДС Eа или уменьшении сопртивления ток возрастает вертикально. Такой пробой не вызывает разрушения тиристора. ©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.
|