Главная | Обратная связь

Основні параметри діодів типу КД2

Примітки:

1) якщо розрахункова величина зворотної напруги більша за максимальне номінальне значення зворотної напруги діодів даного типу, то необхідне значення напруги забезпечують за рахунок послідовного вмикання потрібної кількості діодів;

2) якщо розрахункова величина прямого струму більша за максимальне номінальне значення прямого струму діодів даного типу, то необхідне значення струму забезпечують за рахунок паралельного вмикання потрібної кількості діодів.

Рисунки
Рис. 1.Пускова характеристика тиристора
Рис.2.Вхідна статичнахарактеристика транзисторів КТ3102А,В	Рис.3.Вихідні статичніхарактеристики транзисторів КТ3102А,В
Рис.4.Вхідна статичнахарактеристика транзисторів КТ3107А,В	Рис.5.Вихідні статичніхарактеристики транзисторів КТ3107А,В
Рис.6.Вихідні статичніхарактеристики транзисторів КТ502Б, Г	Рис.7.Вихідні статичніхарактеристики транзисторів КТ502А, В, Д, Е
Рис.8.Вихідні статичніхарактеристики транзисторів КТ503Б, Г	Рис.9.Вихідні статичніхарактеристики транзисторів КТ503А, В, Д, Е
Рис.10.Вхідна статичнахарактеристика транзисторів КТ502А-Е	Рис.11.Вхідна статичнахарактеристика транзисторів КТ503А-Е
Рис.12.Вхідна статичнахарактеристика транзисторів КТ814А-Г	Рис.13.Вихідні статичні характеристики транзисторів КТ814А-Г
Рис.14.Вхідна статичнахарактеристика транзисторів КТ815А-Г	Рис.15.Вихідні статичніхарактеристики транзисторів КТ815А-Г
Рис.16.Вхідна статичнахарактеристика транзисторів КТ816А-Г	Рис.17.Вихідні статичніхарактеристики транзисторів КТ816А-Г
Рис.18.Вхідна статичнахарактеристика транзисторів КТ817А-Г	Рис.19.Вихідні статичніхарактеристики транзисторів КТ817А-Г
Рис.20.Вхідна статичнахарактеристика транзисторів КТ818А-Г	Рис.21.Вихідні статичні характеристики транзисторів КТ818А-Г
Рис.22.Вхідна статичнахарактеристика транзисторів КТ819А-Г	Рис.23.Вихідні статичні характеристики транзисторів КТ819А-Г