Здавалка
Главная | Обратная связь

Прямое включение р-n перехода



 

Прямым включением р-n перехода называют такое включение, при котором положительный полюс (плюс) внешнего источника подключается к области р, а отрицательный полюс (минус) – к области n (рис. 2.8а.). Напряжение внешнего источника в этом случае называют прямым напряжением Uпр. Под действием Uпр. возникает электрическое поле источника Епр, направленное настречу диффузионному полю Еко, поэтому результирующее поле в р-n переходе уменьшается и становится равным (рис. 2.8в)

Ер-n = Еко - Епр.

Поле источника Епр. заставляет основные носители заряда двигаться в сторону р-n перехода, где они частично нейтрализуют заряды примесных атомов (дырки отталкиваются от плюса источника и перемещаются к границе р-n перехода, где частично нейтрализуют отрицательные атомы примесей, а электроны отталкиваются от минуса источника и перемещаются к границе р-n перехода, где частично нейтрализуют положительные атомы примесей), поэтому ширина р-n перехода (запирающего слоя) и его сопротивление уменьшаются.

Рис. 2.8

Уменьшению напряжённости результирующего электрического поля в р-n переходе соответствует снижение потенциального барьера до величины Up-n= Uко-Uпр (рис 2.8б). Количество основных носителей, способных преодолеть понизившийся потенциальный барьер увеличивается, в результате диффузионный ток Iдиф резко возрастает. На величине же тока неосновных носителей Iпров изменение потенциального барьера не сказывается, так как он зависит от концентрации неосновных носителей, которая при данной температуре есть величина постоянная. Поэтому через р-n переход протекает результирующий ток, называемый прямым током

Iпр= Iдиф - Iпров Iдиф > 0.

Прямой ток направлен из области р в область n

Вследствие большой концентрации основных носителей и малого сопротивления р-n перехода прямой ток получается большим.

Процесс введения носителей заряда через понизившийся потенциальный барьер в область полупроводника, где эти носители являются неосновными, называется инжекцией.

 







©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.