Лабораторна робота №58
ВИВЧЕННЯ РОБОТИ ТРАНЗИСТОРА
Мета роботи: ознайомитись з будовою і принципом дії транзистора, експериментально зняти його статичні характеристики. Обладнання: джерело напруги УИП-2, два вольтметра, міліамперметр, транзистор на панелі і мікроамперметр, реостати.
Транзистор складається з двох близько розміщених p-n переходів (рис.1,а).
![]() Рис.1.
Існує два типи транзисторів: p-n-p і n-p-n тип, які різняться послідовністю областей p- i n- типу. Падіння потенціалу вздовж такого транзистора при відсутності зовнішньої напруги, вказано на рисунку 1 (суцільна лінія). Увімкнемо кожний із трьох напівпровідників до джерел зовнішньої напруги. Будемо вважати, що потенціал лівого напівпровідника (емітера) дорівнює нулю. До середнього напівпровідника підведемо слабкий від’ємний потенціал. До правого (колектора) – великий від’ємний. В таких умовах потенціал змінюється вздовж транзистора так, як вказано на рисунку 1,б (пунктирна лінія).
Електронні струми в транзисторі p-n-p типу не відіграють значної ролі. Струм електронів з бази на колектор малий через велику від’ємну напругу на колекторі. Струм електронів з бази на емітер зменшують зниженням концентрації домішок у речовині бази. Транзистор n-p-n типу працює аналогічно. В такому транзисторі основний струм – це струм електронів. Для роботи транзисторів n-p-n типу досить змінити потенціал на електродах.
©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.
|