Главная | Обратная связь

ВАХ (а) и условное графич. обозначение (б) обращенного диода

При приложении уже небольшого обратного смещения возможен такой сдвиг, при кот. вероятность туннелирования электрона из области p в область n резко возрастает и диод начинает хорошо проводить и в обратном направлении. Этот диод получил название «обращ.» диода в связи с тем, что при малых напряжениях сопротивление перехода в обратном направлении меньше, чем в прямом.

Ток в обращ. диодах создается основными носителями, поэтому эти диоды могут работать на более высоких частотах, чем обычные п/п диоды. Инерционность обращ. диода определяется временем перезарядки его емкости. Как правило, время переключения обращ. диода не превышает 1 нс. Обращ. диоды имеют большую крутизну обратной ветви ВАХ, позволяющую работать при малых уровнях мощности и обеспечивающую высокую чувствительность прибора к входным сигналам.

5.16. Схема формирования импульсов напряж-я с коротким передним фронтом (а); б – врем. диаграммы импульсов напряж-я; С1 – разделительный кондер малой емкости; >> . Кривая построена графичю способом

Обращ. диоды используют для детектирования, огранич. и коммутации сигналов малой амплитуды.

Туннел. диоды широко используются также для получения крутых фронтов импульсов напряжения. Для примера на рис. 5.16 показана схема и временная диаграмма формирования коротких импульсов напряжения из входного сигнала с пологими фронтами. Устройство работает как пороговое: при на выходе формируется короткий импульс напряжения. Величина зависит от параметров ВАХ ТД и от сопротивления резистора . Схема простейшего усилителя напряжения на ТД и кривые, поясняющие усиление сигнала, представлены на рис. 5.17.

5.17. Сх. усилителя напряжения на ТД (а) и кривые, поясняющие усилительные свойства ТД (б): , – напряжение и ток ТД при =0;

– коэффициент усиления по напряжению