Главная | Обратная связь

Р-n перехода от теоретической

При выводе уравнения (2.8) не учитывались сопротивления р и n областей, поверхностные токи утечки, а также явление пробоя при определённых обратных напряжениях. Поэтому экспериментальная (реальная) характеристика р-n перехода отличается от теоретической (рис. 2.12).

Рис. 2.12

На рис.2.12 реальная характеристика р-n перехода показана пунктирной линией, а теоретическая – сплошной.

На участке ОА, при небольших прямых напряжениях, когда U_пр < U_ко, теоретическая и реальная характеристики практически совпадают. Незначительные снижения реальной характеристики на этом участке объясняется влиянием распределённых (объёмных) сопротивлений р и n областей r₁ = r _Э+r_Б r_Б, на которых падает часть напряжения внешнего источника, поэтому напряжение на р-n переходе будет несколько меньше напряжения источника U_пр т.е.

U_п-р = U_пр - I_прr_Б.

На участке АВ при U_пр U_ко потенциальный барьер в переходе оказывается скомпенсированным и не оказывает влияния на прохождение тока. Поэтому с увеличением U_пр прямой токвозрастает линейно , подчиняясь закону Ома ,т.к. ограничивается только величиной распределённого сопротивления области базы r_Б.

.

При некотором значении U_пр прямой ток I_пр достигает такой величины, при которой возникает тепловой пробой, приводящий к резкому увеличению прямого тока (участок ВС).

При обратном включении р-n перехода, на участке ОД обратный ток I_обр,почти линейно возрастает с увеличением обратного напряжения, что объясняется, главным образом, увеличением тока утеки по загрязненной поверхности р-n перехода. При достаточно большом обратном напряженииU_обр= U_проб (точка Д), наступает электрический пробой р-n перехода, приводящий к резкому увеличению обратного тока (участок ДЕ). В точке Е электрический пробой переходит в тепловой (участок ЕF)